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Volumn 104, Issue 3, 2008, Pages

Electronic and optical properties of 530 nm strain-compensated hybrid InGaN/InGaN/ZnO quantum well light-emitting diodes

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GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES; OPTICAL MATERIALS; OPTICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTING CADMIUM TELLURIDE; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; ZINC OXIDE;

EID: 49749108612     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2968259     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.