Contactless electroreflectance of GaN0.025As 0.975-xSbx/GaAs quantum wells with high Sb content (0.27≤x≤0.33): The determination of band gap discontinuity

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 17, 2006, Pages

  Kudrawiec, R ^a   Gupta, J A ^b   Motyka, M ^a   Gladysiewicz, M ^a   Misiewicz, J ^a   Wu, X ^b  

^a WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

^b NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC EXCITERS; ELECTRON TRANSITIONS; GALLIUM NITRIDE; GROUND STATE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

BAND DISCONTINUITIES; CONDUCTION BAND; CONTACTLESS ELECTROREFLECTANCE SPECTROSCOPY (CER); MASS APPROXIMATION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33750449976     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2370506     Document Type: Article

References (24)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kikatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. M. Henini, Dilute Nitride Semiconductors, edited by, M. Henini, (Elsevier, New York, 2005).
3. G. Ungaro, G. Le Roux, R. Teissier, and J. C. Harmand, Electron. Lett. 35, 15 (1999).
4. J. C. Harmand, G. Ungaro, J. Ramos, E. V. K. Rao, G. Saint-Girons, R. Teissier, G. Le Roux, L. Largeau, and G. Patriarche, J. Cryst. Growth 227-228, 553 (2001).
5. G. M. Peake, K. E. Waldrip, T. W. Hargett, N. A. Modine, and D. K. Serkland, J. Cryst. Growth 261, 398 (2004).
6. S. Wicaksono, S. F. Yoon, K. H. Tan, and W. K. Cheah, J. Cryst. Growth 274, 355 (2005).
7. L. Wu, S. Iyer, K. Nunna, J. Li, S. Bharatan, W. Collis, and K. Matney, J. Cryst. Growth 279, 293 (2005).
8. H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, J. S. Harris, M.-J. Seong, S. Yoon, R. Kudrawiec, and J. Misiewicz, J. Appl. Phys. 97, 113510 (2005).
9. T. D. Veal, L. F. J. Piper, S. Jollands, B. R. Bennett, P. H. Jefferson, P. A. Thomas, C. F. McConville, B. N. Murdin, L. Buckle, G. W. Smith, and T. Ashley, Appl. Phys. Lett. 87, 132101 (2005).
10. A. Belabbes, M. Ferhat, and A. Zaoui, Appl. Phys. Lett. 88, 152109 (2006).
11. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
12. R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, L. H. Li, and J. C. Harmand, Eur. Phys. J.: Appl. Phys. 27, 313 (2004).
13. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Krutz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
14. J. C. Harmand, A. Caliman, E. V. K. Rao, L. Largeau, J. Ramos, R. Teisser, L. Travers, G. Ungaro, B. Theys, and I. F. L. Dias, Semicond. Sci. Technol. 17, 778 (2002).
15. F. Bousbih, S. Ben Bouzid, R. Chtourou, F. F. Charfi, J. C. Harmand, and G. Ungaro, Mater. Sci. Eng., C 21, 251 (2002).
16. R. Kudrawiec, K. Ryczko, J. Misiewicz, H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, H. P. Bae, and J. S. Harris, jr., Appl. Phys. Lett. 86, 141908 (2005).
17. R. Kudrawiec, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, H. P. Bae, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. B 73, 245413 (2006).
18. R. Teissier, D. Sicault, J. C. Harmand, G. Ungaro, G. Le Roux, and L. Largeau, J. Appl. Phys. 89, 5473 (2001), and references therein.
19. J. B. Wang, S. R. Johnson, S. A. Chaparro, D. Ding, Y. Cao, Yu. G. Sadofyev, Y.-H. Zhang, J. A. Gupta, and C. Z. Guo, Phys. Rev. B 70, 195339 (2004), and references therein.
20. F. H. Pollak, in Modulation Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Microstructures Handbook on Semiconductors, edited by, T. S. Moss, (Elsevier, Amsterdam, 1994), Vol. 2, pp. 527-635.
21. R. Kudrawiec, M. Motyka, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, H. B. Yuen, S. R. Bank, H. Bae, M. A. Wistey, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 88, 221113 (2006).
22. R. Kudrawiec, M. Gladysiewicz, M. Motyka, J. Misiewicz, J. A. Gupta, and G. C. Aers, Solid State Commun. 138, 365 (2006).
23. J. A. Gupta, Z. R. Wasilewski, B. J. Riel, J. Ramsey, G. C. Aers, R. L. Williams, G. I. Sproule, A. Perovic, D. D. Perovic, T. Garanzotis, and A. J. Spring Thorpe, J. Cryst. Growth 242, 141 (2002).
24. R. T. Senger, K. K. Bajaj, E. D. Jones, N. A. Modine, K. E. Waldrip, F. Jalali, J. F. Klem, G. M. Peake, X. Wei, and S. W. Tozer, Appl. Phys. Lett. 83, 5425 (2003).