Strain and channel engineering for fully depleted SOI MOSFETs towards the 32 nm technology node

Microelectronic Engineering

Volumn 84, Issue 9-10, 2007, Pages 2047-2053

  Andrieu, F ^a   Weber, O ^b   Ernst, T ^a   Faynot, O ^a   Deleonibus, S ^a  

^a CEA LETI   (France)

^b UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

Contact Etch Stop Layers; Germanium; Mobility boosters; MOS; Short channel transport; Silicon Germanium; SOI; Strain

Indexed keywords

ELECTRONS; SCALABILITY; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY; TENSILE STRAIN; VELOCITY CONTROL;

CONTACT ETCH STOP LAYERS; MOBILITY BOOSTERS; SHORT CHANNEL TRANSPORT; SILICON GERMANIUM;

MOSFET DEVICES;

EID: 34248650973     PISSN: 01679317     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.mee.2007.04.132     Document Type: Article

References (21)

1. C. Le Cam, F. Guyader, C. Buttet, P. Guyader, G. Ribes, M. Sardo, S. Vanbergue, F. Buj, F. Arnaud, E. Josse, M. Haond, Symp. VLSI Tech. 2006, 82.
2. C. Ortholland, P. Morin, C. Chaton, E. Mastromatteo, C. Populaire, S. Orain, F. Leverd, P. Stolk, F. Boeuf, F. Arnaud, Symp. VLSI Tech. 2006, 78.
3. S. Thompson, N. Anand, M. Armstrong, C. Auth, B. Arcot, M. Alavi, P. Bai, J. Bielefeld, R. Bigwood, J. Brandenburg, M. Buehler, S. Cea, V. Chikarmane, C. Choi, R. Frankovic, T. Ghani, G. Glass, W. Han, T. Hoffmann, M. Hussein, P. Jacob, A. Jain, C. Jan, S. Joshi, C. Kenyon, J. Klaus, S. Klopcic, J. Luce, Z. Ma, B. McIntyre, K. Mistry, A. Murthy, P. Nguyen, H. Pearson, T. Sandford, R. Schweinfurth, R. Shaheed, S. Sivakumar, M. Taylor, B. Tufts, C. Wallace, P. Wang, C. Weber, M. Bohr, IEEE IEDM Tech. Dig. 2002, 61.
4. F. Andrieu C. Dupré, F. Rochette, F. Rochette, O. Faynot, L. Tosti, C. Buj, E. Rouchouze, M. Cassé, B. Ghyselen, I. Cayrefourcq, L. Brévard, F. Allain, J. C. Barbé, J. Cluzel, A. Vandooren, S. Denorme, T. Ernst, C. Fenouillet-Béranger, C. Jahan, D. Lafond, H. Dansas, B. Previtali, J. P. Colonna, H. Grampeix, P. Gaud, C. Mazuré, S. Deleonibus, Symp. VLSI Tech. 2006, 134.
5. A. Thean, D. Zhang, V. Vartanian, V. Adams, J. Conner, M. Canonico, H. Desjardin, P. Grudowski, B. Gu, Z. H. Shi, S. Murphy, G. Spencer, S. Filipiak, D. Goedeke, X. D. Wang, B. Goolsby, V. Dhandapani, L. Prabhu, S. Backer, L. B. La, D. Burnett, B. White, Symp. VLSI 2006, 130.
6. H. Yin, Z. Ren, H. Chen, J. Holt, X. Liu, J. Sleight, K. Rim, V. Chan, D. Fried, Y. Kim, J. Chu, B. Greene, S. Bedell, G. Pfeiffer, R. Bendernagel, D. Sadana, T. Kanarsky, C. Sung, M. Ieong, G. Shahidi, Symp. VLSI 2006, 76.
