A study on structural and optoelectronic properties of ZnO film prepared by pulsed laser deposition on Si(111) substrates

International Journal of Modern Physics B

Volumn 21, Issue 10, 2007, Pages 1775-1785

  Wei, Xian Qi ^a,b   Man, Bao Yuan ^b   Wang, Yu Tai ^a   Zhuang, Hui Zhao ^b  

^a UNIVERSITY OF JINAN   (China)

^b SHANDONG NORMAL UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Anneal; Crystal structure; Optoelectronic property; PLD; Surface morphology; ZnO films

Indexed keywords

EID: 34248534284     PISSN: 02179792     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1142/S0217979207037016     Document Type: Article

References (29)

1. W. W. Wenas, A. Yamada and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 70, 7119 (1991).
2. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
3. S. A. Studenikin, M. Cocivera, W. Kellner and H. Pascher, J. Lumin. 91, 223 (2000).
4. D. C. Reynolds, D. C. Look and B. Jogai, Solid State Commun. 99, 873 (1996).
5. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen and T. Goto, Appl. Lett. 70, 2230 (1997).
6. Y. Chen, D. M. Bagnall, H. J. Koh, K. T. Park, K. Hiraga, Z. Zhu and T. Yao, J. Appl. Phys. 84, 3912 (1998).
7. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koimuma and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997).
8. S. Bethke, H. Pan and B. W. Wesseis, Appl. Phys. Lett. 52, 136 (1988).
9. J. Aronovich, A. Ortiz and R. H. Bube, J. Vac. Sci. Technol. 16, 994 (1979).
10. H. Morgan and D. E. Brodie, Can. J. Phys. 60, 1387 (1982).
11. H. Nanto, T. Minami and S. Takata, Phys. Status. Solidi. A 65, K131 (1981).
12. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun et al., Appl. Phys. Lett. 73, 384 (1998).
13. F. K. Shan, Z. F. Liu et al., J. Electroceram. 13, 189 (2004).
14. F. K. Shan, Z. F. Liu et al., J. Electroceram. 13, 195 (2004).
15. A. C. Rastogi, S. B. Desu, P. Bhattacharya and R. S. Katiyar, J. Electroceram. 13, 345 (2004).
16. H. Kim, J. S. Horwize, S. B. Qadri and D. B. Chrisey, Thin Solid Films 107, 420 (2002).
17. A. Suzuki, T. Matsushita, N. Wada, Y. Sakamoto and M. Okuda, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L56 (1996).
18. H. S. Kang, J. S. Kang, J. W. Kim and S. Y. Lee, J. Appl. Phys. 95, 1246 (2004).
19. S. L. Yang, Y. Zhang and T. L. Gui, Material Physics (Haerbin Industrial University Press, China, 1999).
20. N. Matsunami, O. Fukuoka, M. Tazawa and M. Sataka, Surf. Coat. Tech. 196, 50 (2005).
21. Z. B. Fang, H. X. Gong, X. Q. Liu, D. Y. Xu, C. M. Huang and Y. Y. Wang, Acta. Phys. Sin. 52, 1748 (2003) (in Chinese).
22. S. L. King, J. G. E. Gardeniers and I. W. Boyd, Appl. Surf. Sci. 811, 96 (1996).
23. D. Kohl, M. Henzler and G, Heiland, Surf. Sci. 41, 403 (1974).
24. C. V. Thompson, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 159 (2000).
25. M. Grunze, W. Hirschwald and D. Hofmann, J. Cryst. Growth. 52, 241 (1981).
26. S. G. Motke, S. P. Yawale and S. S. Yawale, Bull. Mater. Sci. 25, 75 (2002).
27. Y. X. Wang, J. Wen et al., Chin. J. Semiconduct. 21(6), 570 (2000).
28. Y. Sun, T. Miyasato et al., J. Appl. Phys. 85(6), 3377 (1999).
29. B. Lin, Z. Fu and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 79(7), 943 (2001).