Heteroepitaxial gold (111) rings on mica substrates

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 20, 2005, Pages 1-3

  Zhang, X W ^a,b   Chen, N F ^a   Yan, F ^b   Goedel, Werner A ^b,c  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^b UNIVERSITY OF ULM   (Germany)

^c CHEMNITZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; EVAPORATION; GOLD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON WAFERS; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS;

MICA SUBSTRATES; POLYMER MEMBRANES; POROUS TEMPLATES; SEMICONDUCTOR RINGS;

MICA;

EID: 20844462390     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1926412     Document Type: Article

References (22)

1. W. Rabaud, L. Saminadayar, D. Mailly, K. Hasselbach, A. Benoit, and B. Etienne, Phys. Rev. Lett. 86, 3124 (2001).
2. K. A. Matveev, A. I. Larkin, and L. I. Glazman, Phys. Rev. Lett. 89, 096802 (2002).
3. J. Aizpurua, P. Hanarp, D. S. Sutherland, M. Käll, G. W. Bryant, and F. Abajo, Phys. Rev. Lett. 90, 057401 (2003).
4. Axel Lorke, R. Johannes Luyken, Alexander O. Govorov, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 84, 2223 (2000).
5. S. P. Li, D. Peyrade, M. Natali, A. Lebib, Y. Chen, U. Ebels, L. D. Buda, and K. Ounadjela, Phys. Rev. Lett. 86, 1102 (2001).
6. J. Zhu, Y. Zheng, and G. Prinz, J. Appl. Phys. 87, 6668 (2000).
7. E. M. Q. Jariwala, P. Mohanty, M. B. Ketchen, and R. A. Webb, Phys. Rev. Lett. 86, 1594 (2001).
8. M. Winzer, M. Kleiber, N. Dix, and R. Wiesendanger, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 63, 617 (1996).
9. T. Raz, D. Ritter, and G. Bahir, Appl. Phys. Lett. 82, 1706 (2003).
10. K. L. Hobbs, P. R. Larson, G. D. Lian, J. C. Keay, and M. B. Johnson, Nano Lett. 4, 167 (2004).
11. D. H. Pearson, R. J. Tonucci, K. M. Bussmann, and E. A. Bolden, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 11, 769 (1999).
12. F. Yan, and Werner A. Goedel, Nano Lett. 4, 1193 (2004).
13. D. Yi, and D. Kim, Nano Lett. 3, 207 (2003).
14. P. Mukherjee, A. Ahmad, D. Mandal, S. Senapati, S. R. Sainkar, M. I. Khan, R. Ramani, R. Parischa, P. V. Ajayakumar, M. Alam, M. Sastry, and R. Kumar, Angew. Chem., Int. Ed. 40, 3585 (2001).
15. F. Yan, and W. A. Goedel, Chem. Mater. 16, 1622 (2004).
16. H. Poppa, K. Helnemann, and A. G. Elliot, J. Vac. Sci. Technol. 8, 471 (1971).
17. K. Reichelt, and H. O. Lutz, J. Cryst. Growth 10, 103 (1971).
18. C. E. D. Chidsey, D. N. Loiacono, T. Sleator, and S. Nakahara, Surf. Sci. 200, 45 (1988).
19. R. C. Munoz, G. Vidal, M. Mulsow, J. G. Lisoni, C. Arenas, A. Concha, F. Mora, R. Espejo, G. Kremer, L. Moraga, R. Esparza, and P. Haberle, Phys. Rev. B 62, 4686 (2000).
20. W. L. Zhou, J. He, J. Fang, T. A. Huynh, T. J. Kennedy, K. L. Stokes, and C. J. O'Connor, J. Appl. Phys. 93, 7340 (2004).
21. G. Kaestle, H.-G. Boyen, B. Koslowski, A. Plettl, F. Weigl, and P. Ziemann, Surf. Sci. 498, 168 (2002).
22. C. V. Thompson, J. Floro, and H. I. Smith, J. Appl. Phys. 67, 4099 (1990).