Fatigue as a local phase decomposition: A switching-induced charge-injection model

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 75, Issue 22, 2007, Pages

  Lou, X J ^a   Zhang, M ^a   Redfern, S A T ^a   Scott, J F ^a  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 34347329115     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.75.224104     Document Type: Article

References (61)

1. J. F. Scott, Ferroelectric Memories (Springer, New York, 2000).
2. C. A. P. de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) NATUAS 0028-0836 10.1038/374627a0 374, 627 (1995).
3. J. F. Scott, Integr. Ferroelectr. IFEREU 1058-4587 38, 769 (2001).
4. M. Dawber and J. F. Scott, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.125938 76, 1060 (2000);
5. M. Dawber and J. F. Scott, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.126739 76, 3655 (2000).
6. J. F. Scott and M. Dawber, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.126786 76, 3801 (2000).
7. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, G. E. Pike, R. W. Schwartz, P. J. Clews, and D. C. McIntyre, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.359083 77, 6695 (1995).
8. P. K. Larsen, G. J. M. Dormans, D. J. Taylor, and P. J. Vanveldhoven, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.357589 76, 2405 (1994).
9. J. J. Lee, C. L. Thio, and S. B. Desu, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.359737 78, 5073 (1995).
10. A. M. Bratkovsky and A. P. Levanyuk, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.132103 63, 132103 (2001).
11. A. M. Bratkovsky and A. P. Levanyuk, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.84.3177 84, 3177 (2000).
12. E. L. Colla, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.121386 72, 2478 (1998).
13. A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, E. L. Colla, and N. Setter, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1381542 90, 1387 (2001).
14. Q. Y. Jiang, W. W. Cao, and L. E. Cross, J. Am. Ceram. Soc. JACTAW 0002-7820 10.1111/j.1151-2916.1994.tb06979.x 77, 211 (1994).
15. X. J. Lou, M. Zhang, S. A. T. Redfern, and J. F. Scott, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.97.177601 97, 177601 (2006).
16. V. V. Lemanov and V. K. Yarmarkin, Ferroelectrics FEROA8 0015-0193 201, 55 (1997).
17. K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, and R. Waser, Nat. Mater. NMAACR 1476-1122 10.1038/nmat1614 5, 312 (2006).
18. B. M. Melnick, J. F. Scott, C. A. P. Dearaujo, and L. D. McMillan, Ferroelectrics FEROA8 0015-0193 135, 163 (1992).
19. T. Mihara, H. Watanabe, and C. A. P. de Araujo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.33.3996 33, 3996 (1994).
20. J. Li, B. Nagaraj, H. Liang, W. Cao, C. H. Lee, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1644917 84, 1174 (2004).
21. R. J. Harrison, S. A. T. Redfern, and E. K. H. Salje, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.69.144101 69, 144101 (2004).
22. C. B. Parker, J. P. Maria, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1490148 81, 340 (2002).
23. J. F. Scott, D. Galt, J. C. Price, J. A. Beall, R. H. Ono, C. A. P. Dearaujo, and L. D. McMillan, Integr. Ferroelectr. IFEREU 1058-4587 6, 189 (1995).
24. J. F. Scott, B. M. Melnick, L. D. McMillan, and C. P. de Araujo, Integr. Ferroelectr. IFEREU 1058-4587 3, 225 (1993).
25. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley-Interscience, New York, 1981).
26. T. Mihara, H. Watanabe, and C. A. P. de Araujo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.33.5281 33, 5281 (1994).
27. M. H. Lente and J. A. Eiras, J. Phys.: Condens. Matter JCOMEL 0953-8984 10.1088/0953-8984/12/27/312 12, 5939 (2000).
28. S. Y. Chen and I. W. Chen, J. Am. Ceram. Soc. JACTAW 0002-7820 10.1111/j.1151-2916.1994.tb04603.x 77, 2337 (1994).
29. R. N. Castellano and L. G. Feinstein, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.326430 50, 4406 (1979).
30. H. Tabata, T. Kawai, S. Kawai, O. Murata, J. Fujioka, and S. Minakata, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.106038 59, 2354 (1991).
