Change of structural behaviors of organo-silane exposed graphene nanoflakes

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 18, 2010, Pages 8161-8166

  Pao, C W ^a   Ray, S C ^a,b   Tsai, H M ^a   Chen, Y S ^a   Chen, H C ^a   Lin, I N ^a   Pong, W F ^a   Chiou, J W ^c   Tsai, M H ^d   Shang, N G ^e   Papakonstantinou, P ^e   Guo, J H ^f  

^a TAMKANG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b UNIVERSITY OF THE WITWATERSRAND   (South Africa)

^c NATIONAL UNIVERSITY OF KAOHSIUNG   (Taiwan)

^d NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

^e UNIVERSITY OF ULSTER   (United Kingdom)

^f LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

C ATOMS; ELECTRON FIELD EMISSION; FIRST-PRINCIPLES CALCULATION; GRAPHENE LAYERS; NANOFLAKES; SI ATOMS; SI CONTENT; SILANE PRECURSOR; SILYL RADICAL; STRUCTURAL BEHAVIORS; TETRAMETHYLSILANE; TURN-ON ELECTRIC FIELD; X RAY EMISSION SPECTROSCOPY; X-RAY ABSORPTION NEAR-EDGE STRUCTURE; XANES; XPS;

ABSORPTION SPECTROSCOPY; ATOMIC SPECTROSCOPY; ATOMS; ELECTRIC FIELDS; ELECTRONIC PROPERTIES; ELECTRONIC STRUCTURE; EMISSION SPECTROSCOPY; FIELD EMISSION; GRAPHENE; GRAPHITE; RAMAN SCATTERING; RAMAN SPECTROSCOPY; SILICON; X RAY ANALYSIS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE;

EID: 77952032783     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp9121563     Document Type: Article

References (30)

1. Wu, Y. H.; Qiao, P. W.; Chong, T. C.; Shen, Z. X. Adv. Mater. 2002, 14, 64
2. Ando, Y.; Zhao, X.; Ohkohchi, M. Carbon 1997, 35, 153
3. Shang, N. G.; Au, F. C. K.; Meng, X. M.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 2002, 358, 187
4. Wang, J. J.; Zhu, M. Y.; Outlaw, R. A.; Zhao, X.; Manos, D. M.; Holloway, B. C. Carbon 2004, 42, 2867
5. Hiraki, H.; Jiang, N.; Wang, H. X.; Hiraki, A. J. Phys. IV 2006, 132, 111
6. Nishimura, K.; Jiang, N.; Hiraki, A. IEICE Trans. Electron. E 2003, 86, 821
7. Shang, N. G.; Papakonstantinou, P.; McMullan, M.; Chu, M.; Stamboulis, A.; Potenza, A.; Dhesi, S. S.; Marchetto, H. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 3506
8. Abbas, G. A.; Papakonstantinou, P.; McLaughlin, J. A.; Weijers-Dall, T. D. M.; Elliman, R. G.; Filik, J. J. Appl. Phys. 2005, 98, 103505
9. Guo, G.; Wang, F.; Sun, H.; Zhang, D. Int. J. Quantum Chem. 2008, 108, 203
10. Baierle, R. J.; Fagan, S. B.; Mota, R.; da Silva, A. J. R.; Fazzio, A. Phys. Rev. B 2001, 64, 085413
11. Fagan, S. B.; Mota, R.; Baierle, R. J.; da Silva, A. J. R.; Fazzio, A. Diamond Relat. Mater. 2003, 12, 861
12. Song, C.; Xia, Y.; Zhao, M.; Liu, X.; Li, F.; Huang, B.; Zhang, H.; Zhang, B. Phys. Lett. A 2006, 358, 166
13. Ray, S. C.; Palnitkar, U.; Pao, C. W.; Tsai, H. M.; Pong, W. F.; Lin, I.-N.; Papakonstantinou, P.; Chen, L. C.; Chen, K. H. J. Appl. Phys. 2008, 104, 063710
14. Ray, S. C.; Pao, C. W.; Tsai, H. M.; Chiou, J. W.; Pong, W. F.; Chen, C. W.; Tsai, M.-H.; Papakonstantinou, P.; Chen, L. C.; Chen, K. H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 202102
15. Ray, S. C.; Pao, C. W.; Tsai, H. M.; Chiou, J. W.; Jan, J. C.; Krishna Kumar, K. P.; Pong, W. F.; Tsai, M.-H.; Wang, W.-J.; Hsu, C.-J.; Okpalugo, T. I. T.; Papakonstantinou, P.; McLaughin, J. A. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4022
16. Terekhov, V. A.; Terukov, E. I.; Trapeznikova, I. N.; Kashkarov, V. M.; Kurilo, O. V.; Turishchev, S. Yu.; Golodenko, A. B.; Domashevskaya, é. P. Semiconductors 2005, 39, 830
17. Chang, Y. K.; Hsieh, H. H.; Pong, W. F.; Tsai, M.-H.; Lee, K. H.; Dann, T. E.; Chien, F. Z.; Tseng, P. K.; Tsang, K. L.; Su, W. K.; Chen, L. C.; Wei, S. L.; Chen, K. H.; Bhusari, D. M.; Chen, Y. F. Phys. Rev. B 1998, 58, 9018
18. Pacilié, D.; Papagno, M.; Rodríguez, A. F.; Grioni, M.; Papagno, L.; Girit, C. O.; Meyer, J. C.; Begtrup, G. E.; Zettl, A. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 066806
19. Huang, J.-R.; Lin, J.-Y.; Chen, B.-H.; Tsai, M.-H. Phys. Status Solidi B 2008, 245, 136
20. Ferrari, A. C.; Robertson, J. Phys. Rev. B 2001, 64, 075414
21. Choi, S.; Park, K. H.; Lee, S.; Koh, K. H. J. Appl. Phys. 2002, 92, 4007
22. Pedio, M.; Borgatti, F.; Giglia, A.; Mahne, N.; Nannarone, S.; Giovannini, S.; Cepek, C.; Magnano, E.; Bertoni, G.; Spiller, E.; Sancrotti, M.; Giovanelli, L.; Floreano, L.; Gotter, R.; Morgante, A. Phys. Scr., T 2005, 115, 695
23. Skytt, P.; Glans, P.; Mancini, D. C.; Guo, J.-H.; Wassdahl, N.; Nordgren, J.; Ma, Y. Phys. Rev. B 1994, 50, 10457
24. Carlisle, J. A.; Shirley, E. L.; Hudson, E. A.; Terminello, L. J.; Callcott, T. A.; Jia, J. J.; Ederer, D. L.; Perera, R. C. C.; Himpsel, F. J. Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 1234
25. Dai, J.; Yuan, J.; Giannozzi, P. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 232105
26. Table of Periodic Properties of the Elements; Sargent-Welch Scientific Company: Skokie, IL, 1980.
27. Lide, D. R., Ed. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 80th ed.; CRC Press: Boca Raton, FL, 1999-2000; pp 4 - 150.
28. Kasowski, R. V.; Tsai, M.-H.; Rhodin, T. N.; Chambliss, D. D. Phys. Rev. B 1986, 34, 2656
29. Chadi, D. J.; Cohen, M. L. Phys. Rev. B 1973, 8, 5747
30. Monkhorst, H. J.; Pack, J. D. Phys. Rev. B 1976, 13, 5188