A dynamic random access memory based on a conjugated copolymer containing electron-donor and -acceptor moieties

Angewandte Chemie - International Edition

Volumn 45, Issue 18, 2006, Pages 2947-2951

  Ling, Qi Dan ^a   Song, Yan ^a   Lim, Siew Lay ^a   Teo, Eric Yeow Hwee ^a   Tan, Yoke Ping ^a   Zhu, Chunxiang ^a   Chan, Daniel Siu Hhung ^a   Kwong, Dim Lee ^b   Kang, En Tang ^a   Neoh, Koon Gee ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

Author keywords

Conjugation; Dynamic memory; Materials science; Polymers

Indexed keywords

ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRONS; RANDOM ACCESS STORAGE; STRESS ANALYSIS; STRUCTURE (COMPOSITION);

CONJUGATION; DYNAMIC MEMORY; ERASE VOLTAGES; READ VOLTAGE;

COPOLYMERS;

EID: 33745969071     PISSN: 14337851     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/anie.200504365     Document Type: Article

References (27)

1. F. M. Raymo, Adv. Mater. 2002, 14, 401.
2. C. Li, D. H. Zhang, X. L. Liu, S. Han, T. Tang, C. W. Zhou, W. Fan, J. Koehne, J. Han, M. Meyyappan, A. M. Rawlett, D. W. Price, J. M. Tour, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 645.
3. S. R. Forrest, Nature 2004, 428, 911.
4. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, A. B. Holmes, Nature 1990, 347, 539.
5. F. Garnier, R. Hajlaoui, A. Yassar, P. Srivastava, Science 1994, 265, 1684.
6. N. Tessler, G. J. Denton, R. H. Friend, Nature 1996, 382, 695.
7. M. Granstrom, K. Petritsch, A. C. Arias, A. Lux, M. R. Andersson, R. H. Friend, Nature 1998, 395, 257.
8. H. Goto, E. Yashima, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 7943.
9. Q. Li, G. Mathur, S. Gowda, S. Surthi, Q. Zhao, L. Yu, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, V. Misra, Adv. Mater. 2004, 16, 133.
10. J. Ouyang, C. W. Chu, C. R. Szmanda, L. P. Ma, Y. Yang, Nat. Mater. 2004, 3, 918.
11. S. Moller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, S. R. Forrest, Nature 2003, 426, 166.
12. A. Stikeman, Technol. Rev. 2002, 105, 31.
13. Z. M. Liu, A. A. Yasseri, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, Science 2003, 302, 1543.
14. D. M. Taylor, C. A. Mills, J. Appl. Phys. 2001, 90, 306.
15. S. Moller, S. R. Forrest, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, J. Appl. Phys. 2003, 94, 7811.
16. A. Bandyopadhyay, A. J. Pal, Adv. Mater. 2003, 15, 1949.
17. R. J. Tseng, J. X. Huang, J. Ouyang, R. B. Kaner, Y. Yang, Nano Lett. 2005, 5, 1077.
18. C. W. Chu, J. Ouyang, J. H. Tseng, Y. Yang, Adv. Mater. 2005, 17, 1440.
19. Q. D. Ling, Y. Song, S. J. Ding, C. X. Zhu, D. S. H. Chan, D. L. Kwong, E. T. Kang, K. G. Neoh, Adv. Mater. 2005, 17, 455.
20. Y. Song, Q. D. Ling, C. X. Zhu, E. T. Kang, D. S. H. Chan, Y. H. Wang, D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 2006, 27, 154..
21. Gaussian 03 (Revision C.02): M. J. Frisch et al., see Supporting Information.
22. C. A. Mills, D. M. Taylor, A. Riul, A. P. Lee, J. Appl. Phys. 2002, 91, 5182.
23. A. Bandyopadhyay, A. J. Pal, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1215, and references therein.
24. Q. D. Ling, E. T. Kang, K. G. Neoh, W. Huang, Macromolecules 2003, 36, 6995.
25. A. Fürstner, F. Stelzer, A. Rumbo, H. Krause, Chem. Eur. J. 2002, 8, 1856.
26. X. W. Zhan, Y. Q. Liu, X. Wu, S. Wang, D. B. Zhu, Macromolecules 2002, 35, 2529.
27. L. S. Tan, J. L. Burkett, S. R. Simko, M. D. Alexander, Jr., Macromol. Rapid Commun. 1999, 20, 16.