Photoinduced stress in a ZnSeGaAs epilayer containing 90°α partial dislocations

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 18, 2005, Pages 1-3

  Ohno, Yutaka ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; STRESS ANALYSIS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CATHODOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY; PHOTOINDUCED STRESS; PHOTON ENERGY;

ZINC COMPOUNDS;

EID: 27344444834     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2123392     Document Type: Article

References (27)

1. K. Katayama, H. Matsubara, F. Nakanishi, T. Nakamura, H. Doi, A. Saegusa, T. Mitsui, T. Matsuoka, M. Irikura, T. Takebe, S. Nishine, and T. Shirakawa, J. Cryst. Growth 214/215, 1064 (2000).
2. H. Wenisch, M. Fehrer, M. Klude, K. Ohkawa, and D. Hommel, J. Cryst. Growth 214/215, 1075 (2000).
3. K. Katayama, M. Adachi, T. Abe, A. Urata, S. Tsutsumi, N. Inoue, T. Nakamura, and K. Ando, J. Appl. Phys. 96, 6789 (2004).
4. D. Albert, J. Nurnberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger, and G. Landwehr, Appl. Phys. Lett. 74, 1957 (1999).
5. S. Gundel, D. Albert, J. Nurnberger, and W. Faschinger, Phys. Rev. B 60, R16271 (1999).
6. H. Ebe, B.-P. Zhang, F. Sakurai, Y. Segawa, K. Suto, and J. Nishizawa, Phys. Status Solidi B 229, 377 (2002).
7. S. Chuang, M. Ukita, S. Kijima, S. Taniguchi, and A. Ishibashi, Appl. Phys. Lett. 69, 1588 (1996).
8. W. Faschinger and J. Nurnberger, Appl. Phys. Lett. 77, 187 (2000).
9. E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, and A. Ishibashi, Electron. Lett. 34, 282 (1998).
10. S. Guha, J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qiu, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 3107 (1993).
11. S. Tomiya, E. Morita, M. Ukita, H. Okuyama, S. Itoh, K. Nakano, and A. Ishibashi, Appl. Phys. Lett. 66, 1208 (1995).
12. G. C. Hua, N. Otsuka, D. C. Grillo, Y. Fan, J. Han, M. D. Ringle, R. L. Gunshor, M. Hovinen, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 65, 1331 (1994).
13. S. Guha, J. M. DePuydt, J. Qiu, G. E. Hofler, M. A. Haase, B. J. Wu, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 3023 (1993).
14. Y. Ohno, N. Adachi, and S. Takeda, Appl. Phys. Lett. 83, 54 (2003).
15. Y. Ohno and S. Takeda, Rev. Sci. Instrum. 66, 4866 (1995).
16. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors (Springer, New York, 2001), p. 351.
17. S. Lavagne, C. Levade, and G. Vanderschaeve, Inst. Phys. Conf. Ser. 169, 219 (2001).
18. Y. Tang, D. H. Rich, E. H. Lingunis, and N. M. Haegel, J. Appl. Phys. 76, 3032 (1994).
19. Y. Ohno and S. Takeda, J. Electron. Microsc. 51, 281 (2002).
20. J. Schreiber, U. Hilpert, L. Horing, L. Worschech, B. Konig, W. Ossau, A. Waag, and G. Landwehr, Phys. Status Solidi B 222, 169 (2000).
21. I. Yonenaga, J. Appl. Phys. 84, 4209 (1998).
22. K. Maeda and S. Takeuchi, in Dislocation in Solids, edited by, F. R. N. Nabarro, and, M. S. Duesbery, (North-Holland, Amsterdam, 1996), p. 443.
23. Y. G. Shreter, Y. T. Rebane, O. V. Klyavin, P. S. Aplin, C. J. Axon, W. T. Young, and J. W. Steeds, J. Cryst. Growth 159, 883 (1996).
24. R. W. Nunes, J. Bennetto, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. Lett. 77, 1516 (1996).
25. S. Ha, M. Skowronski, J. J. Sumakeris, M. J. Paisley, and M. K. Das, Phys. Rev. Lett. 92, 175504 (2004).
26. M. S. Miao, S. Limpijumnong, and W. R. L. Lambrecht, Appl. Phys. Lett. 79, 4360 (2001).
27. A. Galeckas, J. Linnros, and P. Pirouz, Appl. Phys. Lett. 81, 883 (2002).