Optical characterization of Zn0.96 Be0.04 Se and Zn0.93 Mg0.07 Se mixed crystals

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 1, 2008, Pages

  Hsu, H P ^a   Huang, P J ^a   Huang, C T ^a   Huang, Y S ^a   Firszt, F ^b   Legowski S ^b   Meczynska H ^b   Strzalkowski K ^b   Marasek, A ^b   Tiong, K K ^c  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b NICOLAUS COPERNICUS UNIVERSITY   (Poland)

^c NATIONAL TAIWAN OCEAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; ENERGY GAP; PHOTOLUMINESCENCE; SINGLE CRYSTALS;

DEEP LEVEL DEFECT RELATED BANDS; ELECTROMODULATION SPECTRA;

ZINC OXIDE;

EID: 38149045087     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2826707     Document Type: Article

References (33)

1. A. Waag, F. Fisher, K. Schüll, T. Baron, H. J. Lugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhard, M. Keim, G. Reuscher, and G. Landwehr, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.118422 70, 280 (1997).
2. J. Y. Zhang, D. Z. Shen, X. W. Fan, B. J. Yang, and Z. H. Zhang, J. Cryst. Growth 214-215, 100 (2000). 0022-0248
3. G. Landwehr, F. Fischer, T. Baron, T. Litz, A. Wagg, K. Schüll, H. Lugauer, T. Gerhard, M. Keim, and U. Lunz, Phys. Status Solidi B PSSBBD 0370-1972 10.1002/1521-3951(199708)202:2<645::AID-PSSB645>3.0.CO;2-G 202, 645 (1997).
4. A. Wagg, A T. Litz, F. Fischer, H. J. Lugauer, T. Baron, K. Schüll, U. Zehnder, T. Gerhard, U. Lunz, M. Keim, G. Reuscher, and G. Landwehr, J. Cryst. Growth 184-185, 10 (1998). 0022-0248
5. S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:19960415 32, 552 (1996).
6. E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, and A. Ishibashi, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:19980229 34, 282 (1998).
7. M. Strassburg, O. Schulz, U. W. Pohl, D. Bimberg, S. Itoh, K. Nakano, and A. Ishibashi, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:20000128 36, 44 (2000).
8. S. O. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, R. Krump, and G. Brunthaler, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/0022-0248(94)00495-1 146, 418 (1995).
9. S. O. Ferreira, H. Sitter, R. Krump, W. Faschinger, G. Brunthaler, and J. Sadowski, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/10/4/018 10, 489 (1995).
10. H. Okuyama, K. Nakano, T. Miyajima, and K. Akimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 JAPLD8 0021-4922 10.1143/JJAP.30.L1620 30, L1620 (1991).
11. F. Firszt, S. Łȩgowski, H. Mȩczyńska, H. L. Oczkowski, W. Osińska, J. Szatkowski, W. Paszkowicz, and Z. W. Spolnik, J. Cryst. Growth 167, 139 (1996). 0022-0248
12. M. Wörz, E. Griebl, T. Reisinger, R. Flierl, B. Haserer, T. Semmler, T. Frey, and W. Gebhardt, Phys. Status Solidi B PSSBBD 0370-1972 10.1002/1521-3951(199708)202:2<805::AID-PSSB805>3.0.CO;2-O 202, 805 (1997).
13. F. Firszt, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/8/ 5/017 8, 712 (1993).
14. F. Firszt, S. Łȩgowski, H. Mȩczyńska, J. Szatkowski, W. Paszkowicz, and K. Godwod, J. Cryst. Growth 184-185, 1335 (1998). 0022-0248
15. F. Firszt, S. Łȩgowski, H. Mȩczyńska, J. Szatkowski, A. Banasiak, W. Paszkowicz, U. Falke, S. Schultze, and M. Hietschold, J. Cryst. Growth 214-215, 880 (2000). 0022-0248
16. F. Firszt, S. gowski, H. Mȩczyńska, J. Szatkowski, W. Paszkowicz, and M. Marczak, J. Cryst. Growth 184-185, 1053 (1998). 0022-0248
17. F. Firszt, A. A. Wronkowska, A. Wronkowski, S. Łȩgowski, A. Marasek, H. Mȩczyńska, M. Pawlak, W. Paszkowicz, K. Strzałkowski, and A. J. Zakrzewski, Cryst. Res. Technol. CRTEDF 0232-1300 10.1002/crat.200410355 40, 386 (2005).
18. W. Paszkowicz, K. Godwod, J. Domagała, F. Firszt, J. Szatkowski, H. Mȩczyńska, S. Łȩgowski, and M. Marczak, Solid State Commun. SSCOA4 0038-1098 10.1016/S0038-1098(98)00293-2 107, 735 (1998).
19. H. Tews, G. Neu, and J. De-Sheng, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.24.7321 24, 7321 (1981).
20. F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng., R. 10, xv (1993). 0927-796X
21. D. E. Aspnes, in Handbook of Semiconductors, edited by, M. Balkanski, (Elsevier Science, Amsterdam, 1980), Vol. 2, p. 109.
22. S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, M. Kawasaki, K. Tamura, Y. Segawa, T. Sota, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1471374 80, 2860 (2002).
23. E. Tourní, C. Morhain, G. Neu, J. P. Faurie, R. Triboulet, and J. O. Ndap, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.116078 68, 1356 (1996).
24. Y. D. Kim, S. L. Cooper, M. V. Klein, and B. T. Jonker, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.109373 62, 2387 (1993).
25. H. Lee, I. Y. Kim, J. Powell, D. E. Aspnes, S. Lee, F. Peiris, and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.373750 88, 878 (2000).
26. Y. P. Varshni, Physica (Utrecht) PHYSAG 0031-8914 10.1016/0031-8914(67) 90062-6 34, 149 (1967).
27. I. L. Kuskovsky, Y. Gu, M. van der Voort, C. Tian, B. Kim, I. P. Herman, G. F. Neumark, S. P. Guo, O. Maksimov, and M. C. Tamargo, Phys. Status Solidi B PSSBBD 0370-1972 10.1002/1521-3951(200201)229:1<239::AID-PSSB239>3.0.CO;2- G 229, 239 (2002).
28. S. Logothetidis, M. Cardona, P. Lautenschlager, and M. Garriga, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.34.2458 34, 2458 (1986).
29. L. Malikova, W. Krystek, F. H. Pollak, N. Dai, A. Cavus, and M. C. Tamargo, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.54.1819 54, 1819 (1996).
30. P. J. Huang, Y. S. Huang, F. Firszt, H. Mȩczyńska, and K. K. Tiong, Solid State Commun. 137, 82 (2006). 0038-1098
31. P. J. Huang, Y. S. Huang, F. Firszt, H. Mȩczyńska, and K. K. Tiong, J. Phys.: Condens. Matter 19, 266002 (2007).
32. J. Lee, E. Koteles, and M. O. Vassell, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.33.5512 33, 5512 (1986).
33. P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.35.9174 35, 9174 (1987).