Model calculation for enhancement factor of a gated field emission nanotube

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 11, 2007, Pages

  Lei, D ^b   Zeng, L Y ^b   Wang, W B ^b   Liang, J Q ^a  

^a CHANGCHUN INSTITUTE OF OPTICS   (China)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FIELD EMISSION; GATE DIELECTRICS; MATHEMATICAL MODELS; VOLTAGE CONTROL;

FIELD ENHANCEMENT; GATE VOLTAGE; MODEL CALCULATION;

NANOTUBES;

EID: 37149037104     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2818019     Document Type: Article

References (30)

1. W. I. Milne, K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, D. Pribat, P. Legagneux, G. Pirio, V. T. Binh, and V. Semet, Curr. Appl. Phys. 2, 509 (2002).
2. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, P. Legagneux, G. Pirio, L. Gangloff, D. Pribat, W. H. Bruenger, J. Eichholz, H. Hanssen, D. Friedrich, S. B. Lee, D. G. Hasko, and H. Ahmed, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 116 (2002).
3. W. Zhua, C. Bower, O. Zhou, G. Kochanski, and S. Jin, Appl. Phys. Lett. 75, 873 (1999).
4. G. Pirio, P. Legagneux, D. Pribat, K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, and W. I. Milne, Nanotechnology 13, 1 (2002).
5. P. N. Minh, L. T. T. Tuyen, T. Ono, H. Miyashita, Y. Suzuki, H. Mimura, and M. Esashi, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1705 (2003).
6. J. H. Choi, S. H. Choi, J. H. Han, J. B. Yoo, C. Y. Park, T. Jung, S. G. Yu, I. T. Han, and J. M. Kin, J. Appl. Phys. 94, 487 (2003).
7. W. A. D. Heer, A. Châtelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
8. P. G. Collins and A. Zettl, Phys. Rev. B 55, 9391 (1997).
9. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. Amaratunga, W. I. Milne, G. Pirio, P. Legagneux, D. Pribat, and D. G. Hasko, Appl. Phys. Lett. 80, 2011 (2002).
10. G. C. Kokkorakis, A. Modinos, and J. P. Xanthakis, J. Appl. Phys. 91, 4580 (2002).
11. G. C. Kokkorakis, J. A. Roumeliotis, and J. P. Xanthakis, J. Appl. Phys. 95, 1468 (2004).
12. X. Zheng, G. H. Chen, Z. Li, S. Deng, and N. Xu, Phys. Rev. Lett. 92, 106803 (2004).
13. A. Buldum and J. P. Lu, Phys. Rev. Lett. 91, 236801 (2003).
14. L. Nilssion, O. Groening, C. Emmenegger, O. Kuettel, E. Schaller, L. Schlapbach, H. Kind, J. M. Bonard, and K. Kem, Appl. Phys. Lett. 76, 2071 (2000).
15. X. Q. Wang, M. Wang, P. M. He, Y. B. Xu, and Z. H. Li, J. Appl. Phys. 96, 6752 (2004).
16. Z. B. Zhu, W. L. Wang, and K. J. Liao, Proc. SPIE 4918, 145 (2002).
17. X. Q. Wang, Y. B. Xu, H. L. Ge, and M. Wang, Diamond Relat. Mater. 15, 1565 (2006).
18. X. Q. Wang, M. Wang, Z. H. Li, Y. B. Xu, and P. M. He, Ultramicroscopy 102, 181 (2005).
19. M. Wang, Z. H. Li, X. F. Shang, X. Q. Wang, and Y. B. Xu, J. Appl. Phys. 98, 014315 (2005).
20. Y. Saito, K. Hamaguchi, R. Mizushima, S. Uemura, T. Nagasako, J. Yotani, and T. Shimojo, Appl. Surf. Sci. 146, 305 (1999).
21. Y. Saito, Ultramicroscopy 73, 1 (1998).
22. Y. Chen, D. T. Shaw, and L. Guo, Appl. Phys. Lett. 76, 2469 (2000).
23. L. Nilssion, O. Gröning, P. Gröning, O. Kuttel, and L. Schlapbach, Thin Solid Films 383, 78 (2001).
24. N. Shi and D. F. Pi, Proc. SPIE 4600, 196 (2001).
25. S. H. Lim, H. S. Yoon, J. H. Moon, K. C. Park, and J. Jang, Appl. Phys. Lett. 87, 243106 (2005).
26. J. C. Shi, S. Z. Deng, N. S. Xu, R. H. Yao, and J. Chen, Appl. Phys. Lett. 88, 013112 (2006).
27. Y. M. Wong, W. P. Kang, J. L. Davidson, B. K. Choi, W. Hofmeister, and J. H. Huang, Diamond Relat. Mater. 14, 2069 (2005).
28. D. Nicolaescu, M. Nagao, V. Filip, S. Kanemara, and J. Itoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 3854 (2005).
29. D. Nicolaescu, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 531 (1995).
30. G. J. Zhao, B. J. Ling, and S. X. Xue, Electric Optics (National Defence Industry, ChengDu, 1985), p. 262.