Carrier recombination kinetics in (3 1 1)A InGaAs sidewall quantum wires

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures

Volumn 23, Issue 3-4 SPEC. ISS., 2004, Pages 449-454

  Alderighi, D ^a   Zamfirescu, M ^a   Gurioli, M ^a   Vinattieri, A ^a   Colocci, M ^a   Sanguinetti, S ^b   Notzel R ^c   Povolotskyi, M ^d   Gleize, J ^d   Di Carlo, A ^d  

^a UNIVERSITY OF FLORENCE   (Italy)

^b UNIVERSITY OF MILANO BICOCCA   (Italy)

^c EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^d UNIVERSITY OF ROME TOR VERGATA   (Italy)

Author keywords

Piezoelectric materials; Quantum wires; Stark effect

Indexed keywords

CHARGE CARRIERS; ELECTRON ABSORPTION; HOLE MOBILITY; PHOTOLUMINESCENCE; PIEZOELECTRIC DEVICES; PROBABILITY; QUANTUM THEORY; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES;

COULOMB INTERACTION; OPTICAL TRANSITION; STARK EFFECT; TEMPERATURE DEPENDENCE;

SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 3142784259     PISSN: 13869477     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.physe.2004.02.008     Document Type: Conference Paper

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