GeTe/Sb7Te3 superlatticelike structure for lateral phase change memory

Applied Physics Letters

Volumn 94, Issue 20, 2009, Pages

  Yang, Hongxin ^a,b   Chong, Chong Tow ^a,b   Zhao, Rong ^a   Lee, Hock Koon ^a   Li, Jianming ^a   Lim, Kian Guan ^a   Shi, Luping ^a  

^a DATA STORAGE INSTITUTE   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLIZATION TEMPERATURE; POWER CONSUMPTION; RESET CURRENTS; THICKNESS RATIO; TWO PHASE;

TELLURIUM COMPOUNDS;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 65949095010     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3139776     Document Type: Article

References (17)

1. S. Lai, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 0163-1918 2003, 255.
2. S. R. Ovshinsky, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 21, 1450 (1968). 10.1103/PhysRevLett.21.1450
3. N. Yamada, E. Ohno, N. Akahira, K. Nishiuchi, K. Nagata, and M. Takao, Jpn. J. Appl. Phys. 26 Suppl. 4, 61 (1987).
4. M. Wuttig and N. Yamada, Nature Mater. 1476-1122 6, 824 (2007). 10.1038/nmat2009
5. A. V. Kolobov, P. Fons, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinolv, J. Tominaga, and T. Uruga, Nature Mater. 1476-1122 3, 703 (2004). 10.1038/nmat1215
6. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters, Nature Mater. 1476-1122 4, 347 (2005). 10.1038/nmat1350
7. Y. C. Chen, C. T. Rettner, S. Raoux, G. W. Burr, S. H. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, W. P. Risk, T. D. Happ, G. M. McClelland, M. Breitwisch, A. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. Cheek, T. Nirschl, M. Lamorey, C. F. Chen, E. Joseph, S. Zaidi, B. Yee, H. L. Lung, R. Bergmann, and C. Lam, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 0163-1918 2006, 1.
8. F. J. Jedema, M. A. A. in't Zandt, and W. S. M. M. Ketelaars, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 203509 (2007). 10.1063/1.2812568
9. Y. You, H. Sone, and S. Hosaka, Microelectron. Eng. 0167-9317 84, 2901 (2007). 10.1016/j.mee.2007.03.004
10. H. K. Lyeo, D. G. Cahill, B. S. Lee, J. R. Abelson, M. H. Kwon, K. B. Kim, S. G. Bishop, and B. K. Cheong, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 89, 151904 (2006). 10.1063/1.2359354
11. G. Chen, Phys. Rev. B 0163-1829 57, 14958 (1998). 10.1103/PhysRevB.57. 14958
12. O. Sofo and G. D. Mahan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 65, 2690 (1994). 10.1063/1.112607
13. L. Esaki, IEEE J. Quantum Electron. 0018-9197 22, 1611 (1986). 10.1109/JQE.1986.1073162
14. T. C. Chong, L. P. Shi, X. Q. Wei, R. Zhao, H. K. Lee, P. Yang, and A. Y. Du, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 100, 136101 (2008). 10.1103/PhysRevLett.100. 136101
15. T. C. Chong, L. P. Shi, R. Zhao, P. K. Tan, J. M. Li, H. K. Lee, X. S. Miao, A. Y. Du, and C. H. Tung, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 122114 (2006). 10.1063/1.2181191
16. Y. C. Her, H. Chen, and Y. S. Hsu, J. Appl. Phys. 0021-8979 93, 10097 (2003). 10.1063/1.1575493
17. X. Q. Wei, L. P. Shi, T. C. Chong, R. Zhao, and H. K. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 46, 2211 (2007). 10.1143/JJAP.46.2211