Temperature and electrode-size dependences of the resistive switching characteristics of CuOx thin films

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 53, Issue 4 PART 1, 2008, Pages 2283-2286

  Tang, L ^a   Zhou, P ^a   Chen, Y R ^a   Chen, L Y ^a   Lv, H B ^a   Tang, T A ^a   Lin, Y Y ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Cuprous oxides; Resistive switching

Indexed keywords

EID: 55949135805     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.53.2283     Document Type: Article

References (15)

1. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U. I. Chung and J. T. Moon, Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (San Francisco, 2004), p. 587.
2. I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H. J. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C. Park, Y. K. Cha, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U. I. Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu, Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (Washington DC, 2005), p. 750.
3. H. Sim, H. Choi, D. Lee, M. Chang, D. Choi, Y. Son, E. H. Lee, W. Kim, Y. Park, I. K. Yoo and H. Hwang, Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (Washington DC, 2005), p. 758.
4. A. Beck, J. G. Bednorz, C. Gerber, C. Rossel and D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 77, 139 (2000).
5. J. Rodriguez Contreras, H. Kohlstedt, U. Poppe, R. Waser, C. Buchal and N. A. Pertsev, Appl. Phys. Lett. 83, 4595 (2003).
6. S. Q. Liu, N. J. Wu and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).
7. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
8. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, S. Choi, J. H. Oh, C. Rohde, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).
9. K. M. Kim, B. J. Choi, B. W. Koo, S. Choi, D. S. Jeong and C. S. Hwang, Electrochem. Solid-State Lett. 9, G343 (2006).
10. A. Chen, S. Haddad, Y. C. Wu, T. N. Fang, Z. D. Lan, S. Avanzino, S. Pangrle, M. Buynoski, M. Rathor, W. Cai, N. Tripsas, C. Bill, M. VanBuskirk and M. Taguchi, Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (Washington DC, 2005), p. 746.
11. D. S. Lee, H. J. Choi, H. J. Sim, D. H. Choi, H. S. Hwang, M.-J. Lee, S.-A. Seo and I. K. Yoo, IEEE Electron Device Lett. 26, 719 (2005).
12. X. Wu, P. Zhou, J. Li, L.Y.Chen, H. B. Lv, Y. Y. Lin and T. A. Tang, Appl. Phys. Lett. 90, 183507 (2007).
13. R. Dong, D. S. Lee, W. F. Xiang, S. J. Oh, D. J. Seong, S. H. Heo, H. J. Choi, M. J. Kwon, S. N. Seo, M. B. Pyun, M. Hasan and H. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 90, 042107 (2007).
14. H. B. Lv, P. Zhou, Y. Y. Lin and T. A. Tang, Chin. Phys. Lett. 25, 1087 (2008).
15. K. M. Kim, B. J. Choi and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 90, 242906 (2007).