Dielectric and electromechanical properties of ferroelectric-relaxor 0.9 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-O-1PbTiO3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 9, 2001, Pages 4682-4689

  Kighelman, Zian ^a   Damjanovic, Dragan ^a   Setter, Nava ^a  

^a EPFL   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035503283     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1409573     Document Type: Article

References (54)

1. S. E. Park and T. R. Shrout, J. Appl. Phys. 82, 1804 (1997).
2. K. Uchino, S. Nomura, L. E. Cross, S. J. Jang, and R. E. Newnham, J. Appl. Phys. 51, 1142 (1980).
3. S. J. Jang, thesis, Penn State University, 1979.
4. 3 Ceramics", Proceeding of the Second Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications, Kyoto, 1979 (Publication Board, Jpn. J. Appl. Phys., Tokyo), p. 133-135.
5. Y. Tsuchiya, K. Uchino, and S. Nomura, Jpn. J. Appl. Phys. 20, 1841 (1981).
6. S. W. Choi, T. R. Shrout, S. J. Jang, and A. S. Bhalla, Ferroelectrics 100, 29 (1990).
7. L. F. Francis and D. A. Payne, J. Am. Ceram. Soc. 74, 3000 (1991).
8. J. P. Maria, W. Hackenberger, and S. Trolier-McKinstry, J. Appl. Phys. 84, 5147 (1998).
9. Z. Kighelman, D. Damjanovic, and N. Setter, J. Appl. Phys. 89, 1393 (2001).
10. P. Muralt, J. Micromech. Microeng. 10, 136 (2000).
11. R. Sommer, N. K. Yushin, and J. J. Klink, Phys. Rev. B 48, 13230 (1993).
12. O. Noblanc, P. Gaucher, and G. Calvarin, J. Appl. Phys. 79, 4291 (1996).
13. E. V. Colla, N. K. Yushin, and D. Viehland, J. Appl. Phys. 83, 3298 (1998).
14. O. Bidault, M. Licheron, E. Husson, G. Calvarin, and A. Morell, Solid State Commun. 98, 765 (1996).
15. O. Bidault, E. Husson, and A. Morell, J. Appl. Phys. 82, 5674 (1997).
16. H. Aradt, F. Sauerbier, and G. Schmidt, Ferroelectrics 79, 145 (1988).
17. Z. G. Ye and H. Schmid, Ferroelectrics 145, 83 (1993).
18. G. Calvarin, E. Husson, and Z. G. Ye, Ferroelectrics 165, 349 (1995).
19. M. P. Harmer, J. Chen, P. Peng, H. M. Chan, and D. M. Smyth, Ferroelectrics 97, 263 (1989).
20. A. D. Hilton, D. J. Barber, C.A. Randall, and T. R. Shrout, J. Mater. Sci. 25, 3461 (1990).
21. M. J. Shyu, T. J. Hong, and T. B. Wu, Mater. Lett. 23, 221 (1995).
22. C. Tantigate, J. Lee, and A. Safari, Appl. Phys. Lett. 66, 1611 (1995).
23. A. Kholkin, C. Tantiganate, and A. Safari, Integr. Ferroelectr. 22, 515 (1998).
24. V. Nagarajan, S. P. Alpay, C. S. Ganpule, B. K. Nagaraj, S. Aggarwal, E. D. Williams, A. L. Roytburd, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 77, 438 (2000).
25. J. K. Lee, D. Park, D. S. Cheong, J. W. Park, and C. S. Park, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1659 (2000).
26. S. Stemmer, G. R. Bai, N. D. Browning, and S. K. Srieffert, J. Appl. Phys. 87, 3526 (2000).
27. D. J. Eichorst, thesis, University of Illinois at Urbana-Champaign, 1991.
28. T. J. Boyle, T. M. Alam, D. Dimos, G. J. Moore, C. D. Buchheit, H. N. Al-Shareef, E. R. Mechenbier, B. R. Bear, and J. W. Ziller, Chem. Mater. 9, 3187 (1997).
29. F. Chaput and J. P. Boilot, J. Am. Ceram. Soc. 72, 1335 (1989).
30. Z. Kighelman, D. Damjanovic, A. Seifer, S. Gentil, S. Hiboux, and N. Setter, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 596, 523 (2000).
31. P. Muralt, T. Maeder, L. Sagalowicz, S. Hiboux, S. Scalese, D. Naumovic, R. G. Agostino, N. Xanthopoulos, H. J. Mathieu, L. Patthey, and E. L. Bullock, J. Appl. Phys. 83, 3835 (1998).
32. A. L. Kholkin, C. Wütchrich, D. V. Taylor, and N. Setter, Rev. Sci. Instrum. 67, 1935 (1996).
33. J. H. Park, F. Xu, and S. Trolier-McKinstry, J. Appl. Phys. 89, 568 (2001).
34. M. Tyunina and J. Levoska, Phys. Rev. B 63, 224102 (2001).
35. T. R. Shrout, U. Kumar, M. Megherhi, N. Yang, and S. J. Jang, Ferroelectrics 76, 479 (1987).
36. P. Ravindranathan, S. Komarneni, A. Bhalla, and R. Roy, J. Am. Ceram. Soc. 74, 2996 (1991).
37. V. Nagarajan, C. S. Ganpule, B. Nagataj, S. Aggarwal, S. P. Alpay, A. L. Royburd, E. D. Williams, and R. Ramesh. Appl. Phys. Lett. 75, 4183 (1999).
38. I. K. Naik, L. E. Sanchez, S. Y. Wu, and B. P. Maderic, Integr. Ferroelectr. 2, 133 (1992).
39. D. V. Taylor, thesis, EPFL, Swiss Federal Institute of Technology, 1999.
40. G. Catalan, M. H. Corbett, R. M. Bowman, and J. M. Gregg. Appl. Phys. Lett. 74, 3335 (1999).
41. S. Hiboux, P. Muralt, and T. Maeder, J. Mater. Res. 14, 4307 (1999).
42. D. Viehland, S. J. Jang, L. E. Cross, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 68, 2916 (1990).
43. A. K. Tagantsev, Phys. Rev. Lett. 72, 1100 (1994).
44. A. E. Glazounov and A. K. Tagantsev, J. Phys.: Condens. Matter 10, 8863 (1998).
45. R. Pirc and R. Blinc, Phys. Rev. B 60, 13470 (1999).
46. A. E. Glazounov and A. K. Tagantsev, Ferroelectrics 201, 305 (1997).
47. E. V. Colla, E. L. Furman, S. M. Gupta, N. K. Yushin, and D. Viehland, J. Appl. Phys. 85, 1693 (1999).
48. A. E. Glazounov, A. K. Tagantsev, and A. J. Bell, Phys. Rev. B 53, 11281 (1996).
49. E. V. Colla, S. Gupta, and D. Viehland, J. Appl. Phys. 85, 362 (1999).
50. W. Y. Pan, W. Y. Gu, D. J. Taylor, and L. E. Cross, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 28, 653 (1989).
51. D. Viehland, S. J. Jang, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 69, 414 (1991).
52. D. Viehland and J. F. Li, J. Appl. Phys. 89, 1826 (2001).
53. Q. Zhang, W. Pan, A. Bhalla, and L. E. Cross, J. Am. Ceram. Soc. 72, 599 (1989).
54. K. Lefki and G. J. M. Dormans, J. Appl. Phys. 76, 1764 (1994).