Formation mechanisms of monolayer pits having characteristic step-edge shapes on annealed GaAs (110) surfaces

Thin Solid Films

Volumn 464-465, Issue , 2004, Pages 38-41

  Ishii, Akira ^a   Aisaka, Tsuyoshi ^a   Oh, Ji Won ^b,c   Yoshita, Masahiro ^b,c   Akiyama, Hidefumi ^b,c   Pfeiffer, Loren N ^d   West, Ken W ^d  

^a TOTTORI UNIVERSITY   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^c JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^d LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

(110); Density functional calculations; GaAs; Migration

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL BONDS; ELECTRONIC STRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

ADATOMS; CLEAVED-EDGE OVERGROWTH (CEO); FISH-SHAPED PITS; MIGRATION;

MONOLAYERS;

EID: 4644350112     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.tsf.2004.06.109     Document Type: Article

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