Defect-induced ferromagnetism in Co-doped ZnO

Advanced Materials

Volumn 18, Issue 11, 2006, Pages 1449-1452

  Khare, Neeraj ^a,b   Kappers, Menno J ^a   Wei, Ming ^a   Blamire, Mark G ^a   MacManus Driscoll, Judith L ^a  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

^b INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY DELHI   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARRIER COMMUNICATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COBALT; DEFECTS; DOPING (ADDITIVES); EPITAXIAL GROWTH; FERROMAGNETISM; ZINC OXIDE;

DEFECT-INDUCED FERROMAGNETISM; GROWTH TEMPERATURE; STRUCTURAL DEFECTS; ULTRASONIC-ASSISTED SOLUTION CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (UASCVD);

THIN FILMS;

EID: 33745173821     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200502200     Document Type: Article

References (28)

1. S.A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, D. Treger, Science 2001, 294, 1488.
2. H. Ohno, Science 1998, 281, 951.
3. J. M. D. Coey, M. Venkatesan, C. B. Fitzgerald, Nat. Mater. 2005, 4, 173.
4. K. Ueda, H. Tabata, T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 988.
5. P. Sharma, A. Gupta, K. V. Rao, F. J. Owens, R. Sharma, R. Ahuja, J. M. O. Guillen, B. Johansson, G. A. Gehring, Nat. Mater. 2003, 2, 673.
6. Y. Malsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, H. Koinuma, Science 2001, 291, 854.
7. J. M. D. Coey, A. P. Douvalis, C. B. Fitzgerald, M. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1332.
8. S. N. Kale, S. B. Ogala, S. R. Shinde, M. Sahasrahuddhe, V. N. Kulkarni, R. L. Greene, T. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2100.
9. S. Ramachandran, A. Tiwari, J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 5255.
10. B. Martinez, F. Sandiumenge, L. Balcells, J. Arbiol, F. Sibieude, C. Monty, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 103 113.
11. H. Toyasaki, T. Fukumura, Y. Yamada, M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 182503.
12. M. Wei, N. Braddon, D. Zhi, P. A. Midgley, S. K. Chen, M. G. Blamire, J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 072 514.
13. K. R. Kittilstved, N. S. Norberg, D. R. Gamelin, Phys. Rev. Lett. 2005, 94, 147209.
14. M. H. F. Sluiter, Y. Kawazoe, P. Sharma, A. Inoue, A. R. Raju, C. Rout, U. V. Waghmare, Phys. Rev. Lett. 2005, 94, 187204.
15. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand, Science 2000, 287, 1019.
16. K. Sato, H. Katyama-Yoshida, Semicon. Sci. Technol. 2002, 17, 367.
17. A. Kaminski, S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett. 2002, 88, 247 202.
18. A.C. Durst, R. N. Bhatt, P. A. Wolf, Phys. Rev. B 2002, 65, 235 205.
19. J. Rager, A. Berenov, L. F. Cohen, W. R. Branford, Y. V. Bugoslavsky, Y. Miyoshi, M. Ardakani, J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 5003.
20. V. Moshnyaga, B. Damaschke, O. Shapoval, A. Belenchuk, J. Faupel, O. I. Lebedev, J. Verbeeck, G. Van Tendeloo, M. Mucksch, V. Tsurkan, R. Tidecks, K. Samwer, Nat. Mater. 2003, 2, 247.
21. E. G. Bylander, J. Appl. Phys. 1978, 49, 1188.
22. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, J. A. Voigt. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 403.
23. R. J. D. Tilley. Principles and Applications of Chemical Defects, Blackie Academic & Professional, New York, 1998.
24. M. Venkatesan, C. B. Fitzgerald, J. G. Lunney, J. M. D. Coey. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 177 206.
25. S. H. Jeong, J. K. Kim, B. T. Lee, J. Phys. D: Appl. Phys. 2003, 36, 2017.
26. S. A. Studenikin, N. Golego, M. Cocivera, J. Appl. Phys. 2000, 87, 2413.
27. D. A. Schwartz, D. R. Gamelin, Adv. Mater. 2004, 16, 2115.
28. Z. Jin, T. Fukumura, M. Kawasaki, K. Ando, H. Saito, T. Sekiguchi, Y. Z. Yoo, M. Murakami, Y. Matsumoto, T. Hasegawa, H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3824.