Organic field-effect transistors based on a crosslinkable polymer blend as the semiconducting layer

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 18, 2005, Pages 1-3

  Yan, He ^a   Yoon, Myung Han ^a   Facchetti, Antonio ^a   Marks, Tobin J ^a  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC LAYERS; ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS (OFET); SEMICONDUCTING BLEND;

CROSSLINKING; CURING; FIELD EFFECT TRANSISTORS; ORGANIC SOLVENTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SPIN COATING; THRESHOLD VOLTAGE;

POLYMER BLENDS;

EID: 27344452566     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2119418     Document Type: Article

References (25)

1. Z. N. Bao, J. A. Rogers, and H. E. Katz, J. Mater. Chem. 9, 1895 (1999).
2. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 99 (2002).
3. M. H. Yoon, D S. A. DiBenedetto, A. Facchetti, and T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 127, 1348 (2005).
4. R. A. Street and A. Salleo, Appl. Phys. Lett. 81, 2887 (2002).
5. J. F. Yuan, J. Zhang, J. Wang, X. J. Yan, D. H. Yan, and W. Xu, Appl. Phys. Lett. 82, 3967 (2003).
6. L. L. Chua, P. K. H. Ho, H. Sirringhaus, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 84, 3400 (2004).
7. H. Yan, Q. L. Huang, J. Cui, J. G. C. Veinot, M. M. Kern, and T. J. Marks, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 835 (2003).
8. M. Redecker, D. D. C. Bradley, M. Inbasekaran, W. W. Wu, and E. P. Woo, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 11, 241 (1999).
9. J. S. Kim, P. K. H. Ho, C. E. Murphy, N. Baynes, and R. H. Friend, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 206 (2002).
10. L. Torsi, A. Dodabalapur, and H. E. Katz, J. Appl. Phys. 78, 1088 (1995).
11. A. B. Chwang and C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. B 104, 12202 (2000).
12. K. Seshadri and C. D. Frisbie, Appl. Phys. Lett. 78, 993 (2001).
13. H. Klauk, G. Schmid, W. Radlik, W. Weber, L. S. Zhou, C. D. Sheraw, J. A. Nichols, and T. N. Jackson, Solid-State Electron. 47, 297 (2003).
14. P. V. Necliudov, M. S. Shur, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, Solid-State Electron. 47, 259 (2003).
15. J. Cui, Q. Huang, J. G. C. Veinot, H. Yan, and T. J. Marks, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 565 (2002).
16. H. O. Finklea, L. R. Robinson, A. Blackburn, B. Richter, D. Allara, and T. Bright, Langmuir 2, 239 (1986).
17. A. B. Fischer, M. S. Wrighton, M. Umana, and R. W. Murray, J. Am. Chem. Soc. 101, 3442 (1979).
18. M. S. Wrighton, M. C. Palazzotto, A. B. Bocarsly, J. M. Bolts, A. B. Fischer, and L. Nadjo, J. Am. Chem. Soc. 100, 7264 (1978).
19. T. M. Owens, K. T. Nicholson, M. M. B. Holl, and S. Suzer, J. Am. Chem. Soc. 124, 6800 (2002).
20. T. M. Owens, S. Suzer, and M. M. B. Holl, J. Phys. Chem. B 107, 3177 (2003).
21. K. S. Schneider, W. Lu, D. R. Fosnacht, B. G. Orr, and M. M. B. Holl, Langmuir 20, 1258 (2004).
22. J. Cui, Q. Huang, J. C. G. Veinot, H. Yan, Q. Wang, G. R. Hutchison, A. G. Richter, G. Evmenenko, P. Dutta, and T. J. Marks, Langmuir 18, 9958 (2002).
23. H. Yan, Q. Huang, B. J. Scott, and T. J. Marks, Appl. Phys. Lett. 84, 3873 (2004).
24. G. B. Blanchet, C. R. Fincher, M. Lefenfeld, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 84, 296 (2004).
25. L. Burgi, H. Sirringhaus, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 80, 2913 (2002).