Ionized impurity scattering in n -doped C60 thin films

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 9, 2007, Pages

  Harada, Kentaro ^a   Li, Fenghong ^a,b   Maennig, Bert ^a,c   Pfeiffer, Martin ^a,c   Leo, Karl ^a  

^a DRESDEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^c HELIATEK GMBH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER TRANSPORT; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON MOBILITY; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

INORGANIC CRYSTALS; INORGANIC SEMICONDUCTORS; ORGANIC THIN FILMS;

THIN FILMS;

EID: 34548445488     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2776355     Document Type: Article

References (28)

1. W. Warta and N. Karl, Phys. Rev. B 32, 1172 (1985).
2. O. D. Jurchescu, J. Baas, and T. T. M. Palstra, Appl. Phys. Lett. 84, 3061 (2004).
3. V. Podzorov, E. Menard, A. Borissov, V. Kiryukhin, J. A. Rogers, and M. E. Gershenson, Phys. Rev. Lett. 93, 086602 (2004).
4. H. Bässler, Phys. Status Solidi B 175, 15 (1993).
5. M. C. J. M. Vissenberg and M. Matters, Phys. Rev. B 57, 12 964 (1998).
6. Y. Roichman, Y. Preezent, and N. Tessler, Phys. Status Solidi A 201, 1216 (2004).
7. W. F. Pasveer, J. Cottaar, C. Tanase, R. Coehoorn, P. A. Bobbert, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, and M. A. J. Michels, Phys. Rev. Lett. 94, 206601 (2005).
8. S. F. Nelson, Y.-Y. Lin, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 72, 1854 (1998).
9. A. R. Völkel, R. A. Street, and D. Knipp, Phys. Rev. B 66, 195336 (2002).
10. G. Horowitz, M. E. Hailaoui, and R. Hailaoui, J. Appl. Phys. 87, 4456 (2000).
11. O. Ostroverkhova, D. G. Cooke, S. Shcherbyna, R. F. Egerton, and F. A. Hegmann, Phys. Rev. B 71, 035204 (2005).
12. R. C. Haddon, A. F. Hebard, M. J. Rosseinsky, D. W. Murphy, S. J. Duclos, K. B. Lyons, B. Miller, J. M. Rosamilia, R. M. Fleming, A. R. Kortan, S. H. Glarum, A. V. Makhija, A. J. Muller, R. H. Wick, S. M. Zahurak, R. Tycko, G. Dabbagh, and F. A. Thiel, Nature (London) 350, 320 (1991).
13. A. F. Hebard, M. J. Rosseinsky, R. C. Haddon, D. W. Murphy, S. H. Glarum, T. T. M. Palstra, A. P. Ramirez, and A. R. Kortan, Nature (London) 350, 600 (1991).
14. K. Walzer, B. Maennig, M. Pfeiffer, and K. Leo, Chem. Rev. (Washington, D.C.) 107, 1233 (2007).
15. G. He, M. Pfeiffer, K. Leo, M. Hofmann, J. Birnstock, R. Pudzich, and J. Salbeck, Appl. Phys. Lett. 85, 3911 (2004).
16. B. Maennig, M. Pfeiffer, A. Nollau, X. Zhou, and K. Leo, Phys. Rev. B 64, 195208 (2001).
17. R. Schmechel, Phys. Rev. B 66, 235206 (2002).
18. V. I. Arkhipov, P. Heremans, E. V. Emelianova, and H. Bässler, Phys. Rev. B 71, 045214 (2005).
19. F. Li, A. Werner, M. Pfeiffer, K. Leo, and X. Liu, J. Phys. Chem. B 178, 17076 (2004).
20. F. Li, M. Pfeiffer, A. Werner, K. Harada, K. Leo, N. Hayashi, K. Seki, X. Liu, and X.-D. Dang, J. Appl. Phys. 100, 023716 (2006).
21. A. Dodabalapur, H. E. Katz, L. Torsi, and R. C. Haddon, Science 269, 1560 (1995).
22. T. B. Singh, N. Marjanović, G. J. Matt, S. Günes, N. S. Sariciftci, A. Montaigne Ramil, A. Andreev, H. Sitter, R. Schwödiauer, and S. Bauer, Org. Electron. 6, 105 (2005).
23. T. D. Anthopoulos, B. Singh, N. Marjanovic, N. S. Sariciftci, A. Montaigne Ramil, H. Sitter, M. Cölle, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 89, 213504 (2006).
24. K. Itaka, M. Yamashita, J. Yamaguchi, M. Haemori, S. Yaginuma, Y. Matsumoto, M. Kondo, and H. Koinuma, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 1713 (2006).
25. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), Chap., p. 438.
26. N. W. Ashcroft and N. D. Mermin, Solid State Physics (Saunders College, Orlando, 1976), Chap., p. 323.
27. J. W. Orton and M. J. Powell, Rep. Prog. Phys. 43, 1263 (1980).
28. R. A. Street, J. E. Northrup, and A. Salleo, Phys. Rev. B 71, 165202 (2005).