Fabrication of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO 3 relaxor ferroelectric thin films on Si using SrO buffer layer and SrRuO3 electrode

Ferroelectrics

Volumn 328, Issue , 2005, Pages 85-90

  Singh, S K ^a   Palmer, S B ^b  

^a GURU GHASIDAS UNIVERSITY   (India)

^b UNIVERSITY OF WARWICK   (United Kingdom)

Author keywords

Ferroelectric thin films; Microstructure; Pulsed laser deposition; Relaxors; SrO buffer layers; SrRuO3 film

Indexed keywords

ELECTRODES; LEAD COMPOUNDS; MICROSTRUCTURE; PEROVSKITE; PULSED LASER DEPOSITION; SILICON; STRONTIUM COMPOUNDS;

BUFFER LAYERS; RELAXORS; SRO BUFFER LAYERS; SRRUO3FILMS;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 33751290259     PISSN: 00150193     EISSN: 15635112     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1080/00150190500311268     Document Type: Article

References (28)

1. S. Nomura and K. Uchino, Ferroelectrics 41, 117 (1982).
2. L. E. Cross, Ferroelectrics 151, 305 (1994).
3. S. L. Swartz, T. R. Shrout, W. A. Schulze, and L. E. Cross, J. Am. Ceram. Soc. 67, 311-315 (1984).
4. O. Noblanc, P. Gaucher, and G. Calvarin, J. Appl. Phys. 79, 4291-4298 (1996).
5. Y. Yan, S. J. Pennicook, Z. Xu, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 72, 3145-3147 (1998).
6. V. Nagarajan, S. P. Alpay, C. S. Ganpule, B. K. Nagarai, S. Aggarwal, E. D. Williams, A. L. Roytburd, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 77, 438 (2000).
7. S. D. Bu, M. K. Lee, C. B. Eom, W. Tian, X. Q. Pan, S. K. Streiffer, and J. J. Krajewski, Appl. Phys. Lett. 79, 3482 (2001).
8. S. K. Singh, P. A. Thomas, and S. B. Palmer, 13th Proc. IEEE, Application of Ferroelectric, 133 (2002).
9. Z. Kighelman, D. Damjanovic, and N. Setter, J. Appl. Phys. 90, 4682 (2001).
10. P. K. Baumann, S. K. Streiffer, G. R. Bai, K. Ghosh, O. Auciello, C. Thompson, S. Stemmer, R. A. Rao, C. B. Eom, F. Xu, S. Trolier-McKinstry, D. J. Kim, J. P. Maria, and A. I. Kingon, Integrated Ferroelectrics 35, 1881 (2001).
11. N. A. Pertsev, A. G. Zembilgotov, S. Huffman, R. Waser, and A. K. Tagantsew, J. Appl. Phys. 85, 1698 (1999).
12. S. R. P. Smith, J. Phys.: Condens. Matter 10, 9141 (1998).
13. C. Zhou and D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997).
14. M. Tyunina and J. Levoska, Physical Review B. 63, 224102 (2001).
15. C. B. Eom, R. B. Van Dover, J. M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 63, 2570 (1993).
16. Z. G. Liu, J. Yin, and Z. C. Wu, Appl. Phys. A 69, S659 (1999).
17. H. F. Cheng, Y. C. Ling, and I. N. Lin, Japan. J. Appl. Phys. 40, 234 (2001).
18. C. Guerrero, J. Roldan, C. Ferrater, M. V. Garcia-Cuenca, F. Sanchez, and M. Varela, Solid-State Electron. 45, 1433 (2001).
19. J. Choi, C. B. Eom, G. Rijnders, H. Rogalla, and D. H. A. Blank, Appl. Phys. Lett. 79, 1447 (2001).
20. S. S. Kim, T. S. Kang, and J. H. Ho, J. Appl. Phys. 90, 4407 (2001).
21. J. Roldan, F. Sanchez, V. Trtik, C. Guerrero, F. Benitez, C. Ferrater, and M. Varela, Applied Surface Science 154-155, 159 (2000).
22. J. S. Wu, C. L. Jia, K. Urban, J. H. Hao, and X. X. Xi, J. Mater. Res. 16, 3443 (2001).
23. S. K. Singh, M. R. Lees, R. K. Singh, and S. B. Palmer, J. Phys. D: Appl. Pliys. 35, 2243 (2002).
24. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
25. M. Izuha, K. Abe, M. Koike, S. Takeno, and N. Fukushima, Appl. Phys. Lett. 70, 1405 (1997).
26. S. Y. Hou, J. Kwo, R. K. Watts, J.-Y. Cheng, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 67, 1387 (1995).
27. Q. X. Jia, H. H. Kung, and X. D. Wu, Thin Solid Films 299, 115 (1997).
28. S. H. Oh and C.-G. Park, Surf. Interface Anal. 31, 796 (2001).