Electrical conductance and breakdown in individual CN x multiwalled nanotubes

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 14, 2006, Pages

  Burch, Hilary J ^a   Davies, Julia A ^a,b   Brown, Elisabetta ^a   Hao, Ling ^a   Contera, Sonia Antoranz ^b   Grobert, Nicole ^b   Ryan, J F ^b  

^a NATIONAL PHYSICAL LABORATORY   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF OXFORD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DATE MEASUREMENTS; MULTIWALLED NANOTUBES; TUBE CHIRALITY;

DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRIC CONDUCTANCE; ELECTRIC VARIABLES MEASUREMENT; ELECTRONIC STRUCTURE; NITROGEN; THRESHOLD VOLTAGE;

CARBON NANOTUBES;

EID: 33749471650     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2358308     Document Type: Article

References (24)

1. S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker, Nature (London) 393, 49 (1998).
2. R. Saito, M. Fujita, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 60, 2204 (1992).
3. P. Delaney, M. Di Ventra, and S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 75, 3787 (1999).
4. R. Czerw, M. Terrones, J.-C. Charlier, X. Blase, B. Foley, R. Kamalakaran, N. Grobert, H. Terrones, D. Tekleab, P. M. Ajayan, W. Blau, M. Rühle, and D. L. Carroll, Nano Lett. 1, 457 (2001).
5. K. Liu, Ph. Avouris, R. Martel, and W. K. Hsu, Phys. Rev. B 63, 161404 (2001).
6. D. Golberg, P. S. Dorozhkin, Y. Bando, Z.-C. Dong, C. C. Tang, Y. Uemura, N. Grobert, M. Reyes-Reyes, H. Terrones, and M. Terrones, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 76, 499 (2003).
7. X. Wang, Y. Liu, D. Zhu, L. Zhang, H. Ma, M. Yao, and B. Zhang, J. Phys. Chem. B 106, 2186 (2002).
8. F. Villalpando-Páez, A. H. Romero, E. Muoz-Sandoval, L. M. Martínez, H. Terrones, and M. Terrones, Chem. Phys. Lett. 386, 137 (2004).
9. K. Xiao, Y. Liu, P. Hu, G. Yu, Y. Sun, and D. Zhu, J. Am. Chem. Soc. 127, 8614 (2005).
10. M. Terrones, N. Grobert, J. Olivares, J. P. Zhang, H. Terrones, K. Kordatos, W. K. Hsu, J. P. Hare, P. D. Townsend, K. Prassides, A. K. Cheetham, H. W. Kroto, and D. R. M. Walton, Nature (London) 388, 52 (1997).
11. H. J. Choi, J. Ihm, S. G. Louie, and M. L. Cohen, Phys. Rev. Lett. 84, 2917 (2000).
12. P. G. Collins, M. S. Arnold, and P. Avouris, Science 292, 706 (2001).
13. B. Bourlon, D. C. Glattli, B. Pla̧ais, J. M. Berroir, C. Miko, L. Forró, and A. Bachtold, Phys. Rev. Lett. 92, 026804 (2004).
14. M. Reyes-Reyes, N. Grobert, R. Kamalakaran, T. Seeger, D. Golberg, M. Rühle, Y. Bando, H. Terrones, and M. Terrones, Chem. Phys. Lett. 396, 167 (2004).
15. Asylum Research.
16. E. Brown, L. Hao, J. C. Gallop, and J. C. Macfarlane, Appl. Phys. Lett. 87, 023107 (2005).
17. P. Dorozhkin, H. Nejoh, and D. Fujita, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1044 (2002).
18. T. D. Yuzvinsky, W. Mickleson, S. Aloni, S. L. Konsek, A. M. Fennimore, G. E. Begtrup, A. Kis, B. C. Regan, and A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 87, 083103 (2005).
19. C. Berger, Y. Yi, J. Gezo, P. Poncharal, and W. A. de Heer, New J. Phys. 5, 158.1 (2003).
20. P. Poncharal, C. Berger, Y. Yi, L. Wang, and W. A. de Heer, J. Phys. Chem. B 106, 12104, (2002).
21. S. Frank, P. Poncharal, Z. L. Wang, and W. A. de Heer, Science 280, 1744 (1998).
22. S. Latil, S. Roche, D. Mayou, and J.-C. Charlier, Phys. Rev. Lett. 92, 256805 (2004).
23. M. Tsutsui, S. Mitsuya, S. Kurokawa, and A. Sakai, Nanotechnology 16, 1863 (2005).
24. J. Y. Huang, S. Chen, S. H. Jo, Z. Wang, D. X. Han, G. Chen, M. S. Dresselhaus, and Z. F. Ren, Phys. Rev. Lett. 94, 236802 (2005).