XPS calibration study of thin-film nickel silicides

Surface and Interface Analysis

Volumn 41, Issue 6, 2009, Pages 471-483

  Cao, Yu ^a   Nyborg, Lars ^a   Jelvestam, Urban ^a  

^a CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

Auger parameter; Core level; Depth profile; Ni silicides; Wagner plot; XPS

Indexed keywords

AUGER PARAMETER; CORE LEVEL; DEPTH PROFILE; NI SILICIDES; WAGNER PLOT; XPS;

ARGON; AUGERS; NICKEL; NICKEL COMPOUNDS; SILICIDES; SILICON;

X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EID: 67649743255     PISSN: 01422421     EISSN: 10969918     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/sia.3050     Document Type: Article

References (30)

1. P. Nash, A. Nash, in ASMHandbooks,Vol. 3, AlloyPhaseDiagrams (Ed.: H. Baker), ASM International: Materials Park, OH, 1992, pp 2859.
2. B. Cafra, A. Alberti, L. Ottaviano, C. Bongiorno, G. Mannino, T. Kammler, T. Feudel, Mater. Sci. Eng. 2004, B114-115, 228.
3. T. Ohguro, S. Nakamura, M. Koike, T. Morimoto, A. Nishiyama, Y. Ushiku, T. Yoshitomi,M. Ono,M. Saito, H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices 1994, 41, 2305.
4. C. Lavoie, C. Detavernier, P. Besser, in Silicide Technology for Integrated Circuits (Ed.: L. J. Chen), IET: London, 2004.
5. D. C. Lou, O. M. Akselsen, J. K. Solberg, M. I. Onsoien, J. Berget, N. Dahl, Surf. Coat. Technol. 2006, 200, 3582.
6. X. D. Lu, H. M. Wang, Acta Mater. 2004, 52, 5419.
7. G. Ottaviani, J. Vac. Sci. Technol. 1979, 16, 1112.
8. K. N. Tu, G. Ottaviani, U. G̈ osele, H. F ̈ oll, J. Appl. Phys. 1983, 54, 758.
9. S. H. Chen, L. R. Zheng, C. B. Carter, J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 1985, 57, 258.
10. J. K. Yoon, J. Y. Byun, G. H. Kim, J. K. Lee, H. S. Yoon, K. T. Hong, Surf. Coat. Technol. 2003, 168, 241.
11. C. J. Tsai, K. H. Yu, Thin Solid Films 1999, 350, 91.
12. J. Y. Hsu, J. H. Liang, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 2005, B241, 543.
13. W. Lee, J. Lee, J. D. Bae, C. S. Byun, D. K. Kim, Scr. Mater. 2002, 44, 97.
14. P. S. Lee, D. Mangelinck, K. L. Pey, J. Ding, J. Y. Dai, C. S. Ho, A. See, Microelectron. Eng. 2000, 51-52, 583.
15. C. M. Liu, W. L. Liu, S. H. Hsieh, T. K. Tsai, W. J. Chen, Appl. Surf. Sci. 2005, 243, 259.
16. B. Predel, in Physical Chemistry, Vol. 5, Phase Equilibria, Crystallographic and ThermodynamicDataOf Binary Alloys Electronic Resource:ElectronicMaterialsandSemiconductors (Eds:O. Madelung, W. Martienssen), Springer-Verlag: Berlin, New York, c1998.
17. Z. Horita, K. Fujiwara, Y. Ootoshi, N. Komai, M. Watanabe, M. Nemoto, Philos. Mag. Lett. 1997, 75, 149.
18. O. Bisi, C. Calandra, U. del Pennino, P. Sassaroli, S. Valeri, Phy. Rev. B 1984, 30, 5696.
19. G. Curr 'o, R. Cosso, M. Sancrotti, L. Du' o, S. D'Addato, S. Nannarone, S. Iacobucci, G. Panaccione, P.Weightman, Phys. Rev. B 1992, 46, 15652.
20. S.H. Chen,C. B. Carter,Z. Elgat, L. R. Zheng, J. W. Mayer, J. Appl.Phys. 1987, 62, 1189.
21. B. A. Julies,D. Knoesen,R. Pretorius,D. Adams, ThinSolid Films 1999, 347, 201.
22. G. Moretti, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 95, 95.
23. A. Franciosi, J. H. Weaver, Phys. Rev. B 1982, 26, 546.
24. S. Hara, I. Ohdomari, Phys. Rev. B 1988, 38, 7554.
25. S. Raj, B. B. Dhal, H. C. Padhi, Phy. Rev. B 1998, 58, 9025.
26. K. Tanaka, T. Saito, Phys. Rev. B 1985, 32, 6853.
27. M. Taguchi, F. Le Normand, J. Hommet, S. Rey, G. Schmerber, J. C. Parlebas, Eur. Phys. J. 2000, B18, 611.
28. F. U. Hillebrecht, J. C. Fuggle, P. Bennett, Z. Zolnierek, C. Freiburg, Phys. Rev. B 1982, 27, 2179.
29. A. Gheorghiu, C. S'en'emaud, R. Asal, E. A. Davis, J. Non-Cryst. Solids 1995, 182, 293.
30. D. R. Penn, Phys. Rev. Lett. 1979, 42, 921.