(111)-textured Mn-substituted BiFe O3 thin films on SrRu O3 PtTiSi O2 Si structures

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 24, 2007, Pages

  Singh, S K ^a   Menou, N ^a   Funakubo, H ^a   Maruyama, K ^a,b   Ishiwara, H ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISMUTH COMPOUNDS; CRYSTAL ORIENTATION; POLARIZATION; SUBSTITUTION REACTIONS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

COERCIVE FIELDS; HIGH-RESOLUTION X-RAY DIFFRACTION; PEROVSKITE STRUCTURES;

THIN FILMS;

EID: 34250688781     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2748323     Document Type: Article

References (20)

1. F. Kubel and H. Schmid, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci. 46, 698 (1990).
2. T. Zhao, A. Scholl, F. Zavaliche, K. Lee, M. Barry, A. Doran, M. P. Cruz, Y. H. Chu, C. Ederer, N. A. Spaldin, R. R. Das, D. M. Kim, S. H. Baek, C. B. Eom, and R. Ramesh, Nat. Mater. 5, 823 (2006).
3. J. R. Teague, R. Gerson, and W. J. James, Solid State Commun. 8, 1073 (1970).
4. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003).
5. K. Y. Yun, D. Ricinschi, T. Kanashima, M. Noda, and M. Okuyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L647 (2004).
6. S. K. Singh and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L734 (2005).
7. S. K. Singh, Y. K. Kim, H. Funakubo, and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 88, 162904 (2006).
8. J. Li, J. Wang, M. Wuttig, R. Ramesh, N. Wang, B. Ruette, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 84, 5261 (2004).
9. S. K. Singh and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 3194 (2006).
10. S. K. Singh, K. Maruyama, and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 88, 262908 (2006).
11. G. Xu, H. Hiraka, G. Shirane, J. Li, J. Wang, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 86, 182905 (2005).
12. X. Qi, M. Wei, Y. Lin, Q. Jia, D. Zhi, J. Djo, M. G. Blamire, and J. L. M. Driscoll, Appl. Phys. Lett. 86, 071913 (2005).
13. S. K. Singh, K. Sato, K. Maruyama, and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, L1087 (2006).
14. S. Y. Yang, F. Zavaliche, L. M. Ardabili, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, Y. J. Lee, Y. H. Chu, M. P. Cruz, Q. Zhan, T. Zhao, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 87, 102903 (2005).
15. D. H. Wang, L. Yan, C. K. Ong, and Y. W. Du, Appl. Phys. Lett. 8, 182905 (2006).
16. Y. H. Lee, C. S. Liang, and J. M. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 8, F55 (2005).
17. H. Kuwabara, A. Sumi, S. Okamoto, S. Yokoyama, and H. Funakubo, Integr. Ferroelectr. 75, 395 (2005).
18. N. Menou, H. Kuwabara, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 46, 2139 (2007).
19. I. Sosnowska, W. Schafer, W. Kockelmann, K. H. Andersen, and I. O. Troyanchuk, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74, S1040 (2002).
20. S. K. Singh, K. Sato, K. Maruyama, and H. Ishiwara (unpublished).