High-resolution X-ray photoelectron spectroscopy of chlorine-terminated GaAs(111)A surfaces

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 110, Issue 32, 2006, Pages 15641-15644

  Traub, Matthew C ^a   Biteen, Julie S ^a   Michalak, David J ^a   Webb, Lauren J ^a   Brunschwig, Bruce S ^a   Lewis, Nathan S ^a  

^a California Institute of Technology   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMS; BINDING ENERGY; CHLORINE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SURFACE STRUCTURE;

FUNCTIONALIZATION; WET CHEMICAL ETCHING;

X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EID: 33748532486     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp061623n     Document Type: Article

References (24)

1. Sandroff, C. J.; Nottenburg, R. N.; Bischoff, J. C; Bhat, R. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 33-35.
2. Yablonovitch, E.; Sandroff, C. J.; Bhat, R.; Gmitter, T. Appl. Phys. Lett. 1987, 57, 439-441.
3. Lunt, S. R.; Santangelo, P. G.; Lewis, N. S. J. Vac. Sci. Technol., B 1991, 9, 2333-2336.
4. Li, Z. S.; Cai, W. Z.; Su, R. Z.; Dong, G. S.; Huang, D. M.; Ding, X. M. ; Hou, X. Y.; Wang, X. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 3425-3427.
5. Adlkofer, K.; Tanaka, M.; Hillebrandt, H.; Wiegand, G.; Sackmann, E.; Bolom, T.; Deutschmann, R.; Abstreiter, G. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3313-3315.
6. Adlkofer, K.; Eck, W.; Grunze, M.; Tanaka, M. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 587-591.
7. Fan, J. F.; Oigawa, H.; Nannichi, Y. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 1988, 27, L1331-L1333.
8. Tarui, Y.; Komiya, Y.; Harada, Y. J. Electrochem. Soc. 1971, 118, 118.
9. Lu, Z. H.; Chatenoud, F.; Dion, M. M.; Graham, M. J.; Ruda, H. E.; Koutzarov, I.; Liu, Q.; Mitchell, C. E. J.; Hill, I. G.; McLean, A. B. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 670-672.
10. Lu, Z. H.; Tyliszczak, T.; Hitchcock, A. P. Phys. Rev. B 1998, 58, 13820-13823.
11. Bansal, A.; Li, X. L.; Yi, S. I.; Weinberg, W. H.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 10266-10277.
12. Webb, L. J.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 5404-5412.
13. Keister, J. W.; Rowe, J. E.; Kolodziej, J. J.; Niimi, H.; Tao, H. S.; Madey, T. E.; Lucovsky, G. J. Vac. Sci. Technol., A 1999, 17, 1250-1257.
14. Seah, M. P. In Practical Surface Analysis; 2nd ed.; Briggs, D., Seah, M. P., Eds.; John Wiley & Sons: Chichester, 1990; Vol. 1, pp 201-255.
15. Sze, S. M. The Physics of Semiconductor Devices; 2nd. ed.; John Wiley & Sons: New York, 1981.
16. Proctor, A.; Sherwood, P. M. A. Anal. Chem. 1982, 54, 13-19.
17. Shirley, D. A. Phys. Rev. B 1972, 5, 4709.
18. Contini, G.; Turchini, S. Comput. Phys. Commun. 1996, 94, 49-52.
19. Liu, Z. F.; Bancroft, G. M.; Cutler, J. N.; Sutherland, D. G.; Tan, K. H.; Tse, J. S.; Cavell, R. G. Phys. Rev. A 1992, 46, 1688-1691.
20. Eastman, D. E.; Chiang, T. C.; Heimann, P.; Himpsel, F. J. Phys. Rev. Lett. 1980, 45, 656-659.
21. Shalvoy, R. B.; Fisher, G. B.; Stiles, P. J. Phys. Rev. B 1977, 15, 1680-1697.
22. Surdu-Bob, C. C.; Saied, S. O.; Sullivan, J. L. Appl. Surf. Sci. 2001, 183, 126-136.
23. Webb, L. J.; Nemanick, E. J.; Biteen, J. S.; Knapp, D. W.; Michalak, D. J.; Traub, M. C.; Chan, A. S. Y.; Brunschwig, B. S.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 3930-3937.
24. Traub, M. C.; Biteen, J. S.; Michalak, D. J.; Webb, L. J.; Brunschwig, B. S.; Lewis, N. S. To be submitted.