Interpretation of nanoscale conducting paths and their control in nickel oxide (NiO) thin films

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 20, 2008, Pages

  Yoo, I K ^a   Kang, B S ^a   Park, Y D ^a   Lee, M J ^a   Park, Y ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POTENTIAL; NICKEL OXIDE; POISSON EQUATION; SWITCHING;

NANOSCALE CONDUCTING PATHS; POISSON'S DISTRIBUTION; STATISTICAL DISTRIBUTION; SWITCHING VOLTAGE; UNIPOLAR RESISTANCE SWITCHING;

THIN FILMS;

EID: 44349102407     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2936087     Document Type: Article

References (14)

1. M. Janousch, G. I. Meijer, U. Staub, B. Delley, S. F. Karg, and B. P. Andreasson, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 19, 2232 (2007).
2. Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer, A. Beck, and S. J. Wind, Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001).
3. F. Pellizzer, A. Benvenuti, B. Gleixner, Y. Kim, B. Johnson, M. Magistretti, T. Marangon, A. Pirovano, R. Bez, and G. Atwood, Dig. Int. VLSI Symp. 2006, 150.
4. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
5. M.-J. Lee, S. Seo, D.-C. Kim, S.-E. Ahn, D. H. Seo, I.-K. Yoo, I.-G. Baek, D.-S. Kim, I.-S. Byun, S.-H. Kim, I.-R. Hwang, J.-S. Kim, S.-H. Jeon, and B. H. Park, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 19, 73 (2007).
6. K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 89, 103509 (2006).
7. H. Shima, F. Takano, H. Akinaga, Y. Tamai, and I. H. Inoue, Appl. Phys. Lett. 91, 012901 (2007).
8. M.-J. Lee, Y. Park, D.-S. Suh, E.-H. Lee, S. Seo, D.-C. Kim, R. Jung, B.-S. Kang, S.-E. Ahn, C. B. Lee, D. H. Seo, Y.-K. Cha, I.-K. Yoo, J.-S. Kim, and B. H. Park, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 19, 3919 (2007).
9. Y. Sato, K. Kinoshita, M. Aoki, and Y. Sugiyama, Appl. Phys. Lett. 90, 033503 (2007).
10. U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli, A. L. Lacaita, S. Spiga, C. Wiemer, M. Perego, and M. Fanciulli, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2007, 775.
11. K. M. Kim, B. J. Choi, Y. C. Shin, S. Choi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 91, 012907 (2007).
12. K. M. Kim, B. J. Choi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 90, 242906 (2007).
13. J. B. Yun, S. Kim, S. Seo, M. J. Lee, D. C. Kim, S. E. Ahn, Y. Park, J. Kim, and H. Shin, Phys. Status Solidi (RRL) 1, 280 (2007).
14. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-I. Chung, and J. T. Moon, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2004, 587.