Hole transporting properties of tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3)

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 9, 2006, Pages

  Fong, H H ^b   So, S K ^a  

^a HONG KONG BAPTIST UNIVERSITY   (Hong Kong)

^b School of Operations Research and Industrial Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPLIED FIELD RANGE; CORRELATED DISORDER MODEL (CDM); GAUSSIAN DISORDER MODEL (GDM); TIME OF FLIGHT (TOF) TECHNIQUE;

ELECTRONS; HOLE MOBILITY; MATHEMATICAL MODELS; MEASUREMENT THEORY; TRANSPORT PROPERTIES;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 33751113863     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2372388     Document Type: Article

References (26)

1. G. G. Malliaras and J. C. Scott, J. Appl. Phys. 83, 5399 (1998).
2. A. B. Chwang, R. C. Kwong, and J. J. Brown, Appl. Phys. Lett. 80, 725 (2002).
3. V. Choong, S. Shi, J. Curless, C. Shieh, H. C. Lee, and F. So, Appl. Phys. Lett. 75, 172 (1999).
4. C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
5. R. G. Kepler, P. M. Beeson, S. J. Jacobs, R. A. Anderson, M. B. Sinclair, V. S. Valencia, and P. A. Cahill, Appl. Phys. Lett. 66, 3618 (1995).
6. B. Chen and S. Liu, Synth. Met. 91, 169 (1997).
7. B. J. Chen, W. Y. Lai, Z. Q. Gao, C. S. Lee, S. T. Lee, and W. A. Gambling, Appl. Phys. Lett. 75, 4010 (1999).
8. B. Chen, C. Lee, S. Lee, P. Webb, Y. Chan, W. Gambling, H. Tian, and W. Zhu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 1190 (2000).
9. S. Naka, H. Okada, H. Onnagawa, Y. Yamaguchi, and T. Tsutsui, Synth. Met. 111, 331 (2000).
10. R. L. Martin, J. D. Kress, I. H. Campbell, and D. L. Smith, Phys. Rev. B 61, 15804 (2000).
11. G. G. Malliaras, Y. Shen, and D. H. Dunlap, Appl. Phys. Lett. 79, 2582 (2001).
12. S. C. Tse, H. H. Fong, and S. K. So, J. Appl. Phys. 94, 2033 (2003).
13. H. H. Fong, K. C. Lun, and S. K. So, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1122 (2002).
14. H. H. Fong and S. K. So, J. Appl. Phys. 98, 023711 (2005).
15. L.-B. Lin, S. A. Jenekhe, R. H. Young, and P. M. Borsenberger, Appl. Phys. Lett. 70, 2052 (1997).
16. S. Naka, H. Okada, H. Onnagawa, J. Kido, and T. Tsutsui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1252 (1999).
17. J. Kalinowski, N. Camaioni, P. Di marco, V. Fattori, and A. Martelli, Appl. Phys. Lett. 72, 513 (1998).
18. A. G. Mückl, S. Berleb, W. Brütting, and M. Schwoerer, Synth. Met. 111, 91 (2000).
19. S. K. So, W. K. Choi, C. H. Cheung, L. M. Leung, and C. F. Kwong, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 68, 477 (1999).
20. H. H. Fong, K. C. Lun, and S. K. So, Chem. Phys. Lett. 353, 407 (2002).
21. H. H. Fong, S. K. So, W. Y. Sham, C. F. Lo, Y. S. Wu, and C. H. Chen, Chem. Phys. 289, 119 (2004).
22. H. Bässler, Phys. Status Solidi B 175, 15 (1993).
23. S. V. Novikov, D. H. Dunlap, V. M. Kenkre, P. E. Parris, and A. V. Vannikov, Phys. Rev. Lett. 81, 4472 (1998).
24. M. D. Halls and H. B. Schlegel, Chem. Mater. 13, 2632 (2001).
25. K. Y. Wong, C. F. Lo, W. Y. Sham, H. H. Fong, S. K. So, and L. M. Leung, Phys. Lett. A 321, 194 (2004).
26. I. G. Hill, A. Kahn, J. Cornil, D. A. dos Santos, and J. L. Bŕdas, Chem. Phys. Lett. 317, 444 (2000).