The structural, morphological and magnetic characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 206, Issue 1, 2009, Pages 91-93

  Sun, Lili ^a   Yan, Fawang ^a   Wang, Junxi ^a   Zeng, Yiping ^a   Wang, Guohong ^a   Li, Jinmin ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

A PLANE; ATOMIC FORCE (AF); CURVE SHIFTS; GAN FILMS; MAGNETIC (CE); NON-POLAR; ROOM-TEMPERATURE (RT); X RAY DIFFRACTION (XRD);

ANNEALING; DIFFRACTION; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; MAGNETIC MATERIALS; MAGNETIC PROPERTIES; MANGANESE; MANGANESE COMPOUNDS; RAPID THERMAL ANNEALING; RAPID THERMAL PROCESSING; SEMICONDUCTING GALLIUM; THERMAL EXPANSION; X RAY ANALYSIS; X RAY DIFFRACTION;

X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

EID: 58449101334     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200824170     Document Type: Article

References (13)

1. H. Ohno, Science 281, 951 (1998),
2. H. Ohno, A. Shen, F. Matsujura, A. Oiwa, A. Endo, S. Ka- tsumoto, and Y. lye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
3. M. L. Reed, N. A. EI-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ri- tums, M J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
4. M. L. Reed, M. K. Ritums, H. H. Stadelmaier, M. J. Reed, C. A. Parker, S. M. Bedair, and N. A. EI-Masry, Mater. Lett. 51, 500 (2001).
5. S. Sonoda, S. Shimizu et al, J. Cryst. Growth 237, 1358 (2002).
6. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 78, 3475 (2001).
7. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier et al., Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002).
8. M. H. Kane, A. Asghar, C. R. Vestal, M. Strassburg, J. Senawiratne, Z. J. Zhang, N. Dietz, C. J. Summers, and I. T. Ferguson, Semicond. Sci. Technol. 20, L5-L9 (2005).
9. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Men- niger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature 406, 865 (2000).
10. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
11. F. W. Yan, H. Y. Gao, H. X. Zhang, G. H. Wang, F. H. Yang, J. C. Yan, J. X. Wang, Y. P. Zeng, and J. M. Li, J. Appl. Phys. 101, 023506 (2007).
12. H. Y. Gao, F. W. Yan, H. X. Zhang, J. M. Li, J. X. Wang, and J. C. Yan, J. Appl. Phys. 101, 103533 (2007)
13. J. M. Baik, H. S. Kim, C. G. Park, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 2632-2634 (2003).