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Volumn 24, Issue 4, 2006, Pages 1648-1651

Annealing temperature effects on the structure of ferromagnetic Mn-implanted Si

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ANNEALING TEMPERATURE; OPTIMUM FIELD STRENGTH; POINT-DEFECT; WAFERS;

EID: 33745507997     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2194921     Document Type: Article
Times cited : (27)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.