Monodisperse ZnO Nanodots: Synthesis, charaterization, and optoelectronic properties

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 27, 2007, Pages 9757-9760

  Yong, Hu ^a   Zhimin, Jiang ^a   Chengdong, Xu ^a   Ting, Mei ^a   Jun, Guo ^b   Tim, White ^b  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENERGY GAP; INDIUM COMPOUNDS; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOLUMINESCENCE; SYNTHESIS (CHEMICAL); ZINC OXIDE;

BAND ALIGNMENT; OPTOELECTRONIC PROPERTIES;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 34547363143     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp0726384     Document Type: Article

References (27)

1. Yin, Y. D.; Alivisatos. A. P. Nature 2005, 437, 664.
2. Alivisatos. A. P. J. Phys. Chem. 1996, 100, 13226.
3. Bruchez, M.; Moronne, M.; Gin, P.; Weiss, S.; Alivisatos, A. P. Science 1998, 281, 2013.
4. Michalet, X.; Pinaud, F. F.; Bentolila, L. A.; Tsay, J. M.; Doose, S.; Li. J. J.; Sundaresan, G.; Wu, A. M.; Gambhir, S. S.; Weiss, S. Science 2005, 307, 538.
5. Alivisatos, A. P.; Gu, W.; Larabell, G Annu. Rev. Biomed. Eng. 2005, 7, 55.
6. Sun, S. H.; Murray, C. B.; Weller, D.; Folks, L.; Moser, A. Science 2000, 287, 1989.
7. Jin, R.; Cao, Y.; Mirkin, C. A.; Kelly. K. L.; Schatz, G. C.; Zheng, J. G. Science 2001, 294, 1901.
8. Sun, Y.; Xia, Y. Science 2002, 298, 2176.
9. Viswanatha, R.; Sarma, D. D. Chem.-Eur. J. 2006, 12, 180.
10. Thin Film Solar Cells; Chopra, K. L., Das, S. R., Eds.; Plenum: New York, 1983.
11. Hingorani, S.; Pillai, V.; Kumar, P.; Multani, M. S.; Shah, D. O. Mater. Res. Bull. 1993, 28, 1303.
12. Radovanovic, P. V.; Norberg, N. S.; McNally, K. E.; Gamelin, D. R. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 15192.
13. Viswanatha, R.; Sapra, S.; Sen Gupta. S.; Satpati, B.; Satyam, P. V.; Dev, B. N.; Sarma, D. D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 6303.
14. Joo, J.; Kwon, S. G.; Yu, J. H.; Hyeon, T. Adv. Mater. 2005, 17, 1873.
15. Andelman, T.; Gong, Y. Y.; Polking, M.; Yin, M.; Kuskovsky, I.; Neumark, G.; O'Brien, S. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 14314.
16. Cozzoli, P. D.; Curri, M. L.; Agostiano, A.; Leo, G.; Lomascolo, M. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 4756.
17. Chen, Y. F.; Kim, M.; Lian, G. D.; Johnson, M. B.; Peng, X. G. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13331.
18. Choi, S. H.; Kim, E. G.; Park, J. N.; An, K. J.; Lee, N.; Kim, S. C.; Hyeon, T. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 14792.
19. Ostwald, W. Z. Phys. Chem. 1901, 37, 385.
20. Liu, D. P.; Li, G. D.; Su, Y.; Chen, J. S. Angew. Chem., Int. Ed. 2006, 45, 7370.
21. Wang, X.; Zhuang, J.; Peng, Q.; Li, Y. D. Nature 2005, 437, 121.
22. Wang, L. J.; Giles, N. C. J. Appl. Phys. 2003, 94, 973.
23. Lin, K. F.; Cheng, H. M.; Hsu, H. C.; Lin, L. J.; Hsieh, W. F. Chem. Phys. Lett. 2005, 409, 208.
24. Zeghbroeck, B. V. Princ Semicond. Devices; 2004.
25. Chanana, R. K.; Donald, K. M.; Ventra, M. D.; Pantelides, S. T.; Feldman, L. C.; Chung, G. Y.; Tin. C. C.; Williams, J. R.; Weiler, R. A. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2560.
26. Sze, S. M. Phys. Semicond. Devices 1981.
27. Fan, Z.; Lu, J. G. J. Nanosci. Nanotechnol. 2005, 5, 1561.