The synthesis and optical properties of ZnO nanocombs

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 10, Issue 4, 2010, Pages 2370-2374

  Zang, C H ^a,c   Liu, Y C ^b   Zhao, D X ^a   Zhang, J Y ^a   Shen, D Z ^a  

^a CHANGCHUN INSTITUTE OF OPTICS   (China)

^b NORTHEAST NORMAL UNIVERSITY   (China)

^c LUOYANG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

Photoluminescence; Surface states; ZnO nanocombs

Indexed keywords

ANNEALED SAMPLES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHODS; DEEP LEVEL EMISSION; GROWTH MECHANISMS; LO PHONONS; NANOCOMBS; PL INTENSITY; PL SPECTRA; RED SHIFT; SELF-ASSEMBLED; SHALLOW DONORS; SURFACE AND INTERFACE STATE; SURFACE STATE; TEMPERATURE DEPENDENCE; VAPOR-SOLID; XPS ANALYSIS; ZNO;

ANNEALING; OXYGEN; PHOTOLUMINESCENCE; ZINC; ZINC OXIDE;

OPTICAL PROPERTIES;

EID: 77954962604     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2010.2480     Document Type: Conference Paper

References (41)

1. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001).
2. F.-Y. Hsu, T.-H. Chen, and K.-C. Peng, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4008 (2009).
3. A. Dejneka, A. Churpita, Z. Hubička, V. Trepakov, Z. Potůček, L. Jastrabík, G. Suchaneck, and G. Gerlach, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4094 (2009).
4. J. Song and S. Lim J. Phys. Chem. C 111, 596 (2007).
5. X. Y. Kong and Z. L. Wang, Nano. Lett. 3, 1625 (2003).
6. H. B. Huang, S. G. Yang, J. F. Gong, H. W. Liu, J. H. Duan, X. N. Zhao, R. Zhang, Y. L. Liu, and Y. C. Liu, J. Phys. Chem. B 109, 20746 (2005).
7. S. J. Pearton, B. S. Kang, B. P. Gila, D. P. Norton, O. Kryliouk, F. Ren, Y.-W. Heo, C.-Y. Chang, G.-C. Chi, W.-M. Wang, and L.-C. Chen, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 99 (2008).
8. Z. L. Wang, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 27 (2008).
9. A. Umar, M. M. Rahman, and Yoon-Bong Hahn, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4686 (2009).
10. K. Keem, J. Kang, C. Yoon, D. Yeom, D.-Y. Jeong, B. Park, J. Park, and S. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4240 (2009).
11. K.-S. Park, Y.-J. Choi, M.-W. Ahn, D.-W. Kim, Y.-M. Sung, J.-G. Park, and K. J. Choi, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4328 (2009).
12. K. Huo, J. Fu, H. Ni, Y. Hu, G. Qian, P. K. Chu, and Z. Hu, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 3848 (2009).
13. A. Umar, Y. K. Park, and Y. B. Hahn, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 2692 (2009).
14. S. Chatterjee, S. Gohil, B. Chalke, and P. Ayyub, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4792 (2009).
15. P. Kumari, S. S. Roy, and J. McLaughlin, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4367 (2009).
16. B. H. Kong, D. C. Kim, S. K. Mohanta, W. S. Han, H. K. Cho, C.-H. Hong, and H. G. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4383 (2009).
17. E. T. Y. Lee, Y. Shimotsuma, M. Sakakura, M. Nishi, K. Miura, and K. Hirao, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 618 (2009).
18. Y. C. Kong, D. P. Yu, B. Zhang, W. Fang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 78, 407 (2001).
19. J.-J. Wu and S.-C. Liu, Adv. Mater. 14, 215 (2002).
20. W. I. Park, D. H. Kim, S.-W. Jung, and G.-C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
21. W. Cheng, P. Wu, X. Zou, and T. Xiao, J. Appl. Phys. 100, 054311 (2006).
22. Y. H. Tong, Y. C. Liu, L. Dong, D. X. Zhao, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. Chem. B110, 20263 (2006).
23. Z. W. Pan, S. M. Mahurin, S. Dai, and D. H. Lowndes, Nano. Lett. 5, 723 (2005).
24. P. X. Gao and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 108, 7534 (2004).
25. C. Li, G. Fang, F. Su, G. Li, X. Wu, and X. Zhao, Crystal Growth & Design 6, 2588 (2006).
26. D. C. Reynolds, D. C. Look, and B. Jogai, J. Appl. Phys. 89, 6189 (2001).
27. A. B. Djurišić and Y. H. Leung, Small 2, 944 (2006).
28. N. Y. Garces, L. Wang, L. Bai, N. C. Giles, L. E. Halliburton, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 622 (2002).
29. F. H. Su, Y. F. Liu, W. Chen, W. J. Wang, K. Ding, G. H. Li, A. G. Joly, and D. E. McCready, J. Appl. Phys. 100, 013107 (2006).
30. Z. L. Wang, X. Y. Kong, and J. M. Zuo, Phys. Rev. Lett. 91, 185502 (2003).
31. K. Huo, Y. Hu, J. Fu, X. Wang, P. K. Chu, Z. Hu, and Y. Chen, J. Phys. Chem. C111, 5876 (2007).
32. K. A. Alim, V. A. Fonoberov, and A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 86, 053103 (2005).
33. (a) X. Q. Meng, D. X. Zhao, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, B. H. Li, X. H. Wang, and X. W. Fan, J. Lumin. 122-123, 766 (2007);
34. (b) X. Q. Meng, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, L. Dong, Z. Z. Zhang, Y. C. Liu, and X. W. Fan, Solid State Commun. 135, 179 (2005).
35. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996).
36. A. van Dijken, E. A. Meulenkamp, D. Vanmaekelbergh, and A. Meijerink, J. Chem. B 104, 1715 (2000).
37. Y. W. Heo, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 98, 073502 (2005).
38. A. B. Djurišić, W. C. H. Choy, V. A. L. Roy, Y. H. Leung, C. Y. Kwong, K. W. Cheah, T. K. G. Rao, W. K. Chan, H. F. Lui, and C. Surya, Adv. Func. Mater. 14, 856 (2004).
39. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. R. Sizelove, R. L. Jones, C. W. Litton, G. Cantwell, and W. C. Harsch, Solid State Commun. 105, 399 (1998).
40. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, T. C. Collins, W. Harsch, and G. Cantwell, Phys. Rev. B 57, 12151 (1998).
41. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. J. Legodi, W. E. Meyer, and D. C Look, Appl. Phys. Lett. 80, 1340 (2002).