Monolayer transistor using a highly ordered conjugated polymer as the channel

Nano Letters

Volumn 6, Issue 12, 2006, Pages 2916-2919

  Scott, J Campbell ^a   Samuel, J D Jeyaprakash ^a   Hou, Jennifer H ^a   Rettner, Charles T ^a   Miller, Robert D ^a  

^a IBM ALMADEN RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GATING VOLTAGE; MONOLAYER CHANNELS; MONOLAYER TRANSISTOR; POLYDIACETYLENE (PDA);

CRYSTAL STRUCTURE; DERIVATIVES; ELECTRIC POTENTIAL; MONOLAYERS; THIN FILM TRANSISTORS;

ORGANIC POLYMERS;

EID: 33846336102     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl0622449     Document Type: Article

References (32)

1. Tulevski, G. S.; Miao, Q.; Masafumi, M.; Abram, R.; Ocko, B.; Pindak, R.; Steigerwald, M. L.; Kagan, C. R.; Nuckolls, C. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 15048.
2. Guo, X.; Myers, M.; Xiao, S.; Lefenfeld, M.; Steiner, R.; Tulevski, G. S.; Tang, J.; Baumert, J.; Leibfarth, F.; Yardley, J. T.; Steigerwald, M. L.; Kim, P.; Nuckolls, C. Proc. Natl. Acad. Sci. 2006, 103, 11452.
3. Horowitz, G. J. Mater. Res. 2004, 19, 1946.
4. Kline, R. J.; McGehee, M. D.; Kadnikova, E. N.; Liu, J. S.; Fréchet, J. M. J.; Toney, M. F. Macromolecules 2005, 38, 2219.
5. Day, D.; Ringsdorf, H. J. Polym. Sci., Polym. Lett. Ed. 1978, 16, 205.
6. Carpick, R. W.; Sasaki, D. Y.; Marcus, M. S.; Eriksson, M. A.; Burns, A. R. J. Phys. Condens. Matter 2004, 16, R679.
7. (a) Day, D.; Lando, J. B. Macromolecules 1980, 13, 1478.
8. (b) Day, D.; Lando, J. B. Macromolecules 1980, 13, 1483.
9. Wegner, G. Z. Naturf. 1969, 24b, 824.
10. Chance, R. R.; Baughman, R. H. J. Chem. Phys. 1976, 64, 3889.
11. Fisher, N. E. J. Phys. Condens. Matter 1994, 6, 2047.
12. Frankevich, E. L. J. Phys. Condens. Matter 1991, 3, 3841.
13. Lochner, K.; Reimer, B.; Bässler, H. Chem. Phys. Lett. 1976, 41, 388.
14. Wilson, E. G. Chem. Phys. Lett. 1982, 90, 221.
15. Sebastian, L.; Weiser, G. Chem. Phys. Lett. 1979, 64, 396.
16. Lochner, K.; Bässler, H.; Tieke, B.; Wegner, G. Phys. Status Solidi B 1978, 88, 653.
17. Chiang, C. K; Fincher, C. R.; Park, Y. W; Heeger, A. J.; Shirakawa, H.; Louis, E. J.; Gau, S. C.; McDiarmid, A. G. Phys. Rev. Lett. 1978, 39, 1098.
18. Aleshin, A. N;. Lee, J. Y.; Chu, S. W.; Lee, S. W.; Kim, B.; Ahn, S. J.; Park, Y. W. Phys. Rev. B 2004, 69, 214203.
19. Lee, J. Y.; Aleshin, A. N.; Kim, D. W.; Lee, H. J.; Kim, Y. S.; Wegner, G.; Enkelmann, V.; Roth, S.; Park, Y. W. Synth. Met. 2005, 152, 169.
20. Aleshin, A. N.; Chu, S. W.; Kozub, V. I.; Lee, S. W.; Lee, J. Y.; Lee, S. H.; Kim, D. W.; Park, Y. W. Curr. Appl. Phys. 2005, 5, 85.
21. Day, D. R.; Lando, J. B. J. Appl. Polym. Sci. 1981, 26, 1605.
22. Takami, K. K.; Mizuno, J.; Akai-kasaya, M.; Saito, A.; Aono, M.; Kuwahara, Y. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 16353.
23. Koyanagi, T.; Muratsubaki, M.; Hosio, Y.; Shibata, T.; Tsutsui, K.; Wada, Y.; Furukawa, Y. Chem. Lett. 2006, 35, 20.
24. Wilson, T. E.; Spevak, W.; Charych, D. H.; Bednarski, M. D. Langmuir 1994, 10, 1512.
25. Sasaki, D. Y.; Carpick, R. W.; Burns, A. R. J. Colloid Interface Sci. 2000, 229, 490.
26. Gaboriaud, F.; Golan, R.; Volinsky, R.; Berman, A.; Jelinek, R. Langmuir 2001, 17, 3651.
27. Lio, A.; Reichert, A.; Ahn, D. J.; Nagy, J. O.; Salmeron, M.; Charych, D. H., Langmuir 1997, 13, 6524.
28. Okawa, Y.; Aono, M. Nature 2001, 409, 683.
29. Moore, G. E. Electronics 1965, 38. See also http://www.intel.com/technology/mooreslaw/index.htm.
30. International Technology Road Map for Semiconductors, http://public.itrs.net/.
31. Ratner, M. Nature 2005, 435, 575 and references therein.
32. Johnson, S. J.; Tillman, R. W.; Saul, T. A.; Liu, B. L.; Kenney, P. M.; Daulton, J. S.; Gaub, H.; Ribi, H. O. Langmuir 1995, 11,q 1257.