Crystallization kinetics of ultrathin amorphous Si film induced by Al metal layer under thermal annealing and pulsed laser irradiation

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 4, 2007, Pages

  Her, Yung Chiun ^a   Chen, Chih Wei ^a  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; CRYSTALLIZATION; NUCLEATION; PULSED LASER DEPOSITION; SILICON; ULTRATHIN FILMS;

CRYSTALLIZATION TEMPERATURE; PULSED LASER IRRADIATION; REAMORPHIZATION; THERMAL ANNEALING;

AMORPHOUS FILMS;

EID: 33847655590     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2654512     Document Type: Article

References (37)

1. S. Ohkubo, T. Ide, and M. Okada, in Technical Digest of Optical Data Storage Topical Meeting, New Mexico, April 22-25, 2001, p. 34.
2. Y. C. Her and C. L. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1013 (2004).
3. J.-B. Lee, C.-J. Lee, and D.-K. Choi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6177 (2001).
4. Y. C. Her and C. L. Wu, J. Appl. Phys. 96, 5563 (2004).
5. S. W. Lee, Y. C. Jeon, and S. K. Joo, IEEE Electron Device Lett. 66, 1671 (1995).
6. Y. Kawazu, H. Kudo, S. Onari, and T. Arai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 29, 729 (1990).
7. L. Hultman, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, I. Engstrom, and P. A. Psaras, J. Appl. Phys. 62, 3647 (1987).
8. B. Bian, J. Yie, B. Li, and Z. Wu, J. Appl. Phys. 73, 7402 (1993).
9. G. Randnoczi, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, S. F. Gong, and M. A. Hasam, J. Appl. Phys. 69, 6394 (1991).
10. H. Inoue, K. Mishima, M. Aoshima, H. Hirata, T. Kato, and H. Utsunomiya, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6177 (2001).
11. M. S. Haque, H. A. Naseem, and W. D. Brown, J. Appl. Phys. 75, 3928 (1994).
12. S. Ishihara, M. Kitagawa, and T. Hirao, J. Appl. Phys. 62, 837 (1987).
13. T. J. Konno and R. Sinclair, Philos. Mag. B 66, 749 (1992).
14. O. Nast and S. R. Wenham, J. Appl. Phys. 88, 124 (2000).
15. P. I. Widenborg and A. G. Aberle, J. Cryst. Growth 242, 270 (2002).
16. Y. Masaki, T. Ogata, H. Ogawa, and D. I. Jones, J. Appl. Phys. 76, 5225 (1994).
17. M. S. Ashtikar, and G. L. Sharma, J. Appl. Phys. 78, 913 (1995).
18. H. T. G. Hentzell, A. Robertsson, L. Hultman, G. Shaofang, S.-E. Hornstrom, and P. A. Psaras, Appl. Phys. Lett. 50, 933 (1987).
19. Y. Kawazu, H. Kudo, S. Onari, and T. Arai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 29, 2698 (1990).
20. H. E. Kissinger, Anal. Chem. 29, 1702 (1957).
21. P. I. Widenborg and A. G. Aberle, J. Cryst. Growth 242, 270 (2002).
22. S. Gall, M. Muske, I. Sieber, O. Nast, and W. Fuhs, J. Non-Cryst. Solids 299, 741 (2002).
23. J. G. Hernandez and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 42, 90 (1983).
24. S. Hazra, I. Sakata, M. Yamanaka, and E. Suzuki, J. Appl. Phys. 90, 1067 (2001).
25. M. Avrami, J. Chem. Phys. 7, 1103 (1939).
26. M. Avrami, J. Chem. Phys. 8, 212 (1940).
27. M. Avrami, J. Chem. Phys. 9, 177 (1941).
28. N. Ohshima, J. Appl. Phys. 79, 8357 (1996).
29. S. Higashi and T. Sameshima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 480 (2001).
30. C. Peng, L. Cheng, and M. Mansuripur, J. Appl. Phys. 82, 4183 (1997).
31. M. Miyamoto, A. Hirotsune, Y. Miyauchi, K. Ando, M. Terao, N. Tokusyuku, and R. Tamura, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 826 (1998).
32. S. Adach, Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors (Kluwer Academic, Massachusetts, 1999).
33. S. Moon, M. Hatano, M. Lee, and C. P. Grigoropoulos, Int. J. Heat Mass Transfer 45, 2439 (2002).
34. G. Auvert, D. Bensahel, A. Perio, V. T. Nguyen, and G. A. Rozgonyi, Appl. Phys. Lett. 39, 724 (1981).
35. A. Prasad, K. Ebihara, P. K. John, B. Y. Tong, S. K. Wong, and K. P. Chik, J. Appl. Phys. 54, 5760 (1983).
36. J. Narayan, S. J. Pennycook, D. Fathy, and O. W. Holland, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 1495 (1984).
37. M. O. Thompson, G. J. Galvin, J. W. Mayer, P. S. Peercy, J. M. Poate, D. C. Jacobson, A. G. Cullis, and N. G. Chew, Phys. Rev. Lett. 52, 2360 (1984).