Oxygen pressure dependent resistance-switching properties of nickel-oxide films grown by using a pulsed laser deposition method

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 3, 2006, Pages 1066-1070

  Moon, Seung Eon ^a   Park, Jong Hyurk ^a   Kim, Eun Kyoung ^a   Kwak, Min Hwan ^a   Ryu, Han Cheol ^a   Kim, Young Tae ^a   Lee, Su Jae ^a   Maeng, Sunglyul ^a   Park, Kang Ho ^a   Kang, Kwang Yong ^a   Park, Bae Ho ^b  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^b Konkuk University   (South Korea)

Author keywords

Nickel oxide; Pulsed laser deposition; Resistance switching characteristics

Indexed keywords

EID: 33749846585     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (21)

1. Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer and A. Beck, Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001).
2. F. Argail, Solid-State Electron. 11, 535 (1968).
3. W. R. Hiatt and T. W. Hickmott, Appl. Phys. Lett. 6, 106 (1965).
4. J. Rodriguez Contreas, H. Kohlstedt, U. Poppe, R. Waser, C. Buchal and N. A. Pertsev, Appl. Phys. Lett. 83, 4595 (2003).
5. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, S. Szot, R. Waser, B. Reichenberg and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005);
6. Y. H. Do, K. W. Jeong, C. O. Kim and J. P. Hong, J. Korean Phys. Soc. 48, 1492 (2006);
7. K. W. Jeong, Y. H. Do, K. S. Yoon, C. O. Kim and J. P. Hong, J. Korean Phys. Soc. 48, 1501 (2006).
8. T. W. Hickmott, J. Vac. Sci. Technol. 6, 828 (1969).
9. K. L. Chopra, J. Appl. Phys. 36, 184 (1965).
10. S. H. Kim, I. S. Byun, I. R. Hwang, J.-S. Kim, J. S. Choi, S.-H. Kim, S. H. Jeon, S. H. Hong, J. H. Lee, B. H. Park, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, Y. S. Joung, D.-S. Suh, J. E. Lee and I. K. Yoo, J. Korean Phys. Soc. 47, S247 (2005).
11. Min Kyu Yang, Dal-Young Kim, Jae-Wan Park and Jeon-Kook Lee, J. Korean Phys. Soc. 47, 313 (2005).
12. I. Hotovy, D. Buc, S. Hascik and O. Nennewitz, Vacuum 50, 41 (1998).
13. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
14. S. W. Han (private communications).
15. M. J. Rozenberg, I. H. Inoue and M. J. Sanchez, Phys. Rev. Lett. 92, 178302 (2004).
16. M. G. Kim, S. M. Kim, E. J. Choi, S. E. Moon, J. Park, H. C. Kim, B. H. Park, M. J. Lee, S. Seo, D. H. Ahn and I. K. Yoo, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L1301 (2005).
17. R. J. Powell and W. E. Spicer, Phys. Rev. B 2, 2182 (1970).
18. J. F. Gibbons and W. E. Beadle, Solid-State Electron. 7, 785 (1964);
19. W. R. Hiatt and T. W. Hickmott, Appl. Phys. Lett. 6, 106 (1965)
20. ; T. W. Hickmott, J. Opt. Soc. Am. 6, 828 (1969);
21. J. G. Simmons and R. R. Verderber, Proc. R. Soc. London, Ser. A 301, 77 (1967).