Demonstration of an amorphous carbon tunnel diode

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 8, 2007, Pages

  Bhattacharyya, Somnath ^a   Silva, S Ravi P ^a  

^a UNIVERSITY OF SURREY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; ELECTRIC CONDUCTANCE; ELECTRON TRAPS; ELECTRON TUNNELING; ENERGY GAP; OPTIMIZATION; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

BAND GAP; DIFFERENTIAL CONDUCTANCE; INTERFACE TRAP DENSITY; METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR TUNNEL DIODES;

TUNNEL DIODES;

EID: 33847219941     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2454512     Document Type: Article

References (23)

1. R. Martel, V. Derycke, C. Lavoie, J. Appenzeller, K. K. Chan, J. Tersoff, and Ph. Avouris, Phys. Rev. Lett. 87, 256805 (2001).
2. Z. Wu, Z. Chen, X. Du, J. M. Logan, J. Sippel, M. Nikolou, K. Kamaras, J. R. Reynolds, D. B. Tanner, A. F. Hebard, and A. G. Rinzler, Science 305, 1273 (2004).
3. J. O. Lee, H. Oh, J. R. Kim, K. Kang, J. J. Kim, J. Kim, and K. H. Yoo, Appl. Phys. Lett. 79, 1351 (2001).
4. T. Zimmermann, M. Kubovic, A. Denisenko, K. Janischowsky, O. A. Williams, D. M. Gruen, and E. Kohn, Diamond Relat. Mater. 14, 416 (2005).
5. N. A. Hastas, C. A. Dimitridis, D. H. Tassis, and S. Logothetidis, Appl. Phys. Lett. 79, 638 (2001).
6. G. A. J. Amaratunga, D. A. Segal, and D. R. McKenzie, Appl. Phys. Lett. 59, 69 (1991).
7. K. K. Chan, S. R. P. Silva, and G. A. J. Amaratunga, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/0040-6090(92)90526-H 212, 232 (1992); S. R. P. Silva and G. A. J. Amaratunga, Thin Solid Films 270, 194 (1995).
8. K. K. Chan, S. R. P. Silva, and G. A. J. Amaratunga, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/0040-6090(92)90526-H 212, 232 (1992); S. R. P. Silva and G. A. J. Amaratunga, Thin Solid Films 270, 194 (1995).
9. E. Staryga and G. W. Bak, Diamond Relat. Mater. 14, 23 (2005).
10. C. Ronning, U. Griesmeier, M. Gross, H. C. Hosfass, R. G. Downing, and G. P. Lamaze, Diamond Relat. Mater. 4, 666 (1995).
11. N. L. Rupensinghe, R. J. Cole, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, and P. Weightman, Diamond Relat. Mater. 9, 1148 (2000).
12. N. M. J. Conway, W. I. Milne, and J. Robertson, Diamond Relat. Mater. 7, 477 (1998).
13. S. R. P. Silva, G. A. J. Amaratunga, C. N. Woodburn, M. E. Welland, and S. Haq, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 6458 (1994).
14. C. H. Lee and K. S. Lim, Appl. Phys. Lett. 75, 569 (1999).
15. E. G. Gerstner and D. R. McKenzie, J. Appl. Phys. 84, 5647 (1998).
16. S. Simeonov, A. Szekeres, E. Gyorgy, I. N. Mihaileseu, and A. Perrone, J. Appl. Phys. 95, 5111 (2004).
17. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981); E. M. Dons, C. S. Skowronski, and K. R. Farmer, Appl. Phys. Lett. 73, 3712 (1998).
18. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981); E. M. Dons, C. S. Skowronski, and K. R. Farmer, Appl. Phys. Lett. 73, 3712 (1998).
19. R. Reyes, C. Legnani, P. M. R. Pinto, M. Cremona, P. J. G. de Araujo, and C. A. Achete, Appl. Phys. Lett. 82, 4017 (2003).
20. S. Bhattacharyya, S. J. Henley, E. Mendoza, L. G. Rojas, J. Allam, and S. R. P. Silva, Nat. Mater. 5, 19 (2006).
21. T. Heitz, C. Godet, J. E. Bouree, B. Drevillon, and J. P. Conde, Phys. Rev. B 60, 6045 (1999).
22. T. Katsuno, S. Nitta, H. Habuchi, V. Stolojan, and S. R. P. Silva, Appl. Phys. Lett. 85, 2803 (2004).
23. M. Koós, I. Pócsik, and L. Tóth, Appl. Phys. Lett. 65, 2245 (1994).