The use of single-source precursors for the solution-liquid-solid growth of metal sulfide semiconductor nanowires

Angewandte Chemie - International Edition

Volumn 47, Issue 17, 2008, Pages 3215-3218

  Sun, Jianwei ^a   Buhro, William E ^a  

^a WASHINGTON UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CADMIUM COMPOUNDS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC WIRE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOSTRUCTURES; NANOWIRES; SEMICONDUCTING CADMIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SYNTHESIS (CHEMICAL);

CDS NANOWIRES; GENERAL APPROACH; HIGH-QUALITY; META L SULFIDES; SEMICONDUCTOR NANOWIRES; SINGLE-SOURCE PRECURSORS; SOLUTION-LIQUID-SOLID GROWTH; SYNTHESIS OF;

SOLID SOLUTIONS;

EID: 51049089089     PISSN: 14337851     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/anie.200705142     Document Type: Article

References (50)

1. F. Wang, A. Dong, J. Sun, R. Tang, H. Yu, W. E. Buhro, Inorg. Chem. 2006, 45, 7511.
2. a) H. Yu, J. Li, R. A. Loomis, P. C. Gibbons, L. W. Wang, W. E. Buhro, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 16168;
3. b) J. W. Grebinski, K. L. Hull, J. Zhang, T. H. Kosel, M. Kuno, Chem. Mater. 2004, 16, 5260;
4. c) M. Kuno, O. Ahmad, V. Protasenko, D. Bacinello, T. H. Kosel, Chem. Mater. 2006, 18, 5722;
5. d) A. Dong, F. Wang, T. L. Daulton, W. E. Buhro, Nano Lett. 2007, 7, 1308;
6. e) L. Ouyang, K. N. Maher, C. L. Yu, J. McCarty, H. Park, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 133;
7. f) D. D. Fanfair, B. A. Korgel, Chem. Mater. 2007, 19, 4943.
8. a) T. J. Trentler, K. M. Hickman, S. C. Goel, A. M. Viano, P. C. Gibbons, W. E. Buhro, Science 1995, 270, 1791;
9. b) T. J. Trentler, S. C. Goel, K. M. Hickman, A. M. Viano, M. Y. Chiang, A. M. Beatty, P. C. Gibbons, W. E. Buhro, J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 2172;
10. c) S. D. Dingman, N. P. Rath, P. D. Markowitz, P. C. Gibbons, W. E. Buhro, Angew. Chem. 2000, 112, 1530;
11. d) H. Yu, W. E. Buhro, Adv. Mater. 2003, 15, 416;
12. e) H. Yu, J. Li, R. A. Loomis, L.-W. Wang, W. E. Buhro, Nat. Mater. 2003, 2, 517;
13. f) D. D. Fanfair, B. A. Korgel, Cryst. Growth Des. 2005, 5, 1971;
14. g) F. Wang, H. Yu, J. Li, Q. Hang, D. Zemlyanov, P. C. Gibbons, L. W. Wang, D. B. Janes, W. E. Buhro, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 14327.
15. K. L. Hull, J. W. Grebinski, T. H. Kosel, M. Kuno, Chem. Mater. 2005, 17, 4416.
16. a) A. H. Cowley, R. A. Jones, Angew. Chem. 1989, 101, 1235;
17. Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1989, 28, 1208;
18. b) P. O'Brien, R. Nomura, J. Mater. Chem. 1995, 5, 1761;
19. c) M. Bochmann, Chem. Vap. Deposition 1996, 2, 85;
20. d) D. A. Neumayer, J. G. Ekerdt, Chem. Mater. 1996, 8, 9;
21. e) A. N. Gleizes, Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 155.
22. a) Y. Li, F. Qian, J. Xiang, C. M. Lieber, Mater. Today 2006, 9, 18;
23. b) C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L. F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B. J. Ohlsson, U. Gosele, L. Samuelson, Mater. Today 2006, 9, 28;
24. c) P. J. Pauzauskie, P. Yang, Mater. Today 2006, 9, 36;
25. d) M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, P. Yang, Nat. Mater. 2005, 4, 455.
26. a) R. D. Schaller, M. Sykora, J. M. Pietryga, V. I. Klimov, Nano Lett. 2006, 6, 424;
27. b) R. J. Ellingson, M. C. Beard, J. C. Johnson, P. Yu, O. I. Micic, A. J. Nozik, A. Shabaev, A. L. Efros, Nano Lett. 2005, 5, 865.
28. V. I. Klimov, J. Phys. Chem. B 2006, 110, 16827.
29. F. W. Wise, Acc. Chem. Res. 2000, 33, 773.
30. a) F. Gao, Q. Lu, X. Liu, Y. Yan, D. Zhao, Nano Lett. 2001, 1, 743;
31. b) R. Thiruvengadathan, O. Regev, Chem. Mater. 2005, 17, 3281.
32. a) M. Fardy, A. I. Hochbaum, J. Goldberger, M. M. Zhang, P. Yang, Adv. Mater. 2007, 19, 3047;
33. b) M. J. Bierman, Y. K. A. Lau, S. Jin, Nano Lett. 2007, 7, 2907;
34. c) J.-P. Ge, J. Wang, H.-X. Zhang, X. Wang, Q. Peng, Y.-D. Li, Chem. Eur. J. 2005, 11, 1889.
35. K.-B. Tang, Y.-T. Qian, J.-H. Zeng, X.-G. Yang, Adv. Mater. 2003, 15, 448.
36. K. T. Yong, Y. Sahoo, K. R. Choudhury, M. T. Swihart, J. R. Minter, P. N. Prasad, Chem. Mater. 2006, 18, 5965.
37. a) I. Patla, S. Acharya, L. Zeiri, J. Israelachvili, S. Efrima, Y. Golan, Nano Lett. 2007, 7, 1459;
38. b) S. Acharya, I. Patla, J. Kost, S. Efrima, Y. Golan, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 9294.
39. N. I. Fainer, M. L. Kosinova, Y. M. Rumyantsev, E. G. Salman, F. A. Kuznetsov, Thin Solid Films 1996, 280, 16.
40. C. J. Barrelet, Y. Wu, D. C. Bell, C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 11498.
41. a) T. Trindade, P. ONBrien, X.-M. Zhang, M. Motevalli, J. Mater. Chem. 1997, 7, 1011;
42. b) S.-M. Lee, Y.-W. Jun, S.-N. Cho, J. Cheon, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 11244.
43. a) P. Yan, Y. Xie, Y. Qian, X. Liu, Chem. Commun. 1999, 1293;
44. b) Y.-W. Jun, S.-M. Lee, N.-J. Kang, J. Cheon, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5150;
45. c) Y. C. Zhang, G. Y. Wang, X. Y. Hu, J. Alloys Compd. 2007, 437, 47.
46. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, H. Dai, Science 1999, 283, 512.
47. ICDD-PDF No. 01-072-4873.
48. ICDD-PDF No. 01-075-1545.
49. S. A. McDonald, G. Konstantatos, S. Zhang, P. W. Cyr, E. J. D. Klem, L. Levina, E. H. Sargent, Nat. Mater. 2005, 4, 138.
50. O. F. Z. Khan, P. ONBrien, Polyhedron 1991, 10, 325.