Hopping conduction in polydiacetylene single crystals

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 69, Issue 21, 2004, Pages

  Aleshin, A N ^a,b   Lee, J Y ^a   Chu, S W ^a   Lee, S W ^a   Kim, B ^a   Ahn, S J ^a   Park, Y W ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACETYLENE; POLYDIACETYLENE; UNCLASSIFIED DRUG;

ARTICLE; CRYSTAL STRUCTURE; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC FIELD; MAGNETIC FIELD; MEMBRANE CURRENT; MOLECULAR INTERACTION; SEMICONDUCTOR; TEMPERATURE DEPENDENCE; THERMAL ANALYSIS; TRANSPORT KINETICS;

EID: 37649032751     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.69.214203     Document Type: Article

References (42)

1. G. Wegner, Z. Naturforsch. B 24, 824 (1969); Makromol. Chem. 145, 85 (1971); 154, 35 (1972).
2. G. Wegner, Z. Naturforsch. B 24, 824 (1969); Makromol. Chem. 145, 85 (1971); 154, 35 (1972).
3. G. Wegner, Z. Naturforsch. B 24, 824 (1969); Makromol. Chem. 145, 85 (1971); 154, 35 (1972).
4. D. Moses and A. J. Heeger, J. Phys.: Condens. Matter 1, 7395 (1989).
5. N. E. Fisher and D. J. Willock, J. Phys.: Condens. Matter 4, 2517 (1992); 4, 2543 (1992).
6. N. E. Fisher and D. J. Willock, J. Phys.: Condens. Matter 4, 2517 (1992); 4, 2543 (1992).
7. K. J. Donovan and E. G. Wilson, Philos. Mag. B 44, 9 (1981).
8. E. G. Wilson, J. Phys. C 16, 6739 (1983).
9. H. Nakanishi, F. Mizutani, M. Kato, and K. Hasumi, J. Polym. Sci., Polym. Lett. Ed. 21, 983 (1983).
10. U. Seiferheld and H. Baessler, Solid State Commun. 47, 391 (1983).
11. F. Ebisawa, T. Kurihara, and H. Tabei, Synth. Met. 18, 431 (1987).
12. V. A. Marikhin, E. G. Guk, and L. P. Myasnikova, Fiz. Tverd. Tela (S.-Peterburg) 39, 774 (1997) [Phys. Solid State 39, 686 (1997)].
13. V. A. Marikhin, E. G. Guk, and L. P. Myasnikova, Fiz. Tverd. Tela (S.-Peterburg) 39, 774 (1997) [Phys. Solid State 39, 686 (1997)].
14. B. S. Elman, D. J. Sandman, and M. A. Newkirk, Appl. Phys. Lett. 46, 100 (1985); B. S. Elman, M. K. Thakur, D. J. Sandman, M. A. Newkirk, and E. F. Kennedy, J. Appl. Phys. 57, 4996 (1985).
15. B. S. Elman, D. J. Sandman, and M. A. Newkirk, Appl. Phys. Lett. 46, 100 (1985); B. S. Elman, M. K. Thakur, D. J. Sandman, M. A. Newkirk, and E. F. Kennedy, J. Appl. Phys. 57, 4996 (1985).
16. M. Sakamoto, B. Wasserman, M. S. Dresselhaus, G. E. Wnek, B. S. Elman, and D. J. Sandman, J. Appl. Phys. 60, 2788 (1986).
17. N. G. Semaltianos, Chem. Phys. Lett. 329, 79 (2000).
18. A. N. Aleshin, S. W. Chu, V. I. Kozub, S. W. Lee, J. Y. Lee, S. H. Lee, D. W. Kim, and Y. W. Park, Curr. Appl. Phys. (to be published).
19. N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, 2nd ed. (Clarendon, Oxford, 1979).
20. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, New York, 1984).
21. A. G. Zabrodskii and K. N. Zinov'eva, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 86, 727 (1984) [Sov. Phys. JETP 59, 345 (1984)].
22. A. G. Zabrodskii and K. N. Zinov'eva, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 86, 727 (1984) [Sov. Phys. JETP 59, 345 (1984)].
23. R. Novak, J. Sworakowski, B. Kuchta, M. Betaut, M. Schott, R. Jakubas, and H. A. Kolodziej, Chem. Phys. 104, 467 (1986).
24. R. M. Hill, Philos. Mag. 24, 1307 (1971).
25. M. Pollak and I. Reiss, J. Phys. C 9, 2339 (1976).
26. B. I. Shklovskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 6, 2335 (1972) [Sov. Phys. Semicond. 6, 1964 (1973)].
27. B. I. Shklovskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 6, 2335 (1972) [Sov. Phys. Semicond. 6, 1964 (1973)].
28. B. L. Al'tshuler, A. G. Aronov, and D. E. Khmelnitskii, Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 36, 157 (1982); [Sov. Phys. JETP 36, 195 (1982)].
29. B. L. Al'tshuler, A. G. Aronov, and D. E. Khmelnitskii, Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 36, 157 (1982); [Sov. Phys. JETP 36, 195 (1982)].
30. N. F. Mott and W. D. Twose, Adv. Phys. 10, 107 (1961).
31. A. J. Heeger, S. Kivelson, J. R. Shriefer, and W. P. Su, Rev. Mod. Phys. 60, 781 (1988).
32. Z. H. Wang, A. Ray, A. G. MacDiarmid, and A. J. Epstein, Phys. Rev. B 43, 4373 (1991); Z. H. Wang, E. M. Scherr, A. G. MacDiarmid, and A. J. Epstein, ibid. 45, 4190 (1992).
33. Z. H. Wang, A. Ray, A. G. MacDiarmid, and A. J. Epstein, Phys. Rev. B 43, 4373 (1991); Z. H. Wang, E. M. Scherr, A. G. MacDiarmid, and A. J. Epstein, ibid. 45, 4190 (1992).
34. P. Sheng, Phys. Rev. B 21, 2180 (1980).
35. A. B. Kaiser and S. C. Graham, Synth. Met. 36, 367 (1990).
36. L. Zuppiroli, M. N. Bussac, S. Paschen, O. Chauvet, and L. Forro, Phys. Rev. B 50, 5196 (1994).
37. D. van der Putten, J. T. Moonen, H. B. Brom, J. C. M. Brokken-Zijp, and M. A. Michels, Phys. Rev. Lett. 69, 494 (1992); 70, 4161 (1993).
38. D. van der Putten, J. T. Moonen, H. B. Brom, J. C. M. Brokken-Zijp, and M. A. Michels, Phys. Rev. Lett. 69, 494 (1992); 70, 4161 (1993).
39. M. Reghu, C. O. Yoon, C. Y. Yang, D. Moses, P. Smith, and A. J. Heeger, Phys. Rev. B 50, 13 931 (1994).
40. J. A. Reedijk, H. C. F. Martens, H. B. Brom, and M. A. J. Michels, Phys. Rev. Lett. 83, 3904 (1999).
41. T. Matsumoto, S. J. Sutton, K. Izumi, H. Miyaji, K. Fukao, and Y. Miyamoto, J. Phys. Soc. Jpn. 65, 1093 (1996).
42. E. Abrahams, P. W. Anderson, D. C. Licciardello, and T. V. Ramakrishnan, Phys. Rev. Lett. 42, 673 (1979).