Selective crystalline seed layer assisted growth of vertically aligned mgzno nanowires and their high-brightness field-emission behavior

Crystal Growth and Design

Volumn 9, Issue 10, 2009, Pages 4308-4314

  Kim, Dong Chan ^a   Kong, Bo Hyun ^a   Mohanta, Sanjay Kumar ^a   Cho, Hyung Koun ^a   Park, Jae Hong ^a   Yoo, Ji Beom ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 70350647469     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg900018p     Document Type: Article

References (33)

1. Pavesi, L.; Negro, D. L.; Mazzoleni, C.; Franzo, G.; Priolo, F. Nature 2000, 408, 440.
2. Jiang, X.; Xiong, Q.; Nam, S.; Qian, F.; Li, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2007, 7, 3214.
3. Kong, X. Y.; Wang, Z. L. Nano Lett. 2003, 3, 1625.
4. Wu, J. J.; Liu, S. C. Adv. Mater. 2002, 14, 215.
5. Park, W. I.; Yi, G. -C. Adv. Mater. 2004, 16, 87.
6. Sun, X. W.; Huang, J. Z.; Wang, J. X.; Xu, Z. Nano Lett. 2008, 5, 1219.
7. Nobis, T.; Kaidashev, E. M.; Rahm, A.; Lorenz, M.; Lenzner, J.; Grundmann, M. Nano Lett. 2004, 4, 797.
8. Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H.; Wu, Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. Science 2001, 292, 1897.
9. Park, D. J.; Lee, J. Y.; Kim, D. C.; Mohanta, S. K.; Cho, H. K. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 143115.
10. Gruber, Th.; Kirchner, C.; Kling, R.; Reuss, F.; Waag, A. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 5339.
11. Zhang, B. P.; Bihn, N. T.; Wakatsuki, K.; Liu, C. Y.; Segawa, Y.; Usami, N. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 032105.
12. Wang, M. S.; Peng, L. M.; Wang, J. Y.; Chen, Q. J. Phvs. Chem. B 2005, 109, 110.
13. Jung, S. M.; Hahn, J.; Jung, H. Y.; Suh, J. S. Nano Lett, 2006, 6, 1569.
14. Shibata, H.; Tampo, H.; Matsubara, K.; Yamada, A.; Sakurai, K.; Ishizuka, S.; Niki, S.; Sakai, M. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 124104.
15. Hill, M. R.; Russell, J. J.; Lamb, R. N. Chem. Mater. 2008, 20, 2461.
16. Shan, F. K.; Liu, G. X.; Lee, W. J.; Shin, B. C. J. Appl Phys. 2007, 101, 053106.
17. Cong, G. W.; Wei, H. Y.; Zhang, P. F.; Peng, W. Q.; Wu, J. J.; Liu, X. L.; Jiao, C. M.; Hu, W. G.; Zhu, Q. S.; Wang, Z. G. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 231903.
18. Kim, D. C.; Kong, B. H.; Jeon, S. Y.; Yoo, J. B.; Cho, H. K.; Park, D. J.; Lee, J. Y. J. Mater. Res. 2007, 22, 2032.
19. Yang, C. -J.; Wang, S. -M.; Liang, S.-W.; Liang, S. -W.; Chang, Y. -H.; Chen, C.; Shieh, J. -M. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 033104.
20. Vashei, Z.; Minegishi, T.; Suzuki, H.; Hanada, T.; Cho, M. W.; Yao, T.; Setiawan, A. J. Appl, Phys. 2005, 98, 054911.
21. Bhattacharya, P.; Das, R. R.; Katiyar, R. S. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2010.
22. Yang, W.; Hullavarad, S. S.; Nagaraj, B.; Takeuchi, I.; Sharma, R. P.; Venkatesan, T.; Vispute, R. D.; Shen, H. Appl. Phvs. Lett. 2003, 82, 3424.
23. Chen, J.; Shen, W. Z. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2154.
24. Wang, Y. G.; Lau, S. P; Lee, H. W.; Yu, S. F.; Tay, B. K.; Zhang, X. H.; Hng, H. H. J. Appl. Phys. 2003, 94, 354.
25. Kim, M.; Hong, Y. J.; Yoo, J.; Yi, G.-C.; Park, G.-S.; Kong, K.-J.; Chang, H. Phys. Stat. Sol. (RRL) 2008, 2, 197.
26. Meyer, B. K.; Alves; Hofmann, H. D. M.; Kriegseis, W.; Forster, D.; Bertram, F.; Christen, J.; Hoffmann, A.; StraBburg, M.; Dworzak, M.; Haboeck, U.; Rodina, A. V. Phys. Stat. Sol (b) 2004, 241, 231.
27. Teke, A.; Ozgur, U.; Dogan, S.; Gu, X.; Morkoc, H.; Nemeth, B.; Nause, J.; Everitt, H. O. Phys. Rev. B 2004, 70, 195207.
28. Pan, C. J.; Lin, K. F.; Hsu, W. T.; Hsieh, W. F. J. Appl. Phys. 2007, 102, 123504.
29. Lorentz, M.; Kaidashev, E. M.; Rahm, A.; Nobis, Th.; Lenzner, J.; Wagner, G.; Spemann, D.; Hochmuth, H.; Grundmann, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 143113.
30. Xing, Y. J.; Xi, Z. H.; Xue, Z. Q.; Zhang, X. D.; Song, J. H.; Wang, R. M.; Xu, J.; Song, Y.; Zhang, S. L.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1689.
31. Liu, Z. W.; Ong, C. K.; Yu, T.; Shen, Z. X. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 053110.
32. Wang, R. P.; Xu, G.; Jin, P. Phys. Rev. B 2004, 69, 113303.
33. Wassner, T. A.; Laumer, B.; Maier, S.; Laufer, A.; Wlayet, B. K.; Stutzmann, M.; Eickhoff, M. J. Appl. Phys. 2009, 105, 023505.