Fluorination induced etching selectivity of boron nitride phases

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 108, Issue 23, 2004, Pages 7597-7602

  Zhang, R Q ^a   Zhang, Dongju ^a   Zhao, Y L ^a   Lee, S T ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COMPUTATIONAL METHODS; DIAMONDS; ELECTRONIC STRUCTURE; ETCHING; FLUORINE COMPOUNDS; HYDROGEN; METALLIC FILMS; NITRIDES; SYNTHESIS (CHEMICAL);

BORON NITRIDE (BN); FLUORINATION; HARTREE-FOCK CALCULATIONS; MOLECULAR ORBITALS;

BORON COMPOUNDS;

EID: 3042545754     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp037875v     Document Type: Article

References (21)

1. Mendes, R. C.; Corat, E. J.; Trava-Airoidi, V. J.; Ferreira, N. G.; Leite, N. F.; Iha, K. Diamond Relat. Mater. 1997, 6, 490.
2. Loh, K. P.; Foord, J. S.; Jackman, R. B.; Singh, N. K. Diamond Relat. Mater. 1996, 5, 231.
3. Zhang, R. Q.; Chu, T. S.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 227.
4. Zhang, R. Q.; Chu, T. S.; Lee, C. S.; Lee, S. T. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 6761.
5. Kalss, W.; Haubner, R.; Lux, B. Diamond Relat. Mater. 1998, 7, 369.
6. Matsumoto, S.; Nishida, N.; Akashi, K.; Sugai, K. J. Mater. Sci. 1996, 31, 713.
7. Matsumoto, S.; Zhang, W. J. Diamond Relat. Mater. 2001, 10, 1868.
8. Zhang, W. J.; Matsumoto, S. Chem. Phys. Lett. 2000, 330, 243.
9. Zhang, W. J.; Matsumoto, S.; Kurashima, K.; Bando, Y. Diamond Relat. Mater. 2001, 10, 1881.
10. Larsson, K.; Carlsson, J. O. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 6533.
11. Fukui, K.; Fujimoto, H. Frontier Orbitals and Reaction Path: Selected Papers of Kenichi Fukui; World Scientific: Singapore, 1997.
12. Hoffmann, R. Rev. Mod. Phys. 1988, 60, 601.
13. Zhang, R. Q.; Chu, T. S.; Cheung, H. F.; Wang, N.; Lee, S. T. Phys. Rev. B 2001, 64, 113304.
14. Zhang, R. Q.; Chan, K. S.; Zhu, R. S.; Han, K. L. Phys. Rev. B 2001, 63, 085419.
15. Zhang, R. Q.; Wang, J. J.; Dai, G. C.; Wu, J. A.; Zhang, J. P.; Xing, Y. R. Chin. J. Semicond. (Overseas Ed.) 1988, 10, 327.
16. Zhang, R. Q.; Lee, C. S.; Lee, S. T. J. Chem. Phys. 2000, 112, 8614.
17. Guerra, M. Chem. Phys. Lett. 1990, 167, 315.
18. Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Zakrzewski, V. G.; Montgomery, J. A., Jr.; Stratmann, R. E.; Burant, J. C.; Dapprich, S.; Millam, J. M.; Daniels, A. D.; Kudin, K. N.; Strain, M. C.; Farkas, O.; Tomasi, J.; Barone, V.; Cossi, M.; Cammi, R.; Mennucci, B.; Pomelli, C.; Adamo, C.; Clifford, S.; Ochterski, J.; Petersson, G. A.; Ayala, P. Y.; Cui, Q.; Morokuma, K.; Malick, D. K.; Rabuck, A. D.; Raghavachari, K.; Foresman, J. B.; Cioslowski, J.; Ortiz, J. V.; Baboul, A. G.; Stefanov, B. B.; Liu, G.; Liashenko, A.; Piskorz, P.; Komaromi, L; Gomperts, R.; Martin, R. L.; Fox, D. J.; Keith, T.; Al-Laham, M. A.; Peng, C. Y.; Nanayakkara, A.; Gonzalez, C.; Challacombe, M.; Gill, P. M. W.; Johnson, B.; Chen, W.; Wong, M. W.; Andres, J. L.; Gonzalez, C.; Head-Gordon, M.; Replogle, E. S.; Pople, J. A. Gaussian 98, Revision A.7; Gaussian, Inc.: Pittsburgh, PA, 1998.
19. Zhang, R. Q.; Chu, T. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Diamond Relat. Mater. 2000, 9, 1774.
20. Zhang, R. Q.; Bertran, E.; Lee, S. T. Diamond Relat. Mater. 1998, 7, 1663.
21. Zhang, R. Q.; Chan, K. S.; Cheung, H. F.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2259.