Overannealing effects in GaInNAs(Sb) alloys and their importance to laser applications

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 22, 2006, Pages

  Bank, Seth R ^a   Yuen, Homan B ^a   Bae, Hopil ^a   Wistey, Mark A ^a   Harris Jr , James S ^a  

^a STANFORD UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURE; GROWTH CONDITIONS; LINEWIDTH; OVERANNEALING EFFECTS;

ANNEALING; CLADDING (COATING); COMPOSITION; LASER APPLICATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 33744811391     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2208375     Document Type: Article

References (21)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. K. D. Choquette, J. F. Klem, A. J. Fischer, O. Blum, A. A. Allerman, I. J. Fritz, S. R. Kurtz, W. B. Breiland, R. Sieg, K. M. Geib, J. W. Scott, and R. L. Naone, Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
3. N. Tansu and L. J. Mawst, IEEE Photonics Technol. Lett. 14, 444 (2002).
4. G. Jaschke, R. Averbeck, L. Geelhaar, and H. Riechert, J. Cryst. Growth 278, 224 (2005).
5. X. Yang, M. J. Jurkovic, J. B. Heroux, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 178 (1999).
6. H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama, and A. Kasukawa, Electron. Lett. 36, 1379 (2000).
7. L. H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, K. Merghem, L. Travers, and J. C. Harmand, Electron. Lett. 39, 519 (2003).
8. V. Gambin, W. Ha, M. A. Wistey, H. B. Yuen, S. R. Bank, S. M. Kim, and J. S. Harris, Jr., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 795 (2002).
9. S. R. Bank, M. A. Wistey, H. B. Yuen, L. L. Goddard, W. Ha, and J. S. Harris, Jr., IEEE J. Quantum Electron. 40, 656 (2004).
10. S. R. Bank, M. A. Wistey, H. B. Yuen, L. L. Goddard, W. Ha, and J. S. Harris, Jr., Electron. Lett. 40, 1186 (2004).
11. S. R. Bank, M. A. Wistey, H. B. Yuen, H. P. Bae, L. L. Goddard, and J. S. Harris, Jr., Spring 2005 MRS Meeting, San Francisco, CA, March 2005 (unpublished).
12. J. A. Gupta, P. Barrios, X. Zhang, G. Pakulski, and X. Wu, 47th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, CA, June 2005 (unpublished).
13. M. Fischer, D. Gollub, M. Reinhardt, M. Kamp, and A. Forchel, J. Cryst. Growth 251, 353 (2003).
14. E. V. Rao, A. Ougazzaden, Y. Le Bellego, and M. Juhel, Appl. Phys. Lett. 72, 1409 (1998).
15. T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L298 (1999).
16. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, M. Kondow, and C. W. Tu, J. Cryst. Growth 201-202, 419 (1999).
17. S. Govindaraju, J. M. Reifsnider, M. M. Oye, and A. L. Holmes, Jr., J. Electron. Mater. 33, 851 (2004).
18. G. Mussler, J.-M. Chauveau, A. Trampert, M. Ramsteiner, L. Däweritz, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 267, 60 (2004).
19. Sylvia G. Spruytte, Ph.D. thesis, Stanford University, 1999.
20. J. S. Harris, J. W. Mayer, F. H. Eisen, J. D. Haskell, B. Welch, and R. D. Pashley, Appl. Phys. Lett. 21, 601 (1972).
21. H. B. Yuen, S. R. Bank, H. P. Bae, M. A. Wistey, and J. S. Harris, J. Appl. Phys. 99, 093504 (2006).