Formation of Si clusters and their role in homoepitaxial growth on Si(1 1 1)-7 × 7 surfaces

Surface Science

Volumn 564, Issue 1-3, 2004, Pages 93-107

  Ho, Mon Shu ^a   Hwang, Ing Shouh ^b   Tsong, Tien T ^b  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (Taiwan)

Author keywords

Clusters; Epitaxy; Growth; Nucleation; Scanning tunneling microscopy; Silicon

Indexed keywords

ACTIVATION ANALYSIS; EPITAXIAL GROWTH; NUCLEATION; PHASE EQUILIBRIA; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS;

HOMOEPITAXIAL GROWTH; MAGIC CLUSTER; MASS TRANSPORT;

SILICON;

EID: 3242878902     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.susc.2004.05.137     Document Type: Article

References (31)

1. Jarrold M.F. Science. 252:1991;1085.
2. Grossman J.C., Mitáš L. Phys. Rev. Lett. 74:1995;20.
3. Kaxiras E., Jackson K. Phys. Rev. Lett. 71:1993;727.
4. Ho K.-M., et al. Nature. 392:1998;582.
5. Vacsiliev I., Ögüt S., Chelikowsky J.R. Phys. Rev. Lett. 78:1997.
6. Sun D.Y., Gong X.G. Surf. Sci. 445:2000;48.
7. Lai M.Y., Wang Y.L. Phys. Rev. Lett. 81:1998;6.
8. Rosenfeld G., Becker A.F., Poelsema B., Verheij L.K., Comsa G. Phys. Rev. Lett. 69:1992;917.
9. Tokumoto H., Iwatsuki M. Jpn. J. Appl. Phys. 32:1993;1368.
10. Kitamura S.-I., Sato T., Iwatsuki M. Nature. 31:1991;215.
11. Venables J.A., Spiller G.D.T., Hanbücken M. Rep. Prog. Phys. 47:1984;399.
12. Micheley T., Hohage M., Esch S., Comsa G. Surf. Sci. 349:1995;L89.
13. Voigtländer B., Kästner M., Šmilauer P. Phys. Rev. Lett. 81:1998.
14. Voigtländer B., Weber T. Phy. Rev. Lett. 77:1996.
15. Köhler U., Demuth J.E., Hamers R.J. J. Vac. Sci. Technol., A. 7:1989;2860.
16. Tochihara H., Shimada W. Surf. Sci. 296:1993;186.
17. Hasegawa T., Kohno M., Hosaka S., Hosoki S. Phys. Rev. B. 48:1993.
18. Shimada W., Tochihara H. Surf. Sci. 311:1994;107.
19. Shigeta Y. Surf. Rev. Lett. 5:1998;865.
20. Yang Y.-N., Williams E.D. Phys. Rev. Lett. 72:1994;1862.
21. Hwang I.-S., Lo R.-L., Tsong T.T. Surf. Sci. 367:1996;L47.
22. Klitsner T., Nelson J.S. Phys. Rev. Lett. 67:1991;3800.
23. Sato T., Kitamura S.-I., Iwatsuki M. Surf. Sci. 445:2000;130.
24. Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi M., Motoyoshi H., Yagi K. J. Vac. Sci. Technol., A. 3:1985;1502 Takayagi K., Tanishiro Y., Takahashi S., Takahashi M. Surf. Sci. 164:1985;367.
25. Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi M., Motoyoshi H., Yagi K. J. Vac. Sci. Technol., A. 3:1985;1502 Takayagi K., Tanishiro Y., Takahashi S., Takahashi M. Surf. Sci. 164:1985;367.
26. Ganz E., Thesis S.K., Hwang L.-S., Golovchenko J. Phys. Rev. Lett. 68:1992;1567.
27. Luedtke W.D., Landman U. Phys. Rev. Lett. 82:1999;3835.
28. Krylov S.Yu. Phys. Rev. Lett. 83:1999;4602.
29. Ichimiya A., Tanaka Y., Ishiyama K. Phys. Rev. Lett. 76:1996;4721.
30. Hoshino T., Kokubun K., Kumamoto K., Ishimaru T., Ohdomari I. Jpn. J. Appl. Phys. 34, Part 1, No. 6B:1995;3346.
31. Hoshino T., Kokubun K., Fujiwara H., Kumamoto K., Ishimaru T., Ohdomari I. Phys. Rev. Lett. 75:1995;2372.