Polarization fatigue of ferroelectric Pb(Zr0.1Ti 0.9)O3 thin films: Temperature dependence

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 4, 2006, Pages

  Wang, Y ^a   Wang, K F ^a   Zhu, C ^a   Liu, J M ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AGGLOMERATION; DIFFUSION; FATIGUE OF MATERIALS; LEAD COMPOUNDS; THIN FILMS;

DOMAIN PINNING; ELECTRICAL PULSES; POLARIZATION FATIGUE;

FERROELECTRIC MATERIALS;

EID: 33644607477     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2172847     Document Type: Article

References (27)

1. J. F. Scott and C. A. Araujo, Science 246, 1400 (1989).
2. O. Auciello, J. F. Scott, and R. Ramesh, Phys. Today 51 (7), 22 (1998).
3. C. A. P. de Araujo, J. D. Cuchiare, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
4. S. E. Moon, T. K. Song, S. B. Back, S.-I. Kwun, J.-G. Yoon, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 2827 (1999).
5. M. Dawber and J. F. Scott, Appl. Phys. Lett. 76, 1060 (2000).
6. J. F. Scott and M. Dawber, Appl. Phys. Lett. 76, 3801 (2000).
7. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, R. D. Nasby, and G. E. Pike, Appl. Phys. Lett. 65, 1018 (1994).
8. J. Lee, S. Esayan, A. Safari, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 65, 254 (1994).
9. A. K. Tagantsev, M. Landivar, E. Colla, and N. Setter, J. Appl. Phys. 78, 2623 (1995).
10. A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, E. L. Colla, and N. Setter, J. Appl. Phys. 90, 1387 (2001).
11. J. J. Lee, C. L. Thio, and S. B. Desu, J. Appl. Phys. 78, 5073 (1995).
12. H. N. Al-Shareef, B. A. Tuttle, W. L. Warren, D. Dimos, M. V. Raymond, and M. A. Rodriguez, Appl. Phys. Lett. 68, 272 (1996).
13. W. B. Wu, K. H. Wong, C. L. Choy, and Y. H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 77, 3441 (2000).
14. H. N. Al-Shareef, D. Dimos, T. J. Boyle, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Appl. Phys. Lett. 68, 690 (1996).
15. B. H. Park, S. J. Hyun, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, H.-D. Kim, T. H. Kim, and W. Jo, Appl. Phys. Lett. 74, 1907 (1999).
16. B. S. Kang, B. H. Park, S. D. Bu, S. H. Kang, and T. W. Noh, Appl. Phys. Lett. 75, 2644 (1999).
17. S. B. Majumder, Y. N. Mohapatra, and D. C. Agrawal, Appl. Phys. Lett. 70, 138 (1997).
18. J. L. Sun, J. Chen, X. J. Meng, J. Yu, L. X. Bo, S. L. Guo, and J. H. Chu, Appl. Phys. Lett. 80, 3584 (2002).
19. S. H. Kim, Y. S. Choi, C. E. Kim, and D. Y. Yang, Thin Solid Films 325, 72 (1998).
20. I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter, J. S. Cross, and M. Tsukada, Appl. Phys. Lett. 74, 3552 (1999).
21. Ferroelectrics Memories, edited by, J. F. Scott, (Springer, Heidelberg, 2000), pp. 132-142.
22. C. Brennan, Ferroelectrics 150, 199 (1993).
23. D. Dimos, H. A. Al-Shareef, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, J. Appl. Phys. 80, 1682 (1996).
24. S. Zafar, E. J. Robert, J. Bo, W. Bruce, C. Peir, D. Taylor, and G. Sherry, Appl. Phys. Lett. 73, 175 (1998).
25. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
26. G. L. Yuan, J.-M. Liu, S. T. Zhang, D. Wu, Y. P. Wang, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 84, 954 (2004).
27. G. L. Yuan, J.-M. Liu, Y. P. Wang, D. Wu, S. T. Zhang, Q. Y. Shao, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 84, 3352 (2004).