Effects of interfacial layers in InGaNGaN quantum-well structures on their optical and nanostructural properties

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 1, 2005, Pages

  Cheng, Yung Chen ^a   Wu, Cheng Ming ^a   Yang, C C ^a   Li, Gang Alan ^b   Rosenauer, Andreas ^c   Ma, Kung Jen ^d   Shi, Shih Chen ^a   Chen, L C ^a  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b ShenZhen FangDa GuoKe Optronics Technical Co Ltd   (China)

^c UNIVERSITY OF KARLSRUHE   (Germany)

^d CHUNG HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER LOCALIZATION; CLUSTER STRUCTURE; PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION (PLE); QUANTUM-CONFINED STARK EFFECTS (QCSE);

DOPING (ADDITIVES); GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTOLUMINESCENCE; PHOTONS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 22944450354     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1978988     Document Type: Article

References (28)

1. J. Adhikari and D. A. Kofke, J. Appl. Phys. 95, 4500 (2004).
2. S. Yu. Karpov, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 16 (1998).
3. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
4. K. Kusakabe and K. Ohkawa, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1839 (2003).
5. C. C. Chuo, M. N. Chang, F. M. Pan, C. M. Lee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 80, 1138 (2002).
6. L. J. Brillson, T. M. Levin, G. H. Jessen, and F. A. Ponce, Appl. Phys. Lett. 75, 3835 (1999).
7. Y. C. Cheng, C. H. Tseng, C. Hsu, K. J. Ma, S. W. Feng, E. C. Lin, C. C. Yang, and J. I. Chyi, J. Electron. Mater. 32, 375 (2003).
8. Y. Y. Chung, J. Appl. Phys. 93, 9693 (2003).
9. Y. S. Lin, Appl. Phys. Lett. 80, 2571 (2002).
10. K. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 82, 718 (2003).
11. Y. S. Lin, J. Cryst. Growth 252, 107 (2003).
12. Y. T. Moon, D. J. Kim, K. M. Song, C. J. Choi, S. H. Han, T. Y. Seong, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 89, 6514 (2001).
13. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998).
14. S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, K. P. O'Donnell, C. Trager-Cowan, F. Sweeney, and E. Alves, Phys. Rev. B 64, 205311 (2001).
15. M. Hao, H. Ishikawa, T. Egawa, C. L. Shao, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 4702 (2003).
16. G. Vaschenko, D. Patel, C. S. Menoni, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 78, 640 (2001).
17. H. Jiang and J. Singh, Appl. Phys. Lett. 75, 1932 (1999).
18. C. M. Lee, C. C. Chuo, J. F. Dai, X. F. Zheng, and J. I. Chyi, J. Appl. Phys. 89, 6554 (2001).
19. X. A. Cao, S. F. LeBoeuf, L. B. Rowland, C. H. Yan, and H. Liu, Appl. Phys. Lett. 82, 3614 (2003).
20. O. Gelhausen, M. R. Phillips, E. M. Goldys, T. Paskova, B. Monemar, M. Strassburg, and A. Hoffmann, Phys. Rev. B 69, 125210 (2004).
21. G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 88, 2677 (2000).
22. Y. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 84, 2506 (2004).
23. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
24. E. Berkowicz, Phys. Rev. B 61, 10994 (2000).
25. S. W. Feng, Y. C. Cheng, Y. Y. Chung, C. C. Yang, M. H. Mao, Y. S. Lin, K. J. Ma, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 80, 4375 (2002).
26. S. W. Feng, Y. C. Cheng, Y. Y. Chung, C. C. Yang, Y. S. Lin, C. Hsu, K. J. Ma, and J. I. Chyi, J. Appl. Phys. 92, 4441 (2002).
27. F. Renner, P. Kiesel, G. H. Döhler, M. Kneissl, C. G. Van de Walle, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 81, 490 (2002).
28. T. Takeuchi, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).