7. F. Andrieu, O. Faynot, F. Rochette, J.-C. Barbé, C. Buj, Y. Bogumilowicz, F. Allain, V. Delaye, D. Lafond, F. Aussenac, S. Feruglio, J. Eymery, T. Akatsu, P. Maury, L. Brévard, L. Tosti, H. Dansas, E. Rouchouze, J.-M. Hartmann, L. Vandroux, M. Cassé, F. Boeuf, C. Fenouillet-Béranger, F. Brunier, I. Cayrefourcq, C. Mazuré, G. Ghibaudo, S. Deleonibus, to be presented at Symp. VLSI Tech. 2007.
8. Fischetti M.V., Gamiz F., and Hansch W. J. Appl. Phys. 92 (2002) 7320
9. O. Bonno, S. Barraud, F. Andrieu, D. Mariolle, F. Rochette, M. Cassé, J. M. Hartmann, F. Bertin, and O. Faynot, to be presented at Symp. VLSI Tech. 2007.
10. F. Andrieu, T. Ernst, O. Faynot, Y. Bogumilowicz, J.-M. Hartmann, J. Eymery, D. Lafond, Y.-M. Levaillant, C. Dupré, R. Powers, F. Fournel, C. Fenouillet-Beranger, A. Vandooren, B. Ghyselen, C. Mazure, N. Kernevez, G. Ghibaudo, S. Deleonibus, Proc. IEEE Intern. SOI Conf. 2005, 223.
11. O. Weber, Y. Bogumilowicz, T. Ernst, J.-M. Hartmann, F. Ducroquet, F. Andrieu, C. Dupré, L. Clavelier, C. Le Royer, N. Cherkashin, M. Hytch, H. Dansas, A.-M. Papon, V. Carron, C. Tabone, S. Deleonibus, IEEE IEDM Tech. Dig. 2005, 143.
12. P. Zimmerman, G. Nicholas, B. De Jaeger, B. Kaczer, A. Stesmans, L.-A. Ragnarsson, D. P. Brunco, F. E. Leys, M. Caymax, G. Winderickx, K. Opsomer, M. Meuris, M. M. Heyns, IEDM Tech. Dig. 2006, 655.
13. F. Andrieu, T. Ernst, F. Lime, F. Rochette, K. Romanjek, S. Barraud, C. Ravit, F. Boeuf, M. Jurczak, M. Casse, O. Weber, L. Brévard, G. Reimbold, G. Ghibaudo, S. Deleonibus, Symp. VLSI Tech. 2005, 176.
14. A. Khakifirooz and D. A. Antoniadis, IEEE IEDM Tech. Dig. 2006, 667.
15. Romanjek K., Andrieu F., Ernst T., and Ghibaudo G. IEEE Electron. Dev. Lett. 25 (2004) 583
16. A. Cros, K. Romanjek, D. Fleury, S. Harrison, R. Cerutti, P. Coronel, B. Dumont, A. Pouydebasque, R. Wacquez, B. Duriez, R. Gwoziecki, F. Boeuf, H. Brut, G. Ghibaudo, T. Skotnicki, IEEE IEDM Tech. Dig. 2006, 663.
17. Lundstrom M. IEEE Electron Dev. Lett. 22 (2001) 293
18. V. Barral, T. Poiroux, F. Rochette, M. Vinet, S. Barraud, O. Faynot, L. Tosti, F. Andrieu, M. Cassé, B. Prévitali, R. Ritzenthaler, P. Grosgeorges, E. Bernard, G. LeCarval, D. Munteanu, J. L. Autran, S. Deleonibus, to be presented at VLSI Tech. 2007.
19. K. Rim, K. Chan, L. Shi, D. Boyd, J. Ott, N. Klymko, F. Cardone, L. Tai, S. Koester, M. Cobb, D. Canaperi, B. To, E. Duch, I. Babich, R. Carruthers, P. Saunders, G. Walker, Y. Zhang, M. Steen, M. Ieong, IEEE IEDM Tech. Dig. 2003, 47.
20. Currie M.T., Leitz C.W., Langdo T.A., Taraschi G., Fitzgerald E.A., and Antoniadis D.A. J. Vac. Sc. Tech. B 19 (2001) 2268
21. Leitz C.W., Currie M.T., Lee M.L., Cheng Z.-Y., Antoniadis D.A., and Fitzgerald E.A. J. Appl. Phys. 92 (2002) 3745