31. K. Takemura, M. Ozgul, V. Bornand, S. Trolier-McKinstry, and C. A. Randall, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1314325 88, 7272 (2000).
32. B. T. Lee and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.126897 77, 124 (2000).
33. H. M. Duiker, P. D. Beale, J. F. Scott, C. A. P. de Araujo, B. M. Melnick, J. D. Cuchiaro, and L. D. McMillan, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.346948 68, 5783 (1990).
34. H. Z. Jin and J. Zhu, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1506193 92, 4594 (2002).
35. E. L. Colla, S. B. Hong, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, N. Setter, and K. No, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.121083 72, 2763 (1998).
36. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.117957 69, 3191 (1996).
37. C. Verdier, F. D. Morrison, D. C. Lupascu, and J. F. Scott, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1829790 97, 024107 (2005).
38. A. Morimoto, Y. Yamanaka, and T. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.34.4108 34, 4108 (1995).
39. K. Amanuma, T. Hase, and Y. Miyasaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.33.5211 33, 5211 (1994).
40. M. Grossmann, D. Bolten, O. Lohse, U. Boettger, R. Waser, and S. Tiedke, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1290154 77, 1894 (2000).
41. B. G. Chae, C. H. Park, Y. S. Yang, and M. S. Jang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.124941 75, 2135 (1999).
42. P. J. Schorn, D. Brauhaus, U. Bottger, R. Waser, G. Beitel, N. Nagel, and R. Bruchhaus, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2200470 99, 114104 (2006).
43. M. Ozgul, K. Takemura, S. Trolier-McKinstry, and C. A. Randall, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1335819 89, 5100 (2001).
44. D. Wang, Y. Fotinich, and G. P. Carman, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.367362 83, 5342 (1998).
45. E. Paton, M. Brazier, S. Mansour, and A. Bement, Integr. Ferroelectr. IFEREU 1058-4587 18, 29 (1997).
46. G. L. Yuan, J. M. Liu, Y. P. Wang, D. Wu, S. T. Zhang, Q. Y. Shao, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1734685 84, 3352 (2004).
47. J. F. Scott, C. A. Araujo, B. M. Melnick, L. D. McMillan, and R. Zuleeg, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.350286 70, 382 (1991).
48. M. J. Pan, S. E. Park, C. W. Park, K. A. Markowski, S. Yoshikawa, and C. A. Randall, J. Am. Ceram. Soc. JACTAW 0002-7820 10.1111/j.1151-2916.1996. tb08736.x 79, 2971 (1996).
49. W. L. Warren, B. A. Tuttle, and D. Dimos, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.114515 67, 1426 (1995).
50. H. N. AlShareef, D. Dimos, T. J. Boyle, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.116593 68, 690 (1996).
51. H. N. AlShareef, D. Dimos, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Integr. Ferroelectr. IFEREU 1058-4587 15, 53 (1997).
52. D. Dimos, H. N. AlShareef, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.362968 80, 1682 (1996).
53. D. Dimos, W. L. Warren, M. B. Sinclair, B. A. Tuttle, and R. W. Schwartz, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.357316 76, 4305 (1994).
54. W. L. Warren, D. Dimos, H. N. AlShareef, M. V. Raymond, B. A. Tuttle, and G. E. Pike, J. Am. Ceram. Soc. JACTAW 0002-7820 10.1111/j.1151-2916.1996. tb08792.x 79, 1714 (1996).
55. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, R. D. Nasby, and G. E. Pike, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.112211 65, 1018 (1994).
56. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, G. E. Pike, and H. N. AlShareef, Integr. Ferroelectr. IFEREU 1058-4587 16, 77 (1997).
57. M. Ozgul, S. Trolier-McKinstry, and C. A. Randall, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1687046 95, 4296 (2004).
58. J. F. Scott and B. Pouligny, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.341831 64, 1547 (1988).
59. C. Verdier, D. C. Lupascu, and J. Rodel, J. Eur. Ceram. Soc. JECSER 0955-2219 10.1016/S0955-2219(02)00351-5 23, 1409 (2003).
60. Q. Y. Jiang and L. E. Cross, J. Mater. Sci. JMTSAS 0022-2461 10.1007/BF01154968 28, 4536 (1993).
61. Q. Y. Jiang, E. C. Subbarao, and L. E. Cross, Acta Metall. Mater. AMATEB 0956-7151 10.1016/0956-7151(94)90434-0 42, 3687 (1994).