Multifunctional characteristics of BaNb 0.3Ti 0.7O 3/Si p-n junctions

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 6, 2006, Pages

  Huang, Yanhong ^a   Zhao, Kun ^a   Lu, Huibin ^a   Jin, Kui Juan ^a   He, Meng ^a   Chen, Zhenghao ^a   Zhou, Yueliang ^a   Yang, Guozhen ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LASER MOLECULAR-BEAM EPITAXY; ULTRAFAST PHOTOELECTRIC EFFECT;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; FERROELECTRICITY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOELECTRICITY; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; ULTRAFAST PHENOMENA;

BARIUM COMPOUNDS;

EID: 32444434458     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2172290     Document Type: Review

References (21)

1. N. K. Kim, S. G. Yoon, W. J. Lee, and H. G. Kim, J. Mater. Res. 12, 1160 (1997).
2. D. Geschke, N. Leister, M. Steffen, H. J. Glasel, and E. Hartmann, J. Mater. Sci. Lett. 16, 1943 (1997).
3. K. Nashimoto, D. K. Fork, F. A. Ponce, and J. C. Tramontana, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4099 (1993).
4. M. Sayer and K. Sreeniras, Science 247, 1056 (1990).
5. R. E. Chen, Nature (London) 358, 136 (1992).
6. H. Shigetani, K. Kobayashi, M. Fujimoto, W. Sugimura, Y. Matsui, and J. Tanaka, J. Appl. Phys. 81, 693 (1997).
7. D. F. Cui, H. S. Wang, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, H. B. Lu, G. Z. Yang, K. Ma, H. Chen, L. Li, W. Liu, and Y. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 275 (1997).
8. S. R. Gilbert, L. A. Wills, B. W. Wessels, J. L. Schindler, J. A. Thomas, and C. R. Kannewurf, J. Appl. Phys. 80, 969 (1996).
9. L. Yan, H. B. Lu, Z. H. Chen, S. Y. Dai, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, J. Cryst. Growth 244, 255 (2002).
10. K. Kowalski, M. Ijjaali, T. Bak, B. Dupre, J. Nowotny, M. Rekas, and C. C. Sorrell, J. Phys. Chem. Solids 62, 543 (2001).
11. L. F. Liu, H. Z. Guo, H. B. Lu, S Y Dai, B. L. Cheng, and Z. H. Chen, J. Appl. Phys. 97, 054102 (2005).
12. J. Y. Chang, C. F. Chu, C. Y. Huang, and R. R. Yueh, J. Appl. Phys. 85, 2318 (1999).
13. F. Amy, A. S. Wan, A. Kahn, F. J. Walker, and R. S. Mckee, J. Appl. Phys. 96, 1635 (2004).
14. H. B. Lu, S. Y. Dai, F. Chen, L. Yan, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Ferroelectrics 271, 125 (2002).
15. G. Z. Yang, H. B. Lu, F. Chen, T. Zhao, and Z. H. Chen, J. Cryst. Growth, 227-228, 929 (2001).
16. H. B. Lu, K. -J. Jin, Y. H. Huang, M. He, K. Zhao, Y. L. Zhou, B. L. Cheng, Z. H. Chen, S. Y. Dai, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 86, 241915 (2005).
17. B. H. Park, S. J. Hyun, C. R. Moon, B. D. Choe, J. Lee, C. Y. Kim, W. Jo, and T. W. Noh, J. Appl. Phys. 84, 4428 (1998).
18. Y. Li, L. Z. Hao, H. Deng, F. G. Chen, and Y. R. Li, J. Appl. Phys. 97, 094103 (2005).
19. K. Zhao, Y. H. Huang, Q. L. Zhou, K.-J. Jin, H. B. Lu, M. He, B. L. Cheng, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 86, 221917 (2005).
20. W. F. Zhang, Y. B. Huang, M. S. Zhang, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 76, 1003 (2000).
21. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Prentice-Hall, New Jersey, 1971).