High density plasma deposition of device quality silicon nitride. II. Effects of thickness on the electrical properties

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1430-1434

  Hugon, M C ^a  

^a INSTITUT D'OPTIQUE GRADUATE SCHOOL   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 22644451550     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.591100     Document Type: Article

References (19)

1. A. Izumi and H. Matsumura, Appl. Phys. Lett. 71, 1371 (1997).
2. R. W. M. Kwok, W. M. Lau, D. Landheer, and S. Ingrey, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 990 (1993).
3. D. Landheer, G. H. Yousefi, J. B. Webb, R. W. M. Kwok, and W. M. Lau, J. Appl. Phys. 75, 3516 (1994).
4. S. Garcia, I. Martil, G. Gonzalez Diaz, E. Castan, S. Duesnas, and F. Fernandez, J. Appl. Phys. 83, 600 (1998).
5. M. C. Hugon, F. Delmotte, B. Agius, and J. L. Courant, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 3143 (1997).
6. M. A. Lieberman and R. A. Gottscho, Phys. Thin Films 18, l (1994).
7. Y. C. Park, W. B. Jackson, N. M. Johnson, and S. B. Hagstrom, J. Appl. Phys. 68, 5212 (1990).
8. S. M. Sze, J. Appl. Phys. 38, 2951 (1967).
9. S. V. Hattangady, G. G. Fountain, R. A. Rudder, and R. J. Markunas, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 570 (1989).
10. S. W. Hsieh, C. Y. Chang, Y. S. Lee, C. W. Lin, and S. C. Hsu, J. Appl. Phys. 76, 3645 (1994).
11. Y. C. Jeon, H. Y. Lee, and S. K. Joo, J. Appl. Phys. 75, 979 (1994).
12. F. Plais, B. Agius, F. Abel, J. Siejka, M. Puech, G. Ravel, P. Alnot, and N. Proust, J. Electrochem. Soc. 139, 1489 (1992).
13. S. Sitbon, M. C. Hugon, B. Agius, F. Abel, J. L. Courant, and M. Puech, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2900 (1995).
14. W. Kern and D. A. Puotinen, RCA Rev. 6, 187 (1970).
15. F. Delmotte, M. C. Hugon, B. Agius, and J. L. Courant, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1919 (1997).
16. F. Delmotte, M. C. Hugen, B. Agius, and E. A. Irene, J. Vac. Technol. B (to be published).
17. P. C. Arnett and D. J. DiMaria, J. Appl. Phys. 27, 34 (1975).
18. J. M. Andrews, B. G. Jackson, and W. J. Polito, J. Appl. Phys. 51, 495 (1980).
19. K. Watanabe and S. Wakayama, J. Appl. Phys. 53, 568 (1982).