Localized exciton emission from ZnO nanocrystalline films

Journal of Applied Physics

Volumn 107, Issue 5, 2010, Pages

  Xu, Zheng ^a   He, Haiping ^a   Sun, Luwei ^a   Jin, Yizheng ^a   Zhao, Binghui ^a   Ye, Zhizhen ^a  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EXCITON LOCALIZATION; LOCALIZED EXCITON; LOW PROBABILITY; LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE; LOW TEMPERATURES; NONRADIATIVE RECOMBINATION CENTERS; SURFACE PASSIVATION; TEMPERATURE DEPENDENT; ZNO NANOCRYSTALLINE FILMS;

GRAIN BOUNDARIES; PASSIVATION; PULSED LASER DEPOSITION; PULSED LASERS; ZINC OXIDE;

EXCITONS;

EID: 77949681521     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3310804     Document Type: Article

References (23)

1. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
2. Y. F. Chen, N. T. Tuan, Y. Segawa, H. J. Ko, S. K. Hong, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 78, 1469 (2001).
3. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. J. Kim, Y. S. Park, and C. J. Youn, Appl. Phys. Lett. 88, 241108 (2006).
4. Y. R. Ryu, J. A. Lubguban, T. S. Lee, H. W. White, T. S. Jeong, C. J. Youn, and B. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 131115 (2007).
5. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2001).
6. D. W. Hamby, D. A. Lucca, and M. J. Klopfstein, J. Appl. Phys. 93, 3214 (2003).
7. L. Wischmeier, T. Voss, I. Rückmann, J. Gutowski, A. C. Mofor, A. Bakin, and A. Waag, Phys. Rev. B 74, 195333 (2006).
8. J. Grabowska, A. Meaney, K. K. Nanda, J. P. Mosnier, M. O. Henry, J. R. Ducl̀re, and E. McGlynn, Phys. Rev. B 71, 115439 (2005).
9. P. C. Chang, C. J. Chien, D. Stichtenoth, C. Ronning, and J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 90, 113101 (2007).
10. Y. Yang, B. K. Tay, X. W. Sun, J. Y. Sze, Z. J. Han, J. X. Wang, X. H. Zhang, Y. B. Li, and S. Zhang, Appl. Phys. Lett. 91, 071921 (2007).
11. Y. Z. Zhang, H. P. He, Y. Z. Jin, B. H. Zhao, Z. Z. Ye, and H. P. Tang, J. Appl. Phys. 104, 103529 (2008).
12. R. P. Wang, G. Xu, and P. Jin, Phys. Rev. B 69, 113303 (2004).
13. A. Satake and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 57, R2041 (1998).
14. D. I. Florescu, J. C. Ramer, D. S. Lee, and E. A. Armour, Appl. Phys. Lett. 84, 5252 (2004).
15. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, T. C. Collins, W. Harsch, and G. Cantwell, Phys. Rev. B 57, 12151 (1998).
16. N. Ashkenov, B. N. Mbenkum, C. Bundesmann, V. Riede, M. Lorenz, D. Spemann, E. M. Kaidashev, A. Kasic, M. Schubert, and M. Grundmann, J. Appl. Phys. 93, 126 (2003).
17. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. W. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
18. B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straßburg, M. Dworzak, U. Haboeck, and A. V. Rodina, Phys. Status Solidi B 241, 231 (2004).
19. M. Levy, W. K. Lee, and M. P. Sarachik, Phys. Rev. B 45, 11685 (1992).
20. J. P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
21. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
22. L. J. Wang and N. C. Giles, J. Appl. Phys. 94, 973 (2003).
23. S. Permogorov, A. Klochikhin, and A. Reznitsky, J. Lumin. 100, 243 (2002).