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Volumn 8, Issue 12, 2008, Pages 4464-4468

Symmetry breaking induced bandgap in epitaxial graphene layers on SiC

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ENERGY GAP; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON CARBIDE;

EID: 61649094955     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl802409q     Document Type: Article
Times cited : (161)

References (29)
  • 7
    • 35548976235 scopus 로고    scopus 로고
    • Giovannetti, G.; Khomyakov, P. A.; G. B.; Kelly, P. J.; van den Brink, J. Phys. Rev. B 2007, 76, 73103.
    • Giovannetti, G.; Khomyakov, P. A.; G. B.; Kelly, P. J.; van den Brink, J. Phys. Rev. B 2007, 76, 73103.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.