Microstructure, magnetic, and optical properties of sputtered Mn-doped ZnO films with high-temperature ferromagnetism

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 2, 2007, Pages

  Mi, W B ^a   Bai, H L ^a   Liu, Hui ^b   Sun, C Q ^c  

^a TIANJIN UNIVERSITY   (China)

^b NANKAI UNIVERSITY   (China)

^c NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURIE TEMPERATURE; DOPING (ADDITIVES); ENERGY GAP; FERROMAGNETISM; MANGANESE; MICROSTRUCTURE; OPTICAL PROPERTIES; ZINC OXIDE;

ANTIFERROMAGNETIC ENERGY; ATOMIC FRACTION; OPTICAL BAND GAP; OXIDE IMPURITIES;

THIN FILMS;

EID: 33847710714     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2426377     Document Type: Article

References (47)

1. G. A. Prinz, Science 282, 1660 (1998).
2. J. M. D. Coey, M. Venkatesan, and C. B. Fitzgerald, Nat. Mater. 4, 173 (2005).
3. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
4. K. Sato and H. K. Yoshida, Physica E (Amsterdam) 10, 251 (2001).
5. X. Gratens, V. Bindilatti, N. F. Oliveira, Y. Shapira, S. Foner, Z. Golacki, and T. E. Haas, Phys. Rev. B 69, 125209 (2004).
6. N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 69, 125201 (2004).
7. Q. Wang and P. Jena, Appl. Phys. Lett. 84, 4170 (2004).
8. S. W. Jung, S. J. An, G. C. Yi, C. U. Jung, S. I. Lee, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4561 (2002).
9. D. P. Norton, S. J. Pearton, A. F. Hebard, N. Theodoropoulou, L. A. Boatner, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 82, 239 (2003).
10. P. Sharma, Nat. Mater. 2, 673 (2003).
11. Y. W. Heo, Appl. Phys. Lett. 84, 2292 (2004).
12. R. K. Zheng, H. Liu, X. X. Zhang, V. A. L. Roy, and A. B. Djurisiae, Appl. Phys. Lett. 85, 2589 (2004).
13. W. Chen, L. F. Zhao, Y. Q. Wang, J. H. Miao, S. Liu, Z. C. Xia, and S. L. Yuan, Appl. Phys. Lett. 87, 042507 (2005).
14. K. Sato and H. K. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L555 (2000).
15. K. Sato and H. K. Yoshida, Semicond. Sci. Technol. 17, 367 (2002).
16. X. M. Cheng and C. L. Chien, J. Appl. Phys. 93, 7876 (2003).
17. S. W. Yoon, S. B. Cho, S. C. We, S. Yoon, B. J. Suh, H. K. Song, and Y. J. Shin, J. Appl. Phys. 93, 7879 (2003).
18. D. P. Norton, S. J. Pearton, A. F. Hebard, N. Theodoropoulou, L. A. Boatner, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 82, 239 (2003).
19. S. W. Jung, S. J. An, G. C. Yi, C. U. Jung, S. I. Lee, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4561 (2002).
20. Y. Q. Chang, Appl. Phys. Lett. 83, 4020 (2003).
21. F. D. Paraguay, M. Miki-Yoshida, J. Morales, J. Solis, and W. L. Estrada, Thin Solid Films 373, 137 (2000).
22. S. K. Marathe, P. M. Koinkar, S. S. Ashtaputre, M. A. More, S. W. Gosavi, D. S. Joag, and S. K. Kulkarni, Nanotechnology 17, 1932 (2006).
23. L. W. Yang, X. L. Wu, G. S. Huang, T. Qiu, and Y. M. Yang, J. Appl. Phys. 97, 014308 (2005).
24. Z. B. Gu, J. Appl. Phys. 98, 053908 (2005), and references therein.
25. H. M. Zhong, J. B. Wang, X. S. Chen, Z. F. Li, W. L. Xu, and W. Lu, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2197262 99, 103905 (2006); C. A. Arguello, D. L. Rousseau, and S. P. S. Porto, Phys. Rev. 181, 1351 (1969).
26. H. M. Zhong, J. B. Wang, X. S. Chen, Z. F. Li, W. L. Xu, and W. Lu, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2197262 99, 103905 (2006); C. A. Arguello, D. L. Rousseau, and S. P. S. Porto, Phys. Rev. 181, 1351 (1969).
27. J. B. Wang, G. J. Huang, X. L. Zhong, L. Z. Sun, Y. C. Zhou, and E. H. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 252502 (2006).
28. C. X. Xu, X. W. Sun, X. H. Zhang, L. Ke, and S. J. Chua, Nanotechnology 15, 856 (2004).
29. T. C. Damen, S. P. S. Porto, and B. Tell, Phys. Rev. 142, 570 (1966).
30. J. M. Calleja and M. Cardona, Phys. Rev. B 16, 3753 (1977).
31. C. Julien, M. Massot, R. B. Hadjean, S. Franger, S. Bach, and J. P. P. Ramos, Solid State Ionics 159, 345 (2003).
32. Y. Liu, Z. Liu, and G. Wang, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 76, 1117 (2003).
33. J. E. Jaffe, T. C. Droubay, and S. A. Chambers, J. Appl. Phys. 97, 073908 (2005).
34. H. Y. Xu, Y. C. Liu, C. S. Xu, Y. X. Liu, C. L. Shao, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 88, 242502 (2006).
35. Y. Q. Chang, Appl. Phys. Lett. 83, 4020 (2003).
36. Y. W. Heo, Appl. Phys. Lett. 84, 2292 (2004).
37. S. Ramachandran, J. Narayan, and J. T. Prater, Appl. Phys. Lett. 88, 242503 (2006).
38. N. Theodoropoulou, V. Misra, J. Philip, P. LeClair, G. P. Berera, J. S. Moodera, B. Satpati, and T. Som, J. Magn. Magn. Mater. 300, 407 (2006).
39. T. Asanuma, T. Matsutani, C. Liu, T. Mihara, and M. Kiuchi, J. Appl. Phys. 95, 6011 (2004).
40. V. Srikant and D. R. Clarke, J. Appl. Phys. 83, 5447 (1998), and references therein.
41. T. Fukumura, Z. W. Jin, A. Ohtomo, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 3366 (1999).
42. S. Ramachandran, A. Tiwari, J. Narayan, and J. T. Prater, Appl. Phys. Lett. 87, 172502 (2005).
43. S. Duhalde, Phys. Rev. B 72, 161313 (2005).
44. H. S. Hsu, Appl. Phys. Lett. 88, 242507 (2006).
45. D. C. Kundaliya, Nat. Mater. 3, 709 (2004).
46. A. Kaminski and S. D. Sarma, Phys. Rev. Lett. 88, 247202 (2002), and reference therein.
47. C. Liu, F. Yun, and H. Morkoc, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 16, 555 (2005), and reference therein.