Field-induced current modulation in nanoporous semiconductor, electron-doped 12CaO·7Al2O3

Chemistry of Materials

Volumn 17, Issue 25, 2005, Pages 6311-6316

  Kamiya, Toshio ^a   Aiba, Shouzou ^a   Miyakawa, Masashi ^a   Nomura, Kenji ^a   Matsuishi, Satoru ^a   Hayashi, Katsuro ^a   Ueda, Kazushige ^a,b   Hirano, Masahiro ^a   Hosono, Hideo ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

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CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRONS; IONIZATION; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET); FIELD-INDUCED CURRENT MODULATION; NANOPOROUS SEMICONDUCTOR; OXYGEN ION;

POROUS MATERIALS;

EID: 29544442579     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm051904s     Document Type: Article

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