Open-tube solid-state diffusion of Zn into n-type GaAs0.35P0.65 from ZnO oxide films and electroluminescence

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 3, 1998, Pages 1327-1332

  Park, Choon Bae ^a   Kim, Keunjoo ^b  

^a Wonkwang University   (South Korea)

^b OPTEL Semiconductor Corporation   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 3643091619     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366833     Document Type: Article

References (30)

1. B. Jalali, R. N. Nottenburg, Y. K. Chen, A. F. J. Levi, D. Sivco, A. Y. Cho, and D. A. Humphrey, Appl. Phys. Lett. 54, 2333 (1989).
2. P. J. Tophan, J. G. Parton, M. J. Golder, B. H. Mollis, N. A. Hiams, R. C. Goodfellow, and M. P. Cook, Electron. Lett. 25, 432 (1989).
3. S. J. Taylor, B. Beaumounf, and J. C. Guillaume, Semicond. Sci. Technol. 8, 643 (1993).
4. R. Bhat, M. A. Koza, J. I. Song, S. A. Schwarz, C. Careau, and W. P. Hong, Appl. Phys. Lett. 65, 338 (1994).
5. C. Y. Chen, R. M. Cohen, D. S. Simons, and P. H. Chi, Appl. Phys. Lett. 67, 1402 (1995).
6. W. S. Hobson, S. J. Pearton, and A. S. Jordan, Appl. Phys. Lett. 56, 1251 (1990).
7. S. K. Ghandhi and R. J. Field. Appl. Phys. Lett. 38, 267 (1981).
8. R. J. Field and S. K. Ghandhi, J. Eleetrochem. Soc. 129, 1567 (1982).
9. O. J. Lawrence, F. T. Smith, and S. T. Lee, J. Appl. Phys. 69, 3011 (1991).
10. M. Ogihara, M. Taninaka, and Y. Nakamura, J. Appl. Phys. 79, 2995 (1996).
11. M. Ogihara, T. Shimizu, M. Taninaka, Y. Nakamura, and I. Abiko, IElCE Trans. Electron. E80-C, 489 (1997).
12. S. Okamura, H. Nishi, T. Inada, and H. Hashimoto, Appl. Phys. Lett. 40, 689 (1982).
13. U. Gösele and F. Morehead, J. Appl. Phys. 52, 4617 (1981).
14. K. Kurishima, T. Kobayashi, and U. Gösele. Appl. Phys. Lett. 60, 2496 (1992).
15. R. M. Cohen, J. Appl. Phys. 67, 7268 (1990).
16. F. C. Frank and D. Turnbull, Phys. Rev. 104, 617 (1956).
17. C. H. Ting and G. L. Pearson, J. Eleetrochem. Soc. 118, 454 (1971).
18. R. L. Longini. Solid-State Electron. 5, 127 (1962).
19. H. R. Winteler, Helv. Phys. Acta 44, 451 (1971).
20. S. Yu, T. Y. Tan, U. Gösele, J. Appl. Phys. 69, 3547 (1991).
21. G. Rajeswaran, K. B. Kahen, and D. J. Lawrence, J. Appl. Phys. 69, 1359 (1991).
22. U. Köning and E. Sasse, J. Electrochem. Soc. 130, 950 (1983).
23. M. Katayama, Y. Inoue, A. Usami, and T. Wada. J. Appl. Phys. 69, 3541 (1991).
24. J. C. Bourgoin, H. J. Bardeleben, and D. Stievenard, J. Appl. Phys. 64, R65 (1988).
25. M. Katayama, Y. Tokuda, N. Ando, A. Kitagawa, A. Usami, Y. Inoue, and T. Wada, in Rapid Thermal Annealing/Chemical Vapor Deposition and Integrated Processing, edited by D. Hodul, J. C. Gelpey, M. L. Green, and T. E. Seidel, Symposium Proceeding No. 146 (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1989), p. 431.
26. T. E. Haynes, W. K. Chu, and S. T. Picraux, Appl. Phys. Lett. 50, 1071 (1987).
27. P. M. Campbell, O. Aina, and B. J. Baliga, Appl. Phys. Lett. 45, 95 (1984).
28. T. Haga, N. Tachino, Y. Abe, J. Kasahara, A. Okubora, and H. Hasegawa, J. Appl. Phys. 66, 5809 (1989).
29. P. M. Fahey, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
30. M. P. Chase, M. D. Deal, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 81, 1670 (1997).