Magnetic properties of vanadium-doped silicon carbide nanowires

Metals and Materials International

Volumn 15, Issue 1, 2009, Pages 107-111

  Seong, Han Kyu ^a   Park, Tae Eon ^a   Lee, Seung Cheol ^b   Lee, Kwang Ryeol ^b   Park, Jae Kwan ^b   Choi, Heon Jin ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

Author keywords

Diluted magnetic semiconductor; Doping; Silicon carbide nanowires

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS; DOPING (ADDITIVES); HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MAGNETIC PROPERTIES; MAGNETISM; NANOWIRES; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON CARBIDE; TEMPERATURE; TRANSITION METALS; VANADIUM METALLOGRAPHY; WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS; DILUTE MAGNETIC SEMICONDUCTORS; FERROMAGNETIC PROPERTIES; FIRST PRINCIPLE CALCULATIONS; MAGNETIC CHARACTERIZATION; SILICON CARBIDE NANOWIRES; SINGLE CRYSTALLINE SILICON; VERY LOW TEMPERATURES;

VANADIUM COMPOUNDS;

EID: 62149105061     PISSN: 15989623     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s12540-009-0107-7     Document Type: Article

References (21)

1. S. D. Sarma, Nature Mater. 2, 292 (2003).
2. I. Malajovich, J. J. Berry, N. Samarth, and D. D. Awschalom, Nature 411, 770 (2001).
3. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
4. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, and D. M. Treger, Science 294, 1488 (2001).
5. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
6. J. S. Lee, J. D. Lim, Z. G. Khim, Y. D. Park, S. J. Pearton, and S. N. G. Chu, J. Appl. Phys. 93, 4512 (2003).
7. J. S. Neal, A. J. Behan, R. M. Ibrahim, H. J. Blythe, M. Ziese, A. M. Fox, and G. A. Gehring, Phys. Rev. Lett. 96, 197208 (2006).
8. H. J. Choi, H. K. Seong, J. Chang, K. I. Lee, Y. J. Park, J. J. Kim, S. K. Lee, R. He, T. Kuykendall, and P. Yang, Adv. Mater. 17, 1351 (2005).
9. H. K. Seong, Y. Lee, J. K. Kim, Y. K. Byeun, K. S. Han, J. G. Park, and H. J. Choi, Adv. Mater. 18, 3019 (2006).
10. H. K. Seong, J. Y. Kim, J. J. Kim, S. C. Lee, S. R. Kim, U. Kim, T. E. Park, and H. J. Choi, Nano Lett. 1, 3366 (2007).
11. H. K. Seong, H. Jeong, R. Ha, J. C. Lee, Y. M. Sung, and H. J. Choi, Met. Mater. Int. 14, 353 (2008).
12. H. K. Seong, M. H. Kim, H. J. Choi, Y. J. Choi, and J. G. Park, Met. Mater. Int. 14, 477 (2008).
13. N. Thillosen, K. Sebald, H. Hardtdegen, R. Meijers, R. Calarco, S. Montanari, N. Kaluza, J. Gutowski, and H. Luth, Nano Lett. 6, 704 (2006).
14. H. J. Choi, H. K. Seong, J. C. Lee, and Y. M. Sung, J. Crys. Growth 269, 472 (2004).
15. H. K. Seong, S. K. Lee, H. J. Choi, J. I. Lee, and D. J. Choi, Appl. Phys. Lett. 85, 1256 (2004).
16. G. Kresse, and J. Furthmuller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996);
17. Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
18. J. P. Perdew, J. A. Chevary, S. H. Vosko, K. A. Jackson, M. R. Pederson, D. J. Singh, and C. Fiolhais, Phys. Rev. B 46, 6671 (1992);
19. Y. Wang, and J. P. Perdew, Phys. Rev. B 44, 13298 (1991).
20. P. E. Blochl, Phys. Rev. B 50, 17953 (1994).
21. C. Hallin, A. O. Konstantinov, B. Pecz, O. Kordina, and E. Janzen, Diam. Relat. Mater. 6, 1297 (1